Алексеев, П. С.
    Нелинейные спиральные волны в галактическом диске [Текст] / П. С. Алексеев, А. А. Даниленко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 5. - С. 259-263
УДК
ББК 22.63
Рубрики: Астрономия
   Астрофизика

Кл.слова (ненормированные):
галактические диски -- спиральные галактики -- нелинейные спиральные волны
Аннотация: Найдено аналитическое решение уравнений нелинейной динамики галактического диска, описывающее спиральный узор спиральных галактик. Объясняются логарифмическая форма спирального узора, а также относительно б'{о}льшая величина флуктуации плотности по сравнению с флуктуациями поля скоростей. При некотором критическом значении амплитуды найденного решения происходит его опрокидывание. Это может служить одним из механизмов возникновения галактических ударных волн и узких областей звездообразования.


Доп.точки доступа:
Даниленко, А. А.




    Алексеев, П. С.
    Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости \ A[3]B[5]-полупроводников в сильном магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 111-115
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
зона проводимости -- полупроводники -- слагаемое Дрессельхауза -- Дрессельхауза слагаемое -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- анизотропия зоны проводимости -- ультраквантовое магнитное поле -- расщепление линий
Аннотация: Изучены поправки от кубического по волновому вектору K\{3\}-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A[3]B[5]-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K\{4\}-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A[3]B[5]-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии.





    Кипа, М. С.
    Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии [Текст] / М. С. Кипа, П. С. Алексеев, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 210-217 : ил. - Библиогр.: с. 216 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- подзоны квантовых ям -- двумерные электроны -- кинетика -- акустические фононы -- оптические фононы -- электрические поля -- интерфейсы -- рассеяние -- резонансное рассеяние -- резонансные состояния -- модель Брейта-Вигнера -- Брейта-Вигнера модель -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- метод случайных блужданий -- функция распределения -- стримминговый режим -- электроны
Аннотация: Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта-Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода "случайных блужданий" Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки.


Доп.точки доступа:
Алексеев, П. С.; Яссиевич, И. Н.




   
    Особенности магнетосопротивления монослойного графена при рассеянии на короткодействующем потенциале [Текст] / Г. Ю. Васильева [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 7. - С. 519-522
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
монослойный графен -- графен -- магнетосопротивление -- точка Дирака -- Дирака точка
Аннотация: Проведены измерения магнетосопротивления монослойного графена, расположенного на подложке Si/SiO[2], при температурах 2. 5-150 К. Обнаружено, что в области достаточно высоких температур вдали от точки Дирака сопротивление зависит от магнитного поля как квадратный корень, что согласуется с недавним теоретическим расчетом магнетосопротивления в случае рассеяния носителей на дефектах с короткодействующим потенциалом.


Доп.точки доступа:
Васильева, Г. Ю.; Алексеев, П. С.; Иванов, Ю. Л.; Васильев, Ю. Б.; Смирнов, Д.; Шмидт, Х.; Хауг, Р. Ж.; Гойдер, Ф.; Начтвей, Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)