Орлов, М. Л. Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном транзисторе In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As [Текст] / М. Л. Орлов, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 679-688
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дифференциальное сопротивление -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- терагерцовое излучение -- транзисторы -- короткоканальные транзисторы Аннотация: Обсуждается эффект отрицательного дифференциального сопротивления, наблюдаемый при аномально низких напряжениях на выходных характеристиках модулированно-легированного полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. В обсуждаемых экспериментах порог появления отрицательного дифференциального сопротивления зависит не только от длины затвора, на что указывалось ранее, но и от разности потенциалов между затвором и стоком. Показано, что отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдаемое на выходных характеристиках короткоканального полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As при аномально низких значениях порогового напряжения, связано с формированием второго транспортного канала вследствие резонансного перехода горячих электронов с верхних уровней квантовой ямы в надбарьерный слой через состояния ионизованной донорной примеси. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К. |
Орлов, М. Л. Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми транзисторами с коротким двумерным каналом [Текст] / М. Л. Орлов, А. Н. Панин, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 816-824 : ил. - Библиогр.: с. 824 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- короткоканальные транзисторы -- вольт-ваттная чувствительность -- ВВЧ -- диапазоны -- фоточувствительность -- плазмоны -- двумерные плазмоны -- частотные характеристики Аннотация: Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора. Доп.точки доступа: Панин, А. Н.; Орлов, Л. К. |