Никитина, А. Г. Выявление особенностей локализации электронов на U{-}-центрах в полупроводниках методом термостимулированных токов [Текст] / А. Г. Никитина, В. В. Зуев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 869-872 : ил. - Библиогр.: с. 872 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроны -- локализация электронов -- термостимулированные токи -- ТСТ -- энергии -- корреляционная энергия -- положительная корреляционная энергия -- одноуровневые центры -- дефекты -- распознавание дефектов -- экспериментальные данные Аннотация: Теоретически исследованы особенности термостимулированных токов в полупроводнике в присутствии U{-}-центров в сравнении с ситуациями, когда имеются дефекты с положительной корреляционной энергией или одноуровневые центры. Показано, что анализ нормированной на максимальное значение кривой термостимулированных токов по форме и по наличию или отсутствию смещения ее температурного максимума в зависимости от начального заполнения дает дополнительный необходимый признак для распознавания дефектов с различными характеристиками связи электронов на них. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментальных данных по термостимулированным токам, имеющих особенности, которые не получают объяснения в рамках часто эксплуатируемой модели одноуровневых центров. Доп.точки доступа: Зуев, В. В. |