Антонова, И. В. Лингвостилистические особенности каламбура в художественном тексте [Текст] / И. В. Антонова // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 29 (Филология). - С. 17-20. - Библиогр.: с. 20 (7 назв. )
Рубрики: Языкознание Общее языкознание Кл.слова (ненормированные): каламбуры -- художественные тексты -- лингвостилистика -- вербальный контекст Аннотация: Каламбур как один из приемов реализации противоречия. Причины уникальности каламбуров по форме и содержанию. |
Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO[2]: структурные, оптические, электронные свойства [Текст] / И. В. Антонова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 501-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- нк-Si -- облучение -- ионы -- тяжелые ионы -- квантовые точки -- КТ -- электрическая проводимость -- вольт-фарадные характеристики -- структурные свойства -- оптические свойства -- электронные свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO[2], содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами. Доп.точки доступа: Антонова, И. В.; Скуратов, В. А.; Jedrzejewski, J.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO[2] и Si [Текст] / С. Н. Шамин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 550-555 : ил. - Библиогр.: с. 555 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновская спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- композитные структуры -- Si/SiO[2] -- напыление -- подложки -- кремниевые подложки -- рентгеновские эмиссионные спектры -- инфракрасные спектры -- оксид кремния -- SiO[2] -- нанокристаллы -- кремний Аннотация: Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO[2], полученная напылением из источников Si и SiO[2] на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO[2] до Si. Рентгеновские эмиссионные L[2, 3]-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний a-Si и оксид кремния SiO[2]. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO[2] вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром. Доп.точки доступа: Шамин, С. Н.; Галахов, В. Р.; Аксенова, В. И.; Карпов, А. Н.; Шварц, Н. Л.; Яновицкая, З. Ш.; Володин, В. А.; Антонова, И. В.; Ежевская, Т. Б.; Jedrzejewski, J.; Savir, E.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антонова, И. В. Роль экзогенных факторов в формировании врожденных пороков развития [Текст] / И. В. Антонова, Е. В. Богачева, Ю. Ю. Китаева // Экология человека. - 2010. - N 6. - С. 30-35. . - Библиогр.: с. 34-35 (47 назв. )
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки Педиатрия--Россия Кл.слова (ненормированные): врожденные пороки развития -- тератогены -- факторы риска -- беременность -- эмбрион -- экзогенные факторы Аннотация: Статья посвящена проблеме формирования врожденных пороков развития в результате воздействия на организм беременной и эмбрион современного комплекса экзогенных факторов окружающей среды. Доп.точки доступа: Богачева, Е. В.; Китаева, Ю. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антонова, И. В. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках [Текст] / И. В. Антонова // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, № 10. - С. 1115-1122 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1122 (44 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание графена -- графен -- кремниевые пластины -- медные подложки -- монокристаллические домены -- осаждение паров Аннотация: Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса пленки графена на диэлектрическую подложку. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антонова, И. В. (кандидат медицинских наук; доцент). Актуализация преподавания здравоохранительных дисциплин в современном вузе (на примере метода самотестирования) [Текст] / И. В. Антонова // Образование и общество. - 2015. - № 1 (90). - С. 43-45. - Библиогр. в конце ст. (4 назв.) . - ISSN 2071-6710
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки Социальная гигиена и организация здравоохранения в целом в России и СССР Кл.слова (ненормированные): здоровье молодежи -- здравоохранительные дисциплины -- молодежь -- самообследование здоровья -- самотестирование -- состояние здоровья молодежи -- статистические данные -- студенты Аннотация: Рассматривается инновационная форма преподавания здравоохранительных дисциплин с использованием метода самотестирования здоровья студентов, что способствует более качественному усвоению студентами учебного материала, а также формированию у молодежи установок на здоровый образ жизни. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антонова, И. В. Применение материалов на основе графена в 2D печатных технологиях [Текст] / И. В. Антонова // Успехи физических наук. - 2017. - Т. 187, № 2. - С. 220-234 : 12 рис. - Библиогр.: с. 233-234 (109 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монослойные материалы -- графен -- получение графена -- суспензии графена -- оксид графена -- фторированный графен -- модифицированный графен -- графеновые чернила -- печатные технологии -- 2D печатные технологии -- печатная электроника -- напечатанные слои -- свойства напечатанных слоев -- приборные структуры Аннотация: Проанализированы основные работы по использованию графена и других монослойных материалов для 2D печатных технологий создания приборов и устройств современной электроники и фотоники. Рассмотрены различные методы получения суспензий, свойства напечатанных слоев, примеры и параметры конкретных напечатанных устройств, а также главные тенденции развития данного направления. Особо отмечена смена концепции получения суспензий графена, в результате которой вместо органических жидкостей для расслоения графита и создания жидкой композиции чернил стали использовать растворы на водной основе. Проанализирована тенденция использования чернил со все более и более высокой концентрацией графена, что позволяет получать напечатанные слои с высокой проводимостью. Рассмотрено также расширение спектра используемых материалов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |