Брудный, В. Н. Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs[2]), облученного ионами H\{+\} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 433-435
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- облученный материал -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- химические примеси -- кристаллические решетки Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs[2], облученного ионами H\{+\} (энергия E=5 МэВ, доза D=2x10\{16\} см\{-2\}). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
Брудный, В. Н. Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности. |
Брудный, В. Н. Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность [Текст] / В. Н. Брудный> // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 27-29 : табл. - Библиогр.: c. 29 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- дефекты полупроводников -- зарядовая нейтральность -- поверхность полупроводников -- полупроводники -- уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства Аннотация: Представлены обобщающие данные экспериментальных и теоретических исследований зарядовой нейтральности в полупроводниковых материалах. Показано, что уровень зарядовой нейтральности (charge neutrality level) определяет электронные свойства объема полупроводника, насыщенного собственными дефектами решетки, электронное состояние поверхности полупроводника, а также, в значительной степени, высоту барьера металл/полупроводник и разрывы энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов [Текст] / В. Н. Брудный> // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 37-39 : табл. - Библиогр.: c. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): AlAs -- AlP -- GaAs -- GaP -- InP -- лазерные структуры -- радиационная деградация -- радиационные дефекты -- светодиодные гетероструктуры -- светодиодные структуры -- светодиоды -- свойства полупроводников -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Представлены данные экспериментальных и теоретических исследований электронных, оптических и рекомбинационных свойств AlP, InP, GaP, AlAs, GaAs и их твердых растворов, подвергнутых воздействию жесткой радиации. Проанализировано влияние жесткой радиации на свойства лазерных и светодиодных структур на основе этих материалов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs [Текст] / А. А. Мармалюк [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 40-43 : рис. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Электрическое освещение. Светотехника Кл.слова (ненормированные): алюминий-галлий-индий-фосфор -- квантовая яма -- красная область спектра -- красные светодиоды -- металлорганическая эпитаксия -- светодиодные структуры -- светодиоды AlGaInP -- спектры электролюминесценции "красных" светодиодов Аннотация: Представлены результаты исследований спектров электролюминесценции «красных» светодиодных структур AlGalnP/GaAs, выращенных с использованием технологии МОСГФЭ. Выявлена высокая однородность состава твердого раствора в квантовых ямах GaInP исследованных структур. Доп.точки доступа: Мармалюк, А. А.; Горлачук, П. В.; Рябоштан, Ю. Л.; Брудный, В. Н.; Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Леликов, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xGa_(1-х))_0.5In_0.5P/(Al_0.54Ga_0.46 )_0.5In_0.5P [Текст] / И. А. Прудаев [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 48-51 : рис. - Библиогр.: c. 51 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- диффузионный перенос заряда -- квантовые ямы -- множественные квантовые ямы -- мощность излучения светодиодов -- перенос зарядов -- светодиоды Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xGa_ (1-х) ) _0. 5In_0. 5P/ (Al_0. 54Ga_0. 46 ) _0. 5In_0. 5P. Эксперимент показал, что увеличение числа квантовых ям и уменьшение содержания Al в твердом растворе (Al_xGa_ (1-х) приводят к росту прямого тока при фиксированном напряжении. Согласно проведенному анализу, интерпретация полученного результата возможна при использовании теории диффузионного переноса заряда в двойной гетероструктуре с узкозонным слоем, толщина которого многократно превышает толщину одной квантовой ямы. Предложенный подход учитывает перенос носителей в активной области с множественными квантовыми ямами за счет их туннелирования через барьеры. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Олейник, В. Л.; Романов, И. С.; Брудный, В. Н.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al_2O_3 на их оптические характеристики [Текст] / И. С. Романов [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 110-113 : рис., табл. - Библиогр.: c. 113 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Физическая оптика Физика Кл.слова (ненормированные): барьерные слои GaN -- квантовая эффективность -- напряженность электрического поля -- оптические характеристики -- светодиодные гетероструктуры -- фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты численного и экспериментального исследования напряженности электрического поля, длины волны фотолюминесценции и внутренней квантовой эффективности светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN синего свечения с множественными квантовыми ямами InGaN и с толщиной барьерных слоев GaN 3, 10 и 15 нм. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN приводит к коротковолновому сдвигу длины волны излучения светодиодных структур и росту внутренней квантовой эффективности структуры в области высокой плотности мощности накачки. Доп.точки доступа: Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Брудный, В. Н.; Копьев, В. В.; Новиков, В. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела [Текст] / В. Н. Брудный> // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 121-126 : рис., табл. - Библиогр.: c. 125-126 (51 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Энергетика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьер-металлы -- зарядовая нейтральность -- нитрид галлия -- полупроводниковые материалы -- энергетические спектры Аннотация: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN (0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN (Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи E_v + 2. 5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки [Текст] / И. А. Прудаев [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 19-22 : рис., табл. - Библиогр.: c. 22 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Магнитные материалы и изделия Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): внутренний квантовый выход -- квантовые ямы -- короткопериодные сверхрешетки -- нитрид галлия/индия -- светодиодные гетероструктуры -- светодиоды -- светодиоды синего диапазона волн -- фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ям In[y]Ga[1-y]N/GaN с короткопериодными сверхрешетками In[y]Ga[1-y]N/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки In[y]Ga[1-y]N/GaN со стороны n -области светодиодной гетероструктуры In[x]Ga[1-x]N/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Копьев, В. В.; Брудный, В. Н.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Bn, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование [Текст] / В. Н. Брудный> // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 12. - С. 178-181 : табл. - Библиогр.: c. 181 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): AlN -- Bn -- GaN -- InN -- дефектные полупроводники -- зарядовая нейтральность -- легирование химическими примесями -- металл/III-N -- полупроводниковые соединения -- собственный уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства Аннотация: Анализ экспериментальных и расчетных данных, выполненный на основе концепции зарядовой нейтральности, позволяет численно оценить электронные свойства сильно дефектных полупроводников, высоту барьера для структур металл/III-N и разрывы зон в гетеропарах на основе нитридных соединений, а также поверхностную работу выхода и пределы уровня легирования данных соединений изоморфными примесями. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Романов, И. С. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C [Текст] / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный> // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 1. - С. 164-166 : рис. - Библиогр.: c. 166 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диффузия магния -- квантовые ямы -- магний -- нитриды галлия -- нитриды индия -- пирометр -- светодиодные структуры -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p-GaN. Произведена оценка коэффициента диффузии для реальных температур роста 860, 910 и 980°С, значения составили 7. 5•10{-17}, 2. 8•10{-16} и 1. 2•10{-15} см{2}/с соответственно. Приведенные в работе значения температуры измерялись на поверхности растущего слоя in situ с помощью пирометра. Вычисленная энергия активации для температурной зависимости коэффициента диффузии составила 2. 8 эВ. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Брудный, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Физические свойства твёрдых растворов IN[X]AL[1-X]N [Текст] / В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский> // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 6. - С. 142-147 : рис., табл. - Библиогр.: с. 146-147 (32 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Термодинамика и статистическая физика Кл.слова (ненормированные): газофазовая эпитаксия -- магнетронное напыление -- методы получения -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- свойства твёрдых растворов -- твердые растворы нитридных соединений -- твердые растворы полупроводниковых соединений -- фазовые диаграммы -- электрофизика Аннотация: Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-технологий и предназначенных для производства сверхвысокочастотных HEMT-транзисторов. Доп.точки доступа: Вилисова, М. Д.; Великовский, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N [Текст] / В. Н. Брудный [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 73-78 : рис., табл. - Библиогр.: с. 77-78 (53 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): HTMТ-транзисторы -- металлизация -- многослойная металлизация -- невыпрямляющие контакты -- нитрид галлия -- обработка поверхности -- омические контакты -- твердые растворы AlInGaN -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga) N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Вилисова, М. Д.; Великовский, Л. Э.; Сим, П. Е.; Брудный, П. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности радиационных изменений электрических свойств InAlN/GaN HEMT [Текст] / Афонин А. Г., Брудный В. Н., Брудный П. А., Великовский Л. Э.> // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 106-112. - Библиогр.: с. 112 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): InAlN/GaN-транзистор -- высокоэнергетическая радиация -- нитрид галлия -- облучение гамма-лучами -- облучение протонами -- облучение электронами -- радиационная стойкость -- радиационные ловушки -- уровень зарядовой нейтральности -- электрические свойства InAlN/GaN HEMT Аннотация: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев. Доп.точки доступа: Афонин, А. Г.; Брудный, В. Н.; Брудный, П. А.; Великовский, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |