Калыгина, В. М. Твердотельные преобразователи изображения на основе структур GaAs/ZnS [Текст] / В. М. Калыгина, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 975-979 : ил. - Библиогр.: с. 979 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): преобразователи -- твердотельные преобразователи изображения -- ТПИ -- конденсаторы -- электролюминесцентные конденсаторы -- ЭЛК -- структуры -- структуры GaAs/ZnS -- люминофоры -- рентгеновское излучение -- математическое моделирование -- ионизирующее излучение -- детекторы ионизирующих излучений -- GaAs/ZnS структуры Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики и частотные зависимости яркости свечения электролюминесцентных конденсаторов на основе люминофора ZnS : Cu, Al. Изучено влияние рентгеновского излучения (17 кэВ) на высокоомные слои GaAs, полученные тремя способами. С помощью математического моделирования показана возможность создания детекторов ионизирующего излучения с оптическим считыванием информации при использовании структур GaAs/ZnS. Отмечено, что наиболее перспективным материалом для разработки твердотельных преобразователей изображения оказывается GaAs : Cr, полученный диффузией хрома из напыленного слоя. Доп.точки доступа: Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |
Калыгина, В. М. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2]. Доп.точки доступа: Грицык, В. Ю. |
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 11-16 : рис. - Библиогр.: c. 16 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков Физика Квантовая электроника Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): анодные пленки оксида галлия -- анодный окисел -- вакансии галлия -- влияние кислородной плазмы -- кислородная плазма -- отжиг -- полупроводники -- распределение электронов Аннотация: Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Ga_2O_3-n-GaAs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Ga, которые являются акцепторами в арсениде галлия. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Вишникина, В. В.; Зарубин, А. Н.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 6. - С. 3-6 : рис., табл. - Библиогр.: c. 6 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): МОП-структура -- арсенид галлия -- вольт-сименсные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- оксид галлия -- полупроводниковые материалы -- электрические характеристики Аннотация: Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл - оксид - полупроводник на основе Ga_x/O_y /GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено влияние температуры отжига на характеристики структур. Обнаружено, что при длительном хранении в комнатной атмосфере структуры не меняют своих свойств, что проявляется в стабильности электрических характеристик. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Петрова, Ю. С.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением [Текст] / Т. З. Лыгденова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 56-60 : рис. - Библиогр.: c. 60 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ВЧ-магнетронное напыление -- вольт-амперная характеристика -- морфология поверхности -- напыление пленки оксида галлия -- оксид галлия -- пленки оксида галлия -- фазовый состав Аннотация: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением температуры обусловлен возбуждением электронов с локального уровня Еt, расположенного на 0. 95 эВ ниже дна зоны проводимости. Доп.точки доступа: Лыгденова, Т. З.; Калыгина, В. М.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SIO2 [Текст] / В. А. Новиков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 79-87 : рис. - Библиогр.: с. 86-87 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- Оксид галлия -- адмиттанс -- диоксид кремния -- инверсионный слой -- низкотемпературные измерения -- объемные ловушки -- органические пленки пентацена -- органические полупроводники -- пентацен -- эквивалентные схемы -- электрофизика Аннотация: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO[2] и SiO[2]/Ga[2]O[3]. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO[2] практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150-300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 10{18} см{-3} и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO[2] хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga[2]O[3] обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена. Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Копылова, Т. Н.; Дегтяренко, К. М.; Черников, Е. В.; Калыгина, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |