Зоренко, Ю. В. Выращивание и люминесцентные свойства монокристаллических пленок перовскитов RAlO[3] (R=Lu, Lu-Y, Y, Tb) [Текст] / Ю. В. Зоренко, В. И. Горбенко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1697-1704. - Библиогр.: с. 1704 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства пленок -- монокристаллические пленки -- перовскиты -- пленки перовскитов -- механизмы кристаллизации -- условия кристаллизации пленок -- жидкофазная эпитаксия Аннотация: Анализируются условия и механизмы кристаллизации нелегированных и активированных ионами Ce3+ монокристаллических пленок (МП) RAlO3 (R=Lu, Lu-Y, Y, Tb) методом жидкофазной эпитаксии на подложках из монокристаллов YAlO3 при значительном рассогласовании постоянных решетки МП и подложки. Приводятся максимальные значения величины этого рассогласования, при которых наблюдается устойчивый рост МП. Демонстрируется наличие переходных слоев между подложкой и выращиваемой МП, в которых нивелируется разница между параметрами решетки МП и подложки. Исследованы оптические и люминесцентные характеристики нелегированных и активированных ионами Ce3+ МП RAlO3 (R=Y, Y-Lu, Lu, Tb), а также сцинтилляционные характеристики МП (Lu-Y) AlO3 : Ce при возбуждении alpha-частицами источника Pu239 (5. 15 MeV). Доп.точки доступа: Горбенко, В. И. |
Люминесценция и сцинтилляционные свойства монокристаллов и монокристаллических пленок Y[3]Al[5]O[12] : Ce [Текст] / Ю. В. Зоренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1542-1547. . - Библиогр.: с. 1546-1547 (4 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- монокристаллические пленки -- люминесцентные свойства -- сцинтилляционные свойства -- методы Чохральского -- Чохральского методы Аннотация: Проведен сравнительный анализ люминесцентных и сцинтилляционных свойств монокристаллов Y[3]Al[5]O[12] : Ce, выращенных из расплава методами Чохральского и горизонтальной направленной кристаллизации в различных газовых средах, а также монокристаллических пленок Y[3]Al[5]O[12] : Ce, полученных методом жидкофазной эпитаксии из раствора - расплава на основе флюса PbO - B[2]O[3]. Установлена существенная зависимость сцинтилляционных свойств монокристаллов Y[3]Al[5]O[12] : Ce от условий их вращения и концентраций антиузельных дефектов Y[Al] и вакансионных дефектов, которые в этих кристаллах участвуют в процессах возбуждения излучения ионов Ce{3+} как центры собственной УФ-люминесценции и центры захвата. Показано, что монокристаллические пленки Y[3]Al[5]O[12] : Ce обладают более быстрой, чем монокристаллы, кинетикой затухания сцинтилляций и меньшим содержанием медленных компонентов в затухании люминесценции ионов Ce{3+} при высокоэнергетическом возбуждении вследствие отсутствия в них антиузельных дефектов Y[Al] и низкой концентрации вакансионных дефектов. Вместе с тем световыход монокристаллических пленок Y[3]Al[5]O[12] : Ce из-за тушащего действия примеси ионов Pb{2+} как компонентов флюса сравним со световыходом монокристаллов, полученных методом направленной кристаллизации, и несколько меньше (~ на 25%), чем световыход монокристаллов, полученных методом Чохральского. Доп.точки доступа: Зоренко, Ю. В.; Савчин, В. П.; Горбенко, В. И.; Возняк, Т. И.; Зоренко, Т. Е.; Пузиков, В. М.; Данько, А. Я.; Нижанковский, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |