Маркосов, М. С. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / М. С. Маркосов, Р. П. Сейсян // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 656-661
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экситонное поглощение -- линии экситонного поглощения -- квазибинарные растворы -- деформационное расщепление -- экситонные поляритоны Аннотация: Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As (x=0. 15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Гамма[c]=0. 32 мэВ и поглощением насыщения K[max]=89. 5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры T[c]=155 К не превышает 0. 2 мэВ. Найдено, что "естественная" ширина линии 1s-экситона не превышает 2. 6 мэВ (при T=1. 7 К), что согласуется с теоретическими оценками. Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П. |