Кузнецов, В. М. Развитие проектировочных умений слушателей курсов повышения квалификации [Текст] / В. М. Кузнецов, С. Н. Трошков // Педагогическое образование и наука. - 2010. - N 1. - С. 102-104. - Библиогр.: с. 104 (8 назв. ) . - ISSN 2072-2524
Рубрики: Образование. Педагогика--Россия--Челябинская область Педагогическое образование Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): краеведческое образование -- подготовка учителей краеведения -- проектировочная деятельность -- инновационная деятельность -- профессиональная переподготовка Аннотация: В статье реализация программы дополнительного профессионального профессионального образования "Теория и методика краеведческого образования" рассматривается как фактор становления проектировочных умений слушателей. Выделяются этапы и уровни становления проектировочных умений у педагогов-краеведов в процессе профессиональной переподготовки. Доп.точки доступа: Трошков, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вакуумно-плазменный технологический комплекс "Спрут" для создания новых нанокомпозитных материалов и упрочняющих поверхностных структур изделий [Текст] / Д. П. Борисов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 12. - С. 32-36. . - Библиогр.: с. 36 (7 назв. )
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): технологические комплексы -- вакуумно-плазменные комплексы -- нанокомпозитные материалы -- поверхностные структуры -- упрочняющие поверхностные структуры -- плазменные комплексы -- магнетронно-дуговые комплексы -- ионно-плазменные методы -- генераторы газовой плазмы -- магнетронно-распылительные системы -- электродуговые распылители Аннотация: Представлен новый метод формирования качественных упрочняющих структур на поверхности металлических изделий путем совмещенного воздействия плазменных потоков, формируемых электрическими разрядами различной природы в едином вакуумном реакционном объеме. Доп.точки доступа: Борисов, Д. П.; Детистов, К. Н.; Коротаев, А. Д.; Кузнецов, В. М.; Мошков, В. Ю.; Пинжин, Ю. П.; Тюменцев, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака [Текст] / Т. В. Меньщикова [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 1. - С. 18-23.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): бинарные топологические изоляторы -- электронная структура -- тройные соединения -- конус Дирака -- Дирака конус Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры серии тройных соединений A\{IV\}B\{VI\} х A\{V\}[2]B\{VI\}[3], состоящих из семислойных атомных блоков, разделенных ван дер ваальсовскими промежутками. Также рассмотрены соединения YbBi (Sb) [2]Te[4], для которых предсказывается аналогичная атомная структура. Показано, что большинство соединений на основе элементов IV группы, как и YbBi[2]Te[4], являются трехмерными топологическими изоляторами. На основе расчетов поверхностной электронной структуры соединений MBi[2]Te[4], где M - элементы четвертой группы и Yb, показана эффективная возможность управления дираковским проводящим поверхностным состоянием за счет первого элемента. Доп.точки доступа: Меньщикова, Т. В.; Еремеев, С. В.; Коротеев, Ю. М.; Кузнецов, В. М.; Чулков, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дивинская, Н. А. Опыт использования интерактивных технологий обучения в формировании профессиональной компетентности студентов высших учебных заведений Украины [Текст] / Дивинская Н. А. // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2013. - № 2, ч. 1, февраль. - С. 61-65. - Библиогр.: с. 65 . - ISSN 1814-6457
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование--Украина--Киев Кл.слова (ненормированные): украинские ученые -- методисты -- педагоги -- педагогические технологии -- творческие приемы -- иноязычные коммуникативные компетентности -- методы обучения -- новые технологии Аннотация: Освещаются проблемы внедрения в учебный процесс отдельных методов интерактивного обучения, описывается опыт работы некоторых ведущих преподавателей гуманитарных вузов Украины. Доп.точки доступа: Беспалько, В. П.; Гушинец, Н. О.; Рудницкая, Т. Г.; Селевко, Г. К.; Падалка, О. С.; Андрущенко, Н. О.; Дудка, Л. Д.; Носаченко, И. М.; Петрук, В. А.; Тялляева, О. И.; Шатилова, Н. В.; Авдеева, И. Н.; Губенко, О. О.; Мельничук, Л. В.; Падалко, О. С.; Михайлова, Л. А.; Штепа, О. Г.; Короленко, В. Г.; Драгоманова, М. П.; Кондратюк, А. П.; Бухбиндер, В. А.; Акимова, О. В.; Бондаренко, А. Ф.; Гапонова, С. В.; Гринюк, Г. А.; Лысенко, С. В.; Мельникова, И. Н.; Непша, Ю. П.; Рыбацкий, В. И.; Саша, Л. О.; Тарасенко, И. К.; Швед, Л. И.; Щербань, П. Н.; Харенко, В. И.; Евтух, Н. Б.; Москаленко, А. М.; Губенко, О. В.; Кондратюк, В. Д.; Малюкова, И. Г.; Медведева, С. О.; Олейник, А. В.; Олейник, А. И.; Павлова, Г. П.; Муковоз, А. П.; Онкович, А. В.; Онкович, А. Д.; Федоров, А. В.; Чемериз, И. М.; Янковец, А. В.; Яцинина, Н. А.; Бориско, Н. Ф.; Васильев, М. Ф.; Иванова-Цыганова, В. И.; Кузнецов, В. М.; Путилина, Р. М.; Тверезовская, Н. Т.; Яхнюк, Т. А.; Беляева, А. П.; Бойко, А. М.; Гончаренко, С. У.; Грабовская, Т. А.; Зязюн, И. А.; Иванова, И. В.; Маркова, Л. К.; Семиченко, В. А.; Капская, А. И.; Луговой, В. И.; Белкин, А. С.; Кухта, И. В.; Зубенко, О. В.; Медведева, С. А.; Пассов, Е. И.; Кибирева, Л. В.; Южноукраинский государственный педагогический университет им. К. Д. Ушинского; Полтавский педагогический институт имени В. Г. Короленко; Украинский педагогический университет имени М. П. Драгоманова; Научно-практическая конференция "Формирование педагогического мастерства в системе профессиональной подготовки будущего учителя"; Научно-практическая конференция "Проблемы формирования общечеловеческих ценностей в процессе психолого-педагогической подготовки будущего учителя"; Киевский государственный педагогический институт иностраных языков; Киевский национальный лингвистический университет Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью [Текст] / И. В. Силкин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 352-356
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): серосодержащие минералы -- природные минералы -- топологические изоляторы -- изоляторы с широкой запрещенной щелью -- спиновая поляризация Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры четырехкомпонентных природных минералов PbBi[2]Te[2]S[2] (алексит), Pb[2]Bi[2]Te[2]S[3] (саддлебакит) и PbBi[4]Te[4]S[3] (фаза С). Эти соединения имеют слоистую структуру. Показано, что рассматриваемые материалы являются трехмерными топологическими изоляторами с широкой запрещенной щелью в электронном спектре и обладают большой спиновой поляризацией. Это делает их привлекательными с точки зрения практических приложений. Доп.точки доступа: Силкин, И. В.; Меньщикова, Т. В.; Отроков, М. М.; Еремеев, С. В.; Коротеев, Ю. М.; Вергниори, М. Г.; Кузнецов, В. М.; Чулков, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузнецов, В. М. Особенности структуры покрытий нитрида титана в разрезах поверхности подложки [Текст] / В. М. Кузнецов, С. В. Овчинников, В. А. Слабодчиков // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 51-61 : рис. - Библиогр.: с. 60-61 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изгиб-кручение решётки -- изделия сложной формы -- ионно-плазменная модификация поверхности -- магнетронное распыление -- микрорентгеноспектральный анализ -- нитрид титана -- поверхности материалов -- фазовые превращения -- электронная микроскопия Аннотация: С использованием методик микрорентгеноспектрального анализа, оже-электронной спектроскопии и электронно-микроскопического темнопольного анализа изгиба-кручения кристаллической решётки выполнено исследование элементного состава и структурно-фазового состояния покрытий нитрида титана на плоской поверхности и в разрезе подложки из стали 12Х18Н10Т. Установлено, что покрытие в разрезе в сравнении с фронтальной поверхностью имеет модифицированный элементный состав и двуслоевую структуру, особенности которых, как и толщина слоёв, меняются в зависимости от расстояния от поверхности образца. Показано, что данные изменения связаны с фазовыми превращениями, уменьшением степени дефектности, дисперсности структуры слоёв и росте концентраций примесных элементов с удалением от поверхности подложки. На основе полученных результатов обсуждаются возможные условия формирования структуры покрытий в разрезе поверхности подложки. Доп.точки доступа: Овчинников, С. В.; Слабодчиков, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рябищенкова, А. Г. Адсорбция и диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности теллурида сурьмы [Текст] / А. Г. Рябищенкова, В. М. Кузнецов // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 3. - С. 110-116. - Библиогр.: с. 116 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Химическая технология Адсорбенты Кл.слова (ненормированные): адсорбция атомов -- диффузия атомов -- метод функционала электронной плотности -- перенос заряда -- теллурид сурьмы -- топологический изолятор Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов адсорбции и диффузии адатомов 1, 2 и 13-й групп на (0001) -поверхности топологического изолятора Sb[2]Te[3]. Показано, что большинство исследованных атомов имеют минимум энергии в ГЦК-позиции. Исключения составляют бериллий, бор, индий и таллий, для которых наиболее выгодными являются узлы с ГПУ-симметрией. Диффузия адатомов по поверхности (0001) Sb[2]Te[3] происходит по двухступенчатому механизму, при котором сначала осуществляется перескок из ГЦК- в ГПУ-позиции, а затем из ГПУ в ГЦК. Для атомов бериллия, бора, индия и таллия порядок прыжков сдвинут, поскольку для них наиболее выгодной с энергетической точки зрения является ГПУ-позиция. Найдены величины барьеров для прыжков по поверхности и характеристические частоты, на базе которых аналитически рассчитаны диффузионные длины. Определены температуры активации диффузии, при которых атом преодолевает одно межатомное расстояние (2. 5 A) за минуту. Показано, что самая высокая температура активации (165 К) соответствует бериллию, а самая низкая (39 К) - цезию. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |