Фазовые переходы в пленках a-Si: H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов [Текст] / В. А. Володин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 2. - С. 128-131
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): пленки аморфного кремния на стекле -- кремний -- фазовые переходы -- фемтосекундные импульсы -- лазерные импульсы -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- электронная микроскопия Аннотация: Кристаллизация пленок аморфного кремния толщиной 90 нм на стекле при воздействии лазерных импульсов (длина волны 800 нм, длительность импульса 120 фс) исследовалась с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Коэффициент поглощения света с длиной волны 800 нм пленкой a-Si: H пробного маломощного излучения мал, но может вырасти вследствие нелинейных эффектов при мощном импульсе. Согласно оценкам, поглощенной в пленке энергии недостаточно для ее нагрева и полного расплава, но достаточно для генерации свободных носителей заряда с концентрацией порядка 10\{22\} см\{-3\}. Электронная и фононная температуры в этом случае сильно различаются, а кремний становится нестабильным. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Ефремов, М. Д.; Качурин, Г. А.; Черков, А. Г.; Deutschmann, M.; Baersch, N. |
Володин, В. А. Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100) [Текст] / В. А. Володин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 483-485
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фонон-плазмонные моды -- сверхрешетки -- комбинационное рассеяние света -- анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод -- анизотропия эффективной массы электронов Аннотация: С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были исследованы легированные (n-типа) GaAs/AlAs сверхрешетки (СР) с толщинами слоев GaAs от 1. 7 до 6. 8 ангстрем, толщина слоев AlAs составляла 13. 6 ангстрем. Применение микроприставки для исследования КРС позволило наблюдать при обратном рассеянии моды с волновым вектором как поперек слоев СР, так и вдоль слоев СР (при рассеянии с "торца" СР). Экспериментально обнаружена предсказанная ранее теоретически анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная анизотропией эффективной массы электронов в СР второго типа. |
Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiH[x] : H, содержащих нанокластеры кремния [Текст] / Т. Т. Корчагина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1557-1563 : ил. - Библиогр.: с. 1563 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- SiN[x] : H -- стехиометрия -- плазмохимические осаждения -- низкочастотные плазмохимические осаждения -- кластеры -- нанокластеры -- кремний -- оптические свойства -- структура -- эллипсометрия -- аммиак -- моносилан -- спектроскопия -- комбинационное рассеяние света -- инфракрасные поглощения -- ИК-поглощения -- фотолюминесценция -- ФЛ -- подложки -- температура Аннотация: Пленки SiN[x] : H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380oC. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0. 5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiN[x]: H (x<4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область. Доп.точки доступа: Корчагина, Т. Т.; Марин, Д. В.; Володин, В. А.; Попов, А. А.; Vergnat, M. |
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO[2] и Si [Текст] / С. Н. Шамин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 550-555 : ил. - Библиогр.: с. 555 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновская спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- композитные структуры -- Si/SiO[2] -- напыление -- подложки -- кремниевые подложки -- рентгеновские эмиссионные спектры -- инфракрасные спектры -- оксид кремния -- SiO[2] -- нанокристаллы -- кремний Аннотация: Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO[2], полученная напылением из источников Si и SiO[2] на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO[2] до Si. Рентгеновские эмиссионные L[2, 3]-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний a-Si и оксид кремния SiO[2]. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO[2] вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром. Доп.точки доступа: Шамин, С. Н.; Галахов, В. Р.; Аксенова, В. И.; Карпов, А. Н.; Шварц, Н. Л.; Яновицкая, З. Ш.; Володин, В. А.; Антонова, И. В.; Ежевская, Т. Б.; Jedrzejewski, J.; Savir, E.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Корчагина, Т. Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN[x]: H с применением фемтосекундных импульсных отжигов [Текст] / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, B. N. Chichkov // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1660-1665. : ил. - Библиогр.: с. 1665 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование нанокластеров -- нанокластеры -- кристаллизация нанокластеров -- кремний в пленках -- пленки -- фемтосекундные импульсы -- импульсные отжиги -- подложки из стекла -- стекло -- плазмо-химические методы -- лазерные отжиги -- титан-сапфировые лазеры -- структурные изменения -- спектроскопия света -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- молярные доли -- аморфный кремний -- импульсная кристаллизация -- импульсная обработка Аннотация: Пленки SiN[x]: H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380{o}C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния ~1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния (x > 1. 25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1-2 нм. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Chichkov, B. N. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Володин, В. А. Анизотропия фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (311) [Текст] / В. А. Володин // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 377-379. . - Библиогр.: с. 379 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- фонон-плазмонные моды -- моды -- комбинационное рассеяние света -- латеральная анизотропия Аннотация: Легированные сверхрешетки (СР) GaAs/AlAs, выращенные на поверхностях (311) A и (311) B, были исследованы с применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). При обратном рассеянии с " торца" СР (с применением микроприставки для исследования КРС) удалось обнаружить фононные и фонон-плазмонные моды с различными направлениями волновых векторов в плоскости СР (т. е. распространяющиеся в различных латеральных направлениях). Впервые экспериментально обнаружена латеральная анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная структурной анизотропией в СР, выращенной на фасетированной поверхности (311) A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Опыт осаждения углеродных покрытий газоструйным методом [Текст] / В. А. Володин [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2012. - Т. 85, № 1. - С. 93-101 : 4 рис. - Библиогр.: с. 101 (11 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): газоструйное осаждение -- термические активаторы -- углеродные пленки -- спектры комбинационного рассеяния света Аннотация: Экспериментально исследовано газоструйное осаждение углеродных и алмазоподобных пленок на подложку при активации газа-предшественника горячей проволочной сеткой. Испытано несколько конструкций проволочного активатора для осаждения пленок из газовой смеси CH4, H2, Ar. Углеродная структура полученных пленок определена по спектрам комбинационного рассеяния cвета. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Емельянов, А. А.; Ребров, А. К.; Тимошенко, Н. И.; Юдин, И. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Леушин, И. О. Перспективы применения чугунных деталей с дифференцированной структурой литья на примере стеклоформующей оснастки [Текст] / И. О. Леушин, Д. Г. Чистяков, В. А. Володин // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Технические науки. - 2015. - № 2 (46). - С. 159-165. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru . - ISSN 1991-8542
Рубрики: Машиностроение Литейное производство Кл.слова (ненормированные): графиты -- дифференцированные структуры -- литье -- отливки -- стеклоформы -- структурно-свободные цементиты -- цементиты -- чугуны -- эксплуатационная стойкость деталей Аннотация: Рассмотрены материалы, применяемые для изготовления деталей стеклоформующей оснастки. Представлена дифференцированная структура чугуна, позволяющая повысить эксплуатационную стойкость деталей стеклоформ. Описана технологическая цепочка изготовления данных деталей на производстве. Обозначены преимущества применения гетерогенной (по сечению заготовки) и дифференцированной по структурно-свободному цементиту и форме графита структуры для деталей машиностроения. Доп.точки доступа: Чистяков, Д. Г.; Володин, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |