Нифтиев, Н. Н. Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[2], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1172-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- монокристаллы -- MnGa[2]S[2] -- MnIn[2]S[4] -- MnGaInS[4] -- электропроводность -- электрические поля -- сильные электрические поля -- потенциальные ямы -- энергия активации Аннотация: Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[4], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4]. Определены энергии активации в сильном и слабом электрических полях. Установлено, что уменьшение энергии активации с ростом внешнего напряжения связано с уменьшением высоты потенциальной ямы, в которой электрон находится. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. |
Электрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS[4] на переменном токе [Текст] / Н. Н. Нифтиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1447-1449 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- слоистые монокристаллы -- FeGaInS[4] -- температурная зависимость -- частотная зависимость -- проницаемость -- диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- энергия активации -- электропроводность -- электрический ток -- переменный электрический ток -- время релаксации (физика) Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и проводимости монокристаллов FeGaInS[4] на переменном электрическом токе. Определены диэлектрические проницаемости монокристаллов и энергии активации диэлектрической проницаемости и проводимости. Установлено, что в исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты. Доп.точки доступа: Нифтиев, Н. Н.; Тагиев, О. Б.; Мурадов, М. Б.; Мамедов, Ф. М. |
Нифтиев, Н. Н. Оптическое поглощение монокристаллов MnGa[2]S[4] в поляризованном свете [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 3. - С. 402-404 : граф. - Библиогр.: с. 404 (29 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- оптическое поглощение -- поляризованный свет -- поляризационное расщепление -- валентные зоны -- катионные подрешетки -- псевдопотенциалы атомов -- тетрагональное сжатие -- оптические переходы -- кристаллический йод Аннотация: Представлены результаты исследования оптического поглощения в монокристаллах MnGa[2]S[4] при двух поляризациях света. Поляризационное расщепление края поглощения свидетельствует о расщеплении валентной зоны MnGa[2]S[4]. Вклад в кристаллическое расщепление вносят два фактора: разность псевдопотенциалов атомов катионной подрешетки и тетрагональное сжатие решетки вдоль оси С. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |