Голицына, О. М.
    О релаксации поляризации в кристалле сегнетовой соли [Текст] / О. М. Голицына, С. Н. Дрождин, А. И. Никишина // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1862-1865. - Библиогр.: с. 1864-1865 (14 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
поляризация -- релаксация поляризации -- сегнетовая соль -- фазовые переходы -- энергия активации
Аннотация: Изучено релаксационное поведение доменной структуры кристалла сегнетовой соли при переполяризации постоянным электрическим полем в широком интервале температур (-18 - + 24 градуса Цельсия). Найдены полевая и температурная зависимости времени релаксации. Показано, что различия рассчитанных значений энергии активации вдали и вблизи нижней и верхней точек фазового перехода обусловлены участием в рассматриваемых процессах разных механизмов взаимодействия доменных границ с дефектами.


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.; Никишина, А. И.




    Голицына, О. М.
    Релаксация доменной структуры в кристалле ТГС, стимулированная переменным электрическим полем [Текст] / О. М. Голицына, С. Н. Дрождин // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 320-323. . - Библиогр.: с. 322-323 (20 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
доменные структуры -- процессы релаксации -- переменное электрическое поле -- кристаллы ТГС
Аннотация: Исследованы процессы релаксации доменной структуры в кристалле триглицинсульфата, неравновесное состояние которой создавалось действием переменного электрического поля. Получены распределения энергии активации рассматриваемых процессов и энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами по величине возбуждающего поля.


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Голицына, О. М.
    Диэлектрические свойства пленочных материалов на основе полиэтилентерефталата и поликарбоната с сегнетоэлектрическими включениями [Текст] / О. М. Голицына, С. Н. Дрождин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1503-1506. - Библиогр.: с. 1506 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические свойства -- пленочные материалы -- полиэтилентерефталат -- поликарбонат -- сегнетоэлектрические включения
Аннотация: Изучены диэлектрические свойства пленочных материалов на основе полиэтилентерефталата и поликарбоната с включениями триглицинсульфата (ТГС) и ТГС с примесью L, aльфa-аланина (АТГС). Обнаружено повышение температуры фазового перехода в исследуемых материалах по сравнению с объемными ТГС и АТГС.


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Голицына, О. М.
    Спонтанная эволюция доменной структуры и диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата и сегнетовой соли [Текст] / О. М. Голицына, С. Н. Дрождин // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 9. - С. 1189-1192. - Библиогр.: c. 1192 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая релаксация -- кристаллы сегнетовой соли -- кристаллы триглицинсульфата -- отжиг -- примесные дефекты -- радиационные дефекты
Аннотация: Кратковременный отжиг в параэлектрической фазе вызывает в сегнетоэлектрической фазе кристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли экспоненциальное уменьшение диэлектрической проницаемости, связанное со спонтанным укрупнением неравновесной доменной структуры этих кристаллов. Введение в кристалл ТГС радиационных или примесных дефектов ускоряет процессы диэлектрической релаксации с их локализацией только вблизи Т[С].


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)