Сошников, И. П. Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов. Доп.точки доступа: Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |