Виноградова, Надежда Леонидовна (доктор философских наук, профессор). Формы современного терроризма: социально-философский анализ [Текст] / Н. Л. Виноградова, И. Л. Пашкевич // Вестник Волгоградского государственного университета. Сер. 7, Философия. Социология и социальные технологии. - 2010. - N 2 (12). - С. 164-167. . - Библиогр.: с. 167 (4 назв. )
Рубрики: Социология Социология общества Кл.слова (ненормированные): вооруженные конфликты -- глобализация -- демонстрационный терроризм -- знаковый терроризм -- инструментальная форма терроризма -- классификация терроризма -- контрсубкультурные явления -- насилие -- религиозный терроризм -- СМИ -- современный терроризм -- социально-философский анализ -- средства массовой информации -- статьи -- терроризм -- формы терроризма -- цивилизационный терроризм Аннотация: Проведен анализ терроризма и выявлены его характерные формы, доминирующие на современном этапе. Предложена оригинальная авторская классификация современного терроризма. Рассматриваются выделенные формы терроризма, предлагается социально-философская трактовка каждой из них. Доп.точки доступа: Пашкевич, Игорь Леонидович (кандидат философских наук); Давыдов, В. Н.; Су, Минь; Устьянцев, В. Б.; Шоломова, Т. В.; Бодрийяр, Ж. (1930-2007) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. (доктор педагогических наук). Музей занимательной науки и техники [Текст] / В. Н. Давыдов, В. Ю. Давыдова // Студенчество: Диалоги о воспитании. - 2013. - № 1 (67). - С. 23
Рубрики: Музейное дело. Музееведение Общие вопросы музейного дела Кл.слова (ненормированные): музеи -- научно-технические музеи -- музеи науки -- занимательная наука и техника -- кунсткамеры Аннотация: Одним из эффективных средств формирования массового интереса к науке и технике являются музеи. Доп.точки доступа: Давыдова, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям [Текст] / В. Н. Давыдов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 70-72 : рис. - Библиогр.: c. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия Энергетика Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- пирокоэффициент -- пироэлектрическая поляризация -- пироэлектрический эффект -- поляризационные коэффициенты структур -- пьезоэлектрическая поляризация -- пьезоэлектрический эффект Аннотация: Из рассмотрения зарядовых свойств пары "квантовая яма - барьер", каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффициентов, пьезомодулей). Данное выражение аналитически простое, физически наглядное и позволяет вычислить требуемые коэффициенты для множественных квантовых ям с любым числом пар "квантовая яма - барьер". Приведенные численные оценки параметров множественных квантовых ям для различных соотношений толщин квантовой ямы и барьера согласуются с ожидаемыми из физического рассмотрения значениями. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
539.2 Д 13 Давыдов, В. Н. Поляризационные свойства MQV-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве [Текст] / В. Н. Давыдов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 12. - С. 31-38 : табл. - Библиогр.: c. 38 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): MQV-гетероструктуры -- внутреняя поляризация -- гетероструктура InGaN/GaN -- пироэлектрический эффект -- поляризация -- пьезоэлектрический эффект -- спонтанная поляризация Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования поляризации в светодиодных гетероструктурах InGaN/GaN при нагреве. Установлено, что она создается в результате действия пироэффекта, совместного действия прямого и обратного пьезоэлектрических эффектов с учетом теплового расширения кристалла, упругих свойств, а также упругих деформаций за счет несовпадения постоянных решеток вещества барьера и квантовой ямы. С помощью математического аппарата кристаллофизики рассчитаны все составляющие поляризации, зависящие от температуры кристалла. Численные оценки показали, что наиболее значимыми механизмами поляризации являются пироэффект, а также пьезоэффект, вызванный тепловым расширением кристалла. Предложено компенсировать внутреннюю поляризацию приложением к боковым граням гетероструктуры внешней деформации, создающей пьезополяризацию внутри гетероструктуры равной величины и противоположного направления. |
Давыдов, В. Н. Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами [Текст] / В. Н. Давыдов, Д. А. Новиков // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 102-109 : рис. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): RC-цепи -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- резистивные свойства -- схема замещения -- эквивалентные схемы гетероструктур Аннотация: Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p-n -перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ. Получены аналитические выражения для эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры последовательной схемы замещения, а также проанализировано поведение эквивалентных параметров при изменении частоты тестового сигнала. Результаты экспериментальных исследований емкостных и резистивных свойств гетероструктур с КЯ на основе барьеров InGaN/GaN подтверждают расчетные зависимости их эквивалентных параметров, а также показывают их зависимость от особенностей кинетических свойств гетероструктур. Доп.точки доступа: Новиков, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами [Текст] / В. Н. Давыдов, А. Н. Моргунов // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 127-133 : рис., табл. - Библиогр.: c. 132-133 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- дифференциальное сопротивление -- дифференциальные емкости -- множественные квантовые ямы -- сопротивление квантовой ямы -- эквивалентные схемы гетероструктур -- элементов эквивалентной схемы Аннотация: Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выражения для расчета зависимостей эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры от частоты тестового сигнала и напряжения смещения. Доп.точки доступа: Моргунов, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Метод обобщенного физического свойства в задачах кристаллофизики [Текст] / В. Н. Давыдов, Н. Э. Лугина // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 2. - С. 95-98 : рис., табл. - Библиогр.: c. 98 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Лагранжа множители -- задачи кристаллофизики -- кристаллографические направления -- кристаллофизика -- кристаллы -- метод неопределенных множителей -- множители Лагранжа -- неопределенные множители Лагранжа -- нормальная составляющая тензора -- тензоры -- физика кристаллов -- физические свойства Аннотация: Предлагается метод определения кристаллографических направлений в кристаллах различной точечной симметрии, вдоль которых комбинация физических свойств различных рангов и симметрий Кюри принимает заданное значение. Метод продемонстрирован на комбинации тензоров второго ранга, описывающих оптические и тепловые свойства кристаллов моноклинной сингонии. Показана возможность применения предлагаемого метода для физических свойств высоких рангов. Доп.точки доступа: Лугина, Н. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Дисперсия числа носителей заряда в приближении Лэкса при корпускулярно-полевых воздействиях на полупроводник [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 86-92 : рис. - Библиогр.: c. 91-92 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоаппаратура Кл.слова (ненормированные): Лэкса теорема -- дисперсия числа носителей заряда -- излучатели -- полупроводниковые соединения -- примесно-дефектные состояния -- теорема Лэкса -- фотоприемные устройства -- фоторезисторы Аннотация: В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию состояния полупроводника при фоновой засветке, основанный на "нагреве" полупроводника засветкой, что позволило корректно определить энергию уровня Ферми в широком диапазоне мощностей засветки. Показано, что зависимость дисперсии от напряжения носит монотонно нарастающий характер с насыщением, а засветка смещает эту зависимость в сторону меньших значений напряжения. Сделан вывод о невозможности объяснения минимума шума фоторезистора из n-CdSe при действии засветки и напряжения только предположением о немонотонном распределении концентрации центров перезарядки по запрещенной зоне полупроводника. Доп.точки доступа: Харитонов, С. В.; Лугина, Н. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой [Текст] / В. Н. Давыдов, О. А. Каранкевич // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 2. - С. 19-25 : рис. - Библиогр.: c. 25 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): время эмиссии носителей заряда -- захват носителей заряда -- квантовая яма -- носители заряда квантовой ямой -- слои светодиодной гетероструктуры -- эмиссия электронов Аннотация: Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда происходит в результате их столкновений с фононами объема вещества квантовой ямы и межфазными границами раздела "барьерный слой - квантовая яма". Получены аналитические выражения для времен взаимодействия с учетом глубины залегания уровня размерного квантования, участвующего во взаимодействии с электронами, и ширины ямы. Численные оценки показывают, что в реальных условиях время захвата меньше времени эмиссии, и это различие увеличивается с ростом глубины залегания уровня. При малых глубинах залегания времена захвата и эмиссии сопоставимы. Доп.точки доступа: Каранкевич, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Применение принципа Онзагера к полярно-аксиальным явлениям в кристаллофизике [Текст] / В. Н. Давыдов, О. А. Каранкевич // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 10. - С. 156-164 : табл. - Библиогр.: с. 164 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Онзагера принцип -- аксиальные тензоры -- кристаллофизика -- полярно-аксиальные явления -- полярные тензоры -- принцип Онзагера -- светоизлучающая гетероструктура -- тензоры -- физические свойства кристаллов -- физическое свойство Аннотация: Предложен подход к определению природы тензора любого ранга, описывающего линейную связь между внешним воздействием на кристалл и вызываемым следствием. Показано, что в дополнение к принципу Онзагера полярная природа тензора имеет место, когда воздействие и следствие на кристалл являются по природе аксиальными, а их ранги имеют значения от нулевого до второго, но так, чтобы их сумма равнялась рангу описываемого физического свойства. Получены аналитические выражения, описывающие наблюдение физических свойств кристалла как полярной, так и аксиальной природы при разных рангах и различной природе причины и следствия. Продемонстрировано их применение как для описания уже известных свойств кристаллов и предсказания новых свойств второго и третьего рангов, так и для установления условий их наблюдения. Сделан вывод, что предложенное расширение принципа Онзагера не только увеличивает число охватываемых им явлений, но и предсказывает новые свойства полярной или аксиальной природы - градиентные и дивергенционные свойства, если воздействие на кристалл неоднородно по его объему. Доп.точки доступа: Каранкевич, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Ограничение числа уровней размерного квантования в элементах наноэлектроники [Текст] / В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный, О. А. Каранкевич // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 3. - С. 99-103. - Библиогр.: с. 103 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Бройля длина волны -- длина волны де Бройля -- квантование энергии -- прямоугольная квантовая яма -- треугольная квантовая яма -- уровни размерного квантования -- элементы наноэлектроники Аннотация: Рассматривается выполнение критерия размерного квантования в квантовых ямах различного профиля. Установлено, что существует предельный номер дискретного состояния свободного носителя заряда в яме, выше которого критерий размерного квантования не выполняется. Показано, что в квантовых ямах прямоугольного и треугольного профиля число уровней размерного квантования не может превышать двух-трех уровней. Полученный результат применим как к квантовым ямам, так и к квантовым проволокам и квантовым точкам. Доп.точки доступа: Задорожный, О. Ф.; Каранкевич, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами [Текст] / В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 10. - С. 19-25. - Библиогр.: с. 25 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): влияние примесей -- излучение твердых тел -- люминесценция светодиодных гетероструктур -- межзонная излучательная рекомбинация -- рекомбинирующие частицы -- светоизлучающие полупроводниковые приборы -- скорость излучательной рекомбинации -- функции участия -- эмиссия излучения Аннотация: Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц. Для вычисления числа актов рекомбинации электронно-дырочных пар с учетом различия концентраций рекомбинирующих частиц предложено использовать вычисление обратной суммы обратных величин концентраций с применением функций участия. Показано, что при таком описании числа актов рекомбинации рост концентрации легирующей примеси уменьшает число актов, но оставляет неизменным время излучательной рекомбинации при любом уровне инжекции. Доп.точки доступа: Задорожный, О. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |