Панин, Е. А. Реализация адвокатом-защитником полномочия по привлечению специалиста на стадии формирования коллегии присяжных заседателей [Текст] / Е. А. Панин // Адвокатская практика. - 2008. - N 3. - С. 32-35. - Библиогр. в сносках
Рубрики: Право Уголовное процессуальное право--США--Соединенные Штаты Америки Кл.слова (ненормированные): кодексы -- законы -- специалисты -- присяжные заседатели -- адвокаты -- защитники Аннотация: Форме реализация полномочия защитника, в привлечение специалиста, при формировании коллегии присяжных заседателей. |
Формирование буферного слоя субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме Si/SiO[2] после имплантации ионами Si{+}: рентгеновские Si L[2, 3]-эмиссионные спектры [Текст] / Д. А. Зацепин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2113-2117. - Библиогр.: с. 2117 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- кремний -- субоксиды кремния -- ионно-лучевые модификации интерфейсных границ -- интерфейсные границы -- имплантация ионами -- полупроводники -- решетки нанокристаллов Аннотация: Представлены результаты исследования методом рентгеновской L[2, 3]-эмиссионной (электронный переход Si 3d3s стремящейся кSi 2p1/2, 3/2) спектроскопии низкоразмерных гетеронаноструктур n-Si/SiO[2] с различной толщиной оксидной пленки (20 и 500 nm) после имплантации ионами Si+ с энергиями 12 и 150 keV. Для гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 20 nm выявлена и изучена ионно-лучевая модификация интерфейсной границы. Анализ рентгеновских Si L[2, 3]-эмиссионных спектров показал, что имплантация ионами Si+ приводит к самоупорядочению структуры изначально аморфной 20 nm пленки SiO[2] вследствие эффекта больших доз. Предложен механизм ионно-лучевой модификации границы раздела фаз диэлектрик-полупроводник. В случае гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 500 nm существенной перестройки атомной и электронной структуры после ионной имплантации обнаружено не было. Доп.точки доступа: Зацепин, Д. А.; Панин, Е. А.; Kaschieva, S.; Fitting, H. -J.; Шамин, С. Н. |