Лебедев, А. О. Административные суды и административное судопроизводство в Королевстве Таиланд: общая характеристика [Текст] / А. О. Лебедев> // Современное право . - 2009. - 1991-6027, N 4. - 011 . 133-136 . - ISSN 1991-6027
Рубрики: Право--Таиланд Судебная система Кл.слова (ненормированные): административная юстиция -- административные суды -- административное судопроизводство -- петиции Аннотация: Административная юстиция в Таиланде. |
Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1288-1294 : ил. - Библиогр.: с. 1294 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- карбид кремния политипа 4H -- метод Лели -- Лели метод -- слитки -- микропоры -- затравки -- разращивание затравок -- многостадийный процесс выращивания -- RAF-процесс -- дислокации -- базисные дислокации Аннотация: Улучшение структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели, достигнуто в многостадийном процессе при последовательной смене ориентации затравок (аналогично представленному ранее в литературе RAF-процессу). Выращенные слитки диаметром 20-40 мм характеризуются практически полным отсутствием периферических малоугловых границ, а также значительным снижением плотности микропор (2-3 порядка величины по сравнению с исходным материалом). Повторное разращивание полученных затравок с ориентацией (0001) С до 50-55 мм в диаметре приводит к незначительному ухудшению структурного совершенства во вновь генерируемых периферических областях слитка. Получены качественные образцы пластин карбида кремния, характеризующихся плотностью микропор 5-40 см{-2} и базисных дислокаций 10{3} - 10{4}см{-2}. Доп.точки доступа: Авров, Д. Д.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Трегубова, А. С.; Фадеев, А. Ю. |
О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 289-294. : ил. - Библиогр.: с. 294 (18 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- слитки карбида кремния -- дефектные структуры -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- метод Лели -- Лели метод -- монокристаллы -- 4H-SiC -- ямки травления -- линейные особенности -- линии скольжения -- доменные границы -- базисные дислокации -- деградация -- микропоры -- малоугловые границы -- дефекты слитков Аннотация: Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001) С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>{1100} для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см{-2} и практически не изменяется при увеличении размера слитков. Доп.точки доступа: Авров, Д. Д.; Булатов, А. В.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Фадеев, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |