Кошелев, О. Г. О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p[+]-n(p)-n[+]-типа из-за токов по слоям p[+]- и n[+]-типа [Текст] / О. Г. Кошелев // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: c. 44 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители заряда -- резисторы солнечных элементов -- СВЧ-фотопроводимость -- солнечные элементы Аннотация: Показано, что фототоки по p[+]- и n[+]-слоям локально зондируемой неоднородной по площади p[+]-n (p) -n+-кремниевой структуры могут привести к существенному снижению контраста СВЧ-фотопроводимости по сравнению с истинным. Изучение проводили на модели из двух соединенных резистором солнечных элементов, один из которых освещался. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кошелев, О. Г. Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на p-p{+}(n-n{+})-границе кремниевых n{+}-p(n)-p{+}-структур компенсационным методом [Текст] / О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С. 109-113. - Библиогр.: c. 112-113 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): компенсационный метод -- кремниевые структуры -- поверхностная рекомбинация -- солнечные элементы -- фоточувствительность Аннотация: Для кремниевых структур n{+}-p (n) -p{+}-типа путем расчетов показана возможность определения бесконтактным методом скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на тыльной стороне p (n) -области c известным значением их времени жизни. Метод позволяет определять контраст фоточувствительности по площади структуры при локальном ее освещении. Доп.точки доступа: Васильев, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бесконтактное обнаружение неоднородностей фоточувствительности гетероструктур типа HIT на основе альфа-Si:H/C-Si [Текст] / О. Г. Кошелев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 11. - С. 1558-1561. - Библиогр.: c. 1561 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы без контактов -- гетероструктуры типа HIT -- кремниевые гетероструктуры -- кремниевые солнечные элементы -- фоточувствительность заготовок Аннотация: Разработана компенсационная установка для исследования фоточувствительности заготовок кремниевых солнечных элементов с p-n-переходами без контактов. Рассмотрены результаты проведенных на ней измерений контраста фоточувствительности заготовок солнечных элементов из кремниевых гетероструктур типа HIT. Доп.точки доступа: Кошелев, О. Г.; Васильев, Н. Г.; Региневич, М. А.; Шнайдштейн, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |