Левин, М. Н. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 613-616
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- запрещенная зона -- глубокие уровни -- дефекты -- параметр регуляризации Аннотация: Метод DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящх к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. Предложено использовать подход L-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Laplace-DLTS для исключения некотролируемых ошибок и повышения достоверности получаемых результатов. Возможности метода продемонстрированы численным анализом модельного релаксационного сигнала, содержащего 3 экспоненты с близкими значениями показателей и малую шумовую составляющую. Показано, что предложенный вариант Laplace-DLTS с использованием L-кривой для выбора параметра регуляризации или LL-DLTS обладает большей надежностью по сравнению с методом Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по невязке. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э. |