Петросянц, Константин Орестович. Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics [Текст] / К. О Петросянц, П. А. Козынко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 33-38. - Библиогр.: с. 38 (4 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Математика Исследование операций Вычислительная техника Математическое обеспечение (Программирование) Техника Технологические процессы Кл.слова (ненормированные): печатные платы -- моделирование -- электротепловое моделирование -- данные -- передачи -- тепловые режимы -- расчеты Аннотация: Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая интерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического и теплового моделирования. Доп.точки доступа: Козынко, Петр Александрович |
Петросянц, Константин Орестович. Особенности моделирования SiGe: C гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О Петросянц, Р. А. Торговников // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 30-34 : рис. . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- гетеропереходы Аннотация: Рассмотрены особенности моделирования SiGe: C гетеропереходных биполярных транзисторов. Доп.точки доступа: Торговников, Ростислав Александрович |
Петросянц, Константин Орестович. Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС [Текст] / К. О Петросянц, Д. Б. Ширабайкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 3 (77). - С. 87-89 : рис. - Библиогр.: с. 89 (4 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): субмикронные технологии -- СБИС -- сверхбольшие интегральные схемы -- отказ межсоединений -- проводники -- межуровневые соединения -- численные методы -- электромиграционная долговечность Аннотация: Рассматривается метод расчета долговечности (времени до отказа) для проводника. Применение предлагаемого численного метода позволяет оценить электромиграционную долговечность ИМС при заданных геометрических размерах межсоединений и параметрах проводящего материала на стадии проектирования. Доп.точки доступа: Ширабайкин, Денис Борисович |
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний? на? изоляторе [Текст] / К. О. Петросянц [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 81-83 : рис. - Библиогр.: с. 83 (8 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): поглощенная доза -- транзисторы -- ток утечки -- приборно-технологическое моделирование -- радиационные токи Аннотация: Представлены результаты трехмерного приборно-технологического моделирования радиационных токов утечки в частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ). Доп.точки доступа: Петросянц, Константин Орестович; Орехов, Евгений Вадимович; Самбурский, Лев Михайлович; Харитонов, Игорь Анатольевич; Ятманов, Ятманов Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |