Гатиятов, Р. Г. Магнитосопротивление электрохимически изготовленных никелевых наноконтактов с квантованной проводимостью [Текст] / Р. Г. Гатиятов, С. А. Зиганшина, А. А. Бухараев // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 6. - С. 470-474
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): магнитосопротивление -- никелевые наноконтакты -- наноконтакты -- квантованная проводимость Аннотация: С использованием электрохимического метода формирования контактов атомарных размеров были получены наноконтакты никеля с квантованной проводимостью. В большинстве экспериментов величина скачков проводимости в отсутствие магнитного поля была кратна e\{2\}/h. Максимальная величина магнитосопротивления достигала 210%. Проведенные вольт-амперометрические исследования позволили подобрать необходимые условия для формирования наноконтактов с гигантским магнитосопротивлением, а также выявить возможную причину отсутствия магнитосопротивления в некоторых электрохимически сформированных наноконтактах. Доп.точки доступа: Зиганшина, С. А.; Бухараев, А. А. |
Гатиятов, Р. Г. Баллистический и диффузный режимы транспорта электронов в наноконтактах магнетиков [Текст] / Р. Г. Гатиятов, В. Н. Лисин, А. А. Бухараев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 461-463
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): наноконтакты -- диффузный режим -- баллистический режим -- магнетики -- приконтактная область -- критические температуры -- магнитные фазовые переходы -- фазовые переходы -- транспортная длина -- электронный транспорт Аннотация: Экспериментально наблюдался переход от баллистического режима транспорта электронов к диффузному при изучении магнитного фазового перехода в наноконтактах Ni различных размеров. Показано, что величина напряжения U[C], необходимая для джоулева нагрева приконтактной области до критической температуры, не зависит от размера контакта только в диффузном режиме. Продемонстрирована важность учета уменьшения транспортной длины свободного пробега электронов вследствие нагрева приконтактной области при определении режима электронного транспорта в наноконтактах. Доп.точки доступа: Лисин, В. Н.; Бухараев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |