Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 5-7 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термолюминесценция -- люминесценция -- монокристаллы -- гамма-кванты -- облученные гамма-кванты -- легированные оловом монокристаллы -- ИК-спектроскопия -- антиструктурные дефекты -- примесные дефекты донорного типа -- облученные кристаллы -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа". Доп.точки доступа: Алиев, М. И.; Рашидова, Ш. Ш.; Гусейнова, М. А.; Гаджиева, Н. Н. |
Рашидова, Ш. Ш. Радиационные дефекты в монокристаллах InP (Sn), облученных гамма-квантами {60}Со [Текст] / Ш. Ш. Рашидова // Инженерно-физический журнал. - 2011. - Т. 84, N 2. - С. 442-444. : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 444 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антиструктурный дефект -- метод радиотермолюминесценции -- энергия активации -- монокристаллы -- радиационные дефекты Аннотация: Методом радиотермолюминесценции исследован процесс образования антиструктурных дефектов в кристаллах легированного оловом InP, подвергнутых облучению гамма-квантами дозой 10-100 кГр. 0бнаружено, что энергия активации уровня 0 26 эВ благоприятствует получению полуизолирующего фосфида индия. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рашидова, Ш. Ш. Синтез и характеризация композитов полимер+InР [Текст] / Ш. Ш. Рашидова, М. А. Гусейнова, С. М. Рзаева // Инженерно-физический журнал. - 2015. - Т. 88, № 3. - С. 754-757 : 5 рис. - Библиогр.: с. 757 (13 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Электронные и ионные явления. Физика плазмы Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): композитные пленки -- оптические спектры поглощения -- полиэтилен высокой плотности -- полупроводниковые наполнители -- фосфид индия Аннотация: Приводятся результаты исследований спектральных свойств полимерных композитов на основе InР. Показано, что наблюдаемые эффекты в ИК и УФ спектрах поглощения связаны с излучением надмолекулярной структуры и степени кристалличности полимерной матрицы. Доп.точки доступа: Гусейнова, М. А.; Рзаева, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |