Давыдов, С. Ю. Адсорбция на металлах и полупроводниках: модели Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона [Текст] / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1508-1513. - Библиогр.: с. 1512-1513 (28 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция на металлах -- адсорбция на полупроводниках -- Андерсона-Ньюнса модель -- металлические подложки -- модель Андерсона-Ньюнса -- полупровдниковые подложки -- Халдейна-Андерсона модель -- Халдейна-Андерсона модель Аннотация: Приведен сравнительный анализ моделей Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона при описании адсорбции атомов (молекул) на металлических и полупроводниковых подложках. Выявлены общие черты моделей и их различия. Рассмотрена адсорбция как изолированного адатома, так и субмонослойной пленки. Обсуждается влияние различных каналов взаимодействия адатомов на их электронную структуру и работу выхода адсорбционной системы. Доп.точки доступа: Трошин, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, С. Ю. К построению модели термодеструкции карбида кремния с целью получения графитовых слоев [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Н. Ю. Смирнова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 452-454. - Библиогр.: с. 454 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модель термодеструкции карбида кремния -- термодеструкция карбида кремния -- карбид кремния -- графены -- графитовые слои -- термодеструкция Аннотация: Обсуждается предложенная ранее (на основании структурных исследований) трехстадийная схема процесса термодиструкции карбида кремния, приводящего к графитизации поверхности. Теоретический анализ, однако, показывает, что этот процесс является двухстадийным: термодесорбция атомов кремния из двух внешних бислоев Si-C с последующей конденсацией атомов углерода на Si-грани (0001) карбида кремния, приводящей к образованию двумерной структуры графита (графена). Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Смирнова, Н. Ю. |
Давыдов, С. Ю. К описанию совместной адсорбции атомов цезия и селена на поверхности кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 803-807. - Библиогр.: с. 807 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция атомов -- модель Андерсона-Ньюнса-Муската -- Андерсона-Ньюнса-Муската модель -- адсорбция цезия на кремнии -- адсорбция селена на кремнии Аннотация: В рамках модели Андерсона--Ньюнса--Муската с учетом диполь-дипольного отталкивания рассмотрены задачи об адсорбции атомов цезия и селена на поверхности кремния. Полученные результаты применены к задаче о совместной адсорбции атомов Cs и Se. Показано, что уже малая добавка адатомов цезия к субмонослойной пленке адатомов селена на кремнии резко повышает заряд последних. Этот эффект объясняется взаимным усилением дипольных полей подрешеток адатомов Cs и Se. Все полученные результаты достаточно хорошо согласуются с данными эксперимента. |
Давыдов, С. Ю. Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1161-1164. - Библиогр.: с. 1164 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спонтанная поляризация -- диэлектрическая проницаемость -- метод связывающих орбиталей Харрисона -- Харрисона метод связывающих орбиталей Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр gamma, характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости varepsilonбесконечность для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. |
Давыдов, С. Ю. Об адсорбции атомов натрия на грани (111) германия [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 865-868 : ил. - Библиогр.: с. 867 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- адсорбция атомов натрия -- адсорбционная система -- Na/Si (111) -- натрий -- атомы натрия -- германий -- поверхность германия (111) -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- диполь-дипольные отталкивания -- обменные взаимодействия -- экспериментальные данные Аннотация: В рамках модели Андерсона-Ньюнса с учетом диполь-дипольного отталкивания и обменного взаимодействия проведен расчет изменения работы выхода поверхности (111) германия, вызванного адсорбцией атомов натрия. Полученные результаты хорошо согласуются с данными эксперимента. Предложенная модель не может, однако, адекватно описать адсорбционную систему Na/Si (111). |
Давыдов, С. Ю. Оценки упругих характеристик графенов [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 2041-2042. - Библиогр.: с. 2042 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- атомные связи -- энергия связи атомов -- орбиталии Харрисона -- Харрисона орбитали -- расчеты взаимодейстий атомов Аннотация: В рамках предложенной ранее модели энергии связи атомов углерода в графене, основанной на методе связывающих орбиталей Харрисона, рассчитаны константы центральных и нецентральных сил. На основании полученных результатов сделаны оценки характерных фононных частот и упругих модулей для графеновых материалов. |
Давыдов, С. Ю. Об упругих характеристиках графена и силицена [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 1. - С. 172-174. - Библиогр.: с. 174 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графен -- углеродные системы -- относительные смещения Клеймана -- Клеймана относительные смещения -- силицен Аннотация: В рамках предложенной ранее модели энергии связи атомов углерода в графене получены аналитические выражения для констант центрального k[0] и нецентрального k[1] взаимодействий для 2D- (графен, силицен) и 3D- (алмаз, кремний) структур. Для 2D-структуры определен параметр относительных смещений Клейнмана. Показано, что отношение k[0]/k[1] зависит только от размерности структуры. |
Давыдов, С. Ю. Упругие свойства графена: модель Китинга [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2010. - С. 756-758. - Библиогр.: с. 758 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модель Китинга -- Китинга модель -- графен -- модуль Юнга -- Юнга модуль -- коэффициент Пуассона -- Пуассона коэффициент Аннотация: Модель Китинга применена для описания упругих свойств графена. Показано, что двумерная структура графена описывается двумя независимыми упругими постоянными, как и изотропное твердое тело. Определены модуль Юнга и коэффициент Пуассона. Полученные результаты сопоставлены с экспериментальными данными для графита. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, С. Ю. Энергия замещения атомов в системе эпитаксиальный графен-буферный слой-SiC-подложка [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 821-827. - Библиогр.: с. 827 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): система эпитаксиальный графен-буферный слой-SiC-подложка -- энергия замещения -- энергия связи атома -- атомы -- метод связывающих орбиталей Харрисона -- Харрисона метод связывающих орбиталей Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассмотрена энергия связи атома X (X=B, Al, Ga, In, N, P, As, Sb), замещающего атомы углерода в однолистном графене, буферном слое и на поверхности (0001) SiC-подложки или атом кремния на поверхности SiC-подложки. В рамках простой модели, основанной на атомных радиусах, рассмотрен вклад энергии деформации, вызванный релаксацией примесной связи. Получены выражения для разности энергий замещения атома углерода в буферном слое и однолистном графене и в случае замещения атомов кремния и углерода на поверхности SiC-подложки. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, С. Ю. Задача Александера-Андерсона для двух атомов, адсорбированных на графене [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1619-1622. - Библиогр.: с. 1622 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): задача Александера-Андерсона -- Александера-Андерсона задача -- графен -- плотности состояний атомов -- ферромагнитные димеры -- антиферромагнитные димеры Аннотация: С использованием предложенной ранее модельной плотности состояний графена получены функции Грина для задачи Александера-Андерсона. Рассмотрены как ферромагнитный, так и антиферромагнитный димеры. Показано, что для описания плотности состояний адатома димера может быть использована плотность состояний изолированного адатома с двумя сдвинутыми в противоположных направлениях положениями центра тяжести квазиуровня. Продемонстрировано, что приближенный метод получения функции Грина димера, предложенный нами ранее и состоящий в том, что в качестве затравочной берется функция Грина адатома, а не атома, дает тот же результат, что и подход Александера-Андерсона. В пределе малых энергий даны оценки зависимости косвенного взаимодействия адатомов димера от параметров задачи. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, С. Ю. О диполь-дипольном взаимодействии атомов в слоях, адсорбированных на трехмерных и двумерных полупроводниках [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 8. - С. 1302-1305. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- диполь-дипольное отталкивание -- кристаллография в целом -- переход заряда -- полупроводники Аннотация: Предложены простые модельные схемы учета диполь-дипольного отталкивания адатомов в субмонослоях на полупроводниковых трех- и двумерных подложках. Доп.точки доступа: Зубов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |