Дворецкий, С.. Формирование проектной культуры [Текст] : научное издание / С. Дворецкий, Н. Пучков, Е. Муратова // Высшее образование в России. - 2003. - N 4. - С. 15-22 Рубрики: Самостоятельная работа студентов--Проектирование Кл.слова (ненормированные): проектирование курсовое, дипломное, организация, методология -- учебно-познавательная деятельность, дидактические условия -- инновационно-проектная деятельность, цели -- прикладные информационные технологии, возможности, комплексное использование -- компьютерные сети, системы -- Интернет, электронная энциклопедия -- учебно-информационная среда профессионально-ориентированная, модель -- информационные ресурсы, доступ -- выпускник, проектная культура, формирование Доп.точки доступа: Пучков, Н.; Муратова, Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1) Свободны: з.п. (1) |
Дворецкий, С. SADT - методология моделирования процесса подготовки студентов [Текст] / С. Дворецкий, Е. Муратова, И. Федоров // Высшее образование в России. - 2007. - N 5. - С. 67-74. - Библиогр.: с. 74 (3 назв. )
Рубрики: Подготовка специалистов в вузе--Моделирование Россия Кл.слова (ненормированные): высшие учебные заведения -- инновационная деятельность -- подготовка студентов -- моделирование процесса подготовки -- модели подготовки бакалавров -- подготовка бакалавров -- модели подготовки магистров -- подготовка магистров -- системы моделирования -- SADT-методология -- Structured Analysis and Design Technique -- IDEFO-модели -- IDEFO-диаграммы Аннотация: Об использовании SADT-методологии при моделировании процесса подготовки студентов к инновационной деятельности. Доп.точки доступа: Муратова, Е. (доц.); Федоров, И. (проф.) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Мищенко, С. (проф.; ректор). ГИНОС [Текст] : управление подготовкой преподавателя технического вуза / С. Мищенко, С. Дворецкий, В. Таров // Высшее образование в России. - 2008. - N 5. - С. 42-48. - Библиогр.: с. 48 (2 назв. )
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование--Россия--Тамбов--Черноголовка, 21 в. нач. Кл.слова (ненормированные): вузы -- высшие учебные заведения -- технические вузы -- гибкая интегрированная научно-образовательная система -- ГИНОС -- управление подготовкой преподавателей -- подготовка преподавателей -- повышение квалификации Аннотация: Представлен опыт работы Тамбовского государственного технического университета по подготовке преподавателей в условиях гибкой интегрированной научно-образовательная системы. Доп.точки доступа: Дворецкий, С. (проф.); Таров, В. (доц.; декан); Тамбовский государственный технический университет; ТГТУТГТУ - ОАО "Корпорация "Росхимзащита"; ТГТУ - Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН (ИСМАН), г. Черноголовка Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. . - Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
Рубрики: Электротехника в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9. . - Библиогр.: c. 9 (14 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьерные области -- варизонные слои -- диэлектрики -- МДП-структуры -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- неоднородность структур -- полупроводники -- резкие неоднородности структур -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Подавление совпадений магнитных уровней в наклонных магнитных полях в квантовой яме HgTe как следствие электронных фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М. В. Якунин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 233-235. - Библиогр.: c. 235 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- квантовый эффект Холла -- магнитосопротивление -- наклонные магнитные поля -- Холла квантовый эффект -- электронные фазовые переходы -- эффект совпадений Аннотация: Обнаружено, что в режиме квантового эффекта Холла совпадения спиновых уровней квантовой ямы HgTe, наблюдаемые в относительно слабых наклонных магнитных полях, трансформируются в антипересечения, притом формирующиеся в антипересечениях щели немонотонно зависят от фактора заполнения уровней. Данное поведение указывает на фазовые переходы в состояние квантового холловского ферромагнетика. Доп.точки доступа: Якунин, М. В.; Суслов, А. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 3. - С. 69-74 : рис. - Библиогр.: c. 73-74 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры кадмий - ртуть - теллур -- кадмий - ртуть - теллур -- низкотемпературные отжиги -- оже-спектроскопия -- фотодиоды Аннотация: Отжиг образцов КРТ p-типа при температурах 90-120 °С приводит к резкому (на два-три порядка) увеличению концентрации дырок. Если перед отжигом поверхность образцов не была защищена фоторезистором, они имели контакт с водными растворами и во время отжига были закреплены с помощью индия, имеющего омический контакт с КРТ. Наличие индия на поверхности образцов приводит к появлению градиента элементов Hg и Cd в приповерхностной области при отжигах. Оже-спектроскопия не обнаруживает появление в таких образцах химических элементов, которые обычно являются акцепторами в КРТ. Акцептором, который приводит к возрастанию концентрации дырок, может являться водород. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Новоселов, А. Р.; Комбаров, Д. В.; Костюченко, В. Я.; Долбак, А. Е.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Власова, Мария. Студенческое братство [Текст] / Мария Власова // Наша молодежь. - 2014. - № 2. - С. 12-13 : 4 фот. . - ISSN 2222-5382
Рубрики: Политика. Политология--Россия--Тамбов--Центральный федеральный округ, 21 в. Политика в отдельных сферах общественной деятельности--Россия--Тамбов--Центральный федеральный округ, 21 в. Образование. Педагогика--Россия--Центральный федеральный округ, 21 в. Высшее профессиональное образование--Россия--Центральный федеральный округ, 21 в. Кл.слова (ненормированные): ВОВ -- Великая Отечественная война -- вузы -- высшие учебные заведения -- историческая память -- молодежь -- образовательные студенческие сборы -- общественные организации -- память о войне -- патриотическое воспитание молодежи -- подготовка кадров -- работа с молодежью -- региональная молодежь -- региональные отделения общественных организаций -- региональные студенческие организации -- студенты вузов -- студенческая молодежь -- студенческие организации -- студенческие сборы -- студенческие союзы -- студенческое самоуправление -- тамбовские вузы -- тамбовские студенческие сборы -- университеты Аннотация: С 8 по 10 ноября 2013 года в Тамбове проходил Осенний образовательный студенческий сбор Центрального федерального округа. Организаторами Сбора выступили Тамбовский государственный технический университет совместно с Общероссийской общественной организацией "Всероссийский студенческий союз" и Администрацией Тамбовской области. Доп.точки доступа: Зимнухов, А. (председатель); Швиндт, А. (председатель президиума); Дворецкий, С. (исполняющий обязанности ректора); Серегин, П. Н. (руководитель комиссии по общественным проектам); Банников, А. В. (руководитель аппарата); Щербинин, П. П. (доктор исторических наук; заведующий кафедрой ЮНЕСКО по правам человека и демократии); Пеньков, В. Ф. (доктор политических наук; профессор кафедры по связям с общественностью); ТГТУ; Тамбовский государственный технический университет; Всероссийский студенческий союз; Администрация Тамбовской области; Осенний образовательный студенческий сбор Центрального федерального округа Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Спектры пропускания квантовых ям и пленок на основе HgTe в дальнем ИК-диапазоне [Текст] / М. Л. Савченко [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 4. - С. 774-778 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): HgTe -- ИК-диапазон -- инфракрасное излучение -- инфракрасный диапазон -- квантовые ямы -- межзонные переходы -- пленки HgTe -- спектры пропускания Аннотация: Работа посвящена изучению спектров пропускания и отражения пленок HgTe различных толщин в дальнем инфракрасном диапазоне. Доп.точки доступа: Савченко, М. Л.; Васильев, Н. Н.; Ярошевич, А. С.; Козлов, Д. А.; Квон, З. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Терагерцевая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами [Текст] / Д. В. Козлов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2018. - Т. 154, вып. 6. - С. 1226-1231. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- объемные эпитаксиальные пленки -- пленки -- терагерцевое излучение -- фотолюминесценция пленок Аннотация: Исследована фотолюминесценция объемных пленок и гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в дальнем ИК-диапазоне при межзонном оптическом возбуждении. Доп.точки доступа: Козлов, Д. В.; Румянцев, В. В.; Морозов, С. В.; Кадыков, А. М.; Фадеев, М. А.; Жолудев, М. С.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Гавриленко, В. И.; Теппе, Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd[x]Hg[1-x]Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения [Текст] / М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий [и др.] // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 2. - С. 214-221 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): GaAs -- азимутальные угловые зависимости -- вторая гармоника -- зондирующее излучение -- подложки GaAs -- угловые зависимости Аннотация: Представлены сравнительные результаты численного моделирования и эксперимента при регистрации азимутальных угловых зависимостей сигнала второй гармоники, отраженной от структур Cd[x]Hg[1-x]Te и подложек GaAs. Доп.точки доступа: Ступак, М. Ф.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Якушев, М. В.; Икусов, Д. Г.; Макаров, С. Н.; Елесин, А. Г.; Верхогляд, А. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром [Текст] / А. С. Боголюбский, С. В. Гудина, В. Н. Неверов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 12. - С. 1983-1993 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (45 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Екатеринбург, 2021 г. Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- зонный спектр -- инвертированный зонный спектр -- квантовые осцилляции -- магнетосопротивление -- полупроводниковые гетероструктуры -- семинары -- теллурид ртути -- школы-семинары Аннотация: Обсуждаются эффекты, наблюдающиеся в гетероструктуре HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой. Доп.точки доступа: Боголюбский, А. С.; Гудина, С. В.; Неверов, В. Н.; Туруткин, К. В.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |