Банишев, А. Ф. Формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения с микроструктурированным распределением интенсивности [Текст] / А. Ф. Банишев, А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои -- кремний -- алюминий -- приповерхностные слои кремния -- лазерные излучения -- полупроводники -- дислокации -- лазерно-стимулированные диффузии -- лазерно-стимулированные диффузии алюминия -- монокристаллический кремний Аннотация: Исследованы процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Доп.точки доступа: Павлов, А. М. |
Структурно-фазовое состояние системы Ti-Si, обработанной компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 32-36 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): плазменные потоки -- компрессионные плазменные потоки -- приповерхностные слои -- фазовые превращения -- легированные слои -- дендриты -- титановые покрытия -- кремниевые подложки -- силициды титана Аннотация: Исследованы особенности структурных изменений и закономерности фазовых превращений в приповерхностных слоях системы "титановое покрытие-кремниевая подложка" после обработки компрессионными плазменными потоками. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Квасов, Н. Т.; Петухов, Ю. А.; Асташинский, В. М.; Кузьмицкий, А. М. |
Володин, В. А. Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100) [Текст] / В. А. Володин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 483-485
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фонон-плазмонные моды -- сверхрешетки -- комбинационное рассеяние света -- анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод -- анизотропия эффективной массы электронов Аннотация: С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были исследованы легированные (n-типа) GaAs/AlAs сверхрешетки (СР) с толщинами слоев GaAs от 1. 7 до 6. 8 ангстрем, толщина слоев AlAs составляла 13. 6 ангстрем. Применение микроприставки для исследования КРС позволило наблюдать при обратном рассеянии моды с волновым вектором как поперек слоев СР, так и вдоль слоев СР (при рассеянии с "торца" СР). Экспериментально обнаружена предсказанная ранее теоретически анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная анизотропией эффективной массы электронов в СР второго типа. |
Самхарадзе, Т. Г. Изучение аспектов поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 4. - С. 24-26
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- компьютерное моделирование -- твердые растворы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик излучающих диодов. Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость напряженности поля от содержания атомов In и количества кванто-размерных ям. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И. |
Двухфотонные корреляции люминесценции в условиях бозе-конденсации диполярных экситонов [Текст] / А. В. Горбунов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 156-162
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диполярные экситоны -- бозе-эйнштейновская конденсация -- парные фотонные корреляции -- шоттки-диод -- латеральная ловушка -- экситонный конденсат -- группировка фотонов Аннотация: Исследованы корреляции интенсивности люминесценции (коррелятор 2-го порядка g\{ (2) \} (тау), где тау - время задержки между регистрируемыми попарно фотонами) в условиях бозе-эйнштейновской конденсации диполярных экситонов в интервале температур 0. 45-4. 2 К. Фотовозбужденные диполярные экситоны накапливались в латеральной ловушке в GaAs/AlGaAs шоттки-диоде с одиночной широкой (25 нм) квантовой ямой при электрическом смещении, приложенном между гетерослоями. Измерения парных фотонных корреляций проводились с использованием двулучевого интерферометра интенсивностей с временным разрешением ~0. 4 нс по известной классической схеме Хэнбери Брауна-Твисса. В окрестности порога бозе-конденсации, который устанавливался по вырастанию в спектре люминесценции узкой линии экситонного конденсата при увеличении оптической накачки (ширина линии вблизи порога меньше примерно 200 мкВ), обнаружена группировка фотонов. Доп.точки доступа: Горбунов, А. В.; Тимофеев, В. Б.; Демин, Д. А.; Дремин, А. А. |
Алексеев, П. С. Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости \ A[3]B[5]-полупроводников в сильном магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 111-115
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): зона проводимости -- полупроводники -- слагаемое Дрессельхауза -- Дрессельхауза слагаемое -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- анизотропия зоны проводимости -- ультраквантовое магнитное поле -- расщепление линий Аннотация: Изучены поправки от кубического по волновому вектору K\{3\}-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A[3]B[5]-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K\{4\}-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A[3]B[5]-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии. |
Разбавленные магнитные полупроводники на основе халькопиритов A\{II\}B\{IV\}C\{V\}[2] допированные Mn [Текст] / С. Ф. Маренкин [и др. ] // Инженерная физика. - 2009. - N 7. - С. 27-36
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спинтроника -- полупроводники -- магнитные полупроводники -- магнетики -- халькопириты Аннотация: Рассмотрены модели возникновения ферромагнетизма в магнитных полупроводниках с малым содержанием магнитной смеси. Приведены результаты расчетов электронного строения и экспериментальные данные по физико-химическим свойствам халькопиритов A\{II\}B\{IV\}C\{V\}[2], допированных Mn. Доп.точки доступа: Маренкин, С. Ф.; Яржемский, В. Г.; Муравьев, Э. Н.; Федорченко, И. В.; Кочура, А. В. |
Мамчуев, М. О. О возможной связи между оптическим пробоем и металлизацией предельно чистых прозрачных диэлектриков [Текст] / М. О. Мамчуев // Инженерная физика. - 2009. - N 7. - С. 8-12
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- запрещенная зона -- лазерное разрушение -- разрушение широкозонных диэлектриков -- оптический пробой -- щелочно-галоидный кристалл -- метод функционала плотности Аннотация: Показано, что металлизация диэлектрика в области его взаимодействия с лазерным излучением является обоснованным механизмом лазерного разрушения широкозонных диэлектриков. Расчеты радиационного давления, создаваемого мощным лазерным излучением, и давления внешнего всестороннего сжатия, при котором происходит "схлопывание" запрещенной зоны диэлектрика, вычисленного на основе самосогласованной электронно-статистической теории ионных кристаллов, показали, что эти давления совпадают по порядку величины. |
Mantsevich, V. N. Spatial distribution of local density of states in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 12. - С. 713-717
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- электронные поверхностные состояния -- непрерывный спектр состояний -- кристаллическая решетка Доп.точки доступа: Maslova, N. S. |
Восстановление металлического состояния и квантовых осцилляций в диэлектрической соли семейства (ET) [8][Hg[4]X[12] (C[6]H[5]Y) [2]] при X=Y=Br под давлением [Текст] / Р. Б. Любовский [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 11. - С. 685-687
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): квази-двумерный органический проводник -- фазовый переход металл-диэлектрик -- квантовые осцилляции Шубникова-де Гааза -- Шубникова-де Гааза квантовые осцилляции -- диэлектрические соли Аннотация: Квази-двумерный органический проводник (ET) [8][Hg[4]Br[12] (C[6]H[5]Br) [2]] (ET - бис (этилендито) тетратиафульвален) имеет фазовый переход металл - диэлектрик при T~170 К. Показано, что давление в 8 кбар подавляет этот переход и сохраняет металлическое состояние до гелиевых температур. В магнитном поле до 15 Тл наблюдались квантовые осцилляции Шубникова-де Гааза с единственной частотой F=215 T. Проведено сравнение свойств этой соли со свойствами соли этого же семейства состава (ET) [8][Hg[4]Cl[12] (C[6]H[5]Cl) [2]]. Отмечена важность временного отжига на проводящие свойства изучаемой соли. Доп.точки доступа: Любовский, Р. Б.; Песоцкий, С. И.; Любовская, Р. Н.; Жиляева, Е. И.; Богданова, О. А. |
Лысаков, В. С. К оценке ширины зоны проводимости в альфа-кварце [Текст] / В. С. Лысаков // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2009. - N 2, февраль. - С. 151-153. - Библиогр.: с. 153 (12 назв. ) . - ISSN 1814-6457
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кварцы -- проводимость -- ионизация -- кристаллы -- электроны -- ионность кварца Аннотация: В низкотемпературном кварце проведена оценка величины зоны проводимости. |
Самохвалов, Михаил Константинович. Вольт-яркостные характеристики люминесцентных пленок ZnS: Mn [Текст] / М. К. Самохвалов, М. О. Тахтенкова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 5. - С. 3-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- люминофор -- тонкопленочная электролюминесцентная структура -- индикаторные устройства -- оптические характеристики -- электрические характеристики Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики, зависимость светоотдачи от напряжения и спектры фотолюминесценции люминесцентных пленок ZnS: Mn, полученных термическим и электронно-лучевым испарением. Доп.точки доступа: Тахтенкова, Марина Олеговна |
Шадов, Мухамед Барасбиевич. Особенность реализации метода затухания фотопроводимости при измерении рекомбинационных параметров полупроводника [Текст] / М. Б. Шадов // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 1. - С. 75-79 : рис. - Библиогр.: с. 79 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Радиоэлектроника Общая радиотехника Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- электронейтральность -- уравнения -- процесс затухания Аннотация: Проведен расчет зависимости концентрации избыточных носителей заряда от времени в процессе затухания фотопроводимости. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Юров, В. М. Поверхностное натяжение наночастиц [Текст] / В. М. Юров, С. А. Гученко, Н. Х. Ибраев // Вестник развития науки и образования. - 2009. - N 5. - С. 13-15. - Библиогр.: с. 15 . - ISSN 1991-9484
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- наноматериалы -- плавление наночастиц -- поверхностные натяжения -- нанокристаллическое состояние материалов -- поверхностные состояния диэлектриков Аннотация: Прикладной интерес к наноматериалам обусловлен возможностью модификации и изменением свойств материалов при преходе их к нанокристаллическому состоянию. Доп.точки доступа: Гученко, С. А.; Ибраев, Н. Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Mantsevich, V. N. Spatial effects of Fano resonance in local tunneling conductivity in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 3. - С. 150-153
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): резонанс Фано -- Фано резонанс -- поверхность полупроводника -- туннельная проводимость -- резонансное туннелирование Доп.точки доступа: Maslova, N. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 102-105
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пороговое образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда полупроводникового полимера [Текст] / О. Д. Паращук [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 7. - С. 379-384
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые полимеры -- сопряженные полимеры -- низкомолекулярные акцепторы -- органические акцепторы -- электронные состояния -- основные состояния -- кинематические модели -- межмолекулярные комплексы Аннотация: Обнаружено, что образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда (Charge Transfer Complex - CTC) в основном электронном состоянии между модельным сопряженным полимером (поли[2-метокси-5- (2'-этил-гек-си-локси) -1, 4-фениленвениленом], MEH-PPV) и низкомолекулярным органическим акцептором (2, 4, 7-тринитрофлуореноном, TNF) происходит скачкообразно при увеличении концентрации акцептора в смеси, что наблюдалось по оптическим спектрам поглощения растворов. Пороговый характер зависимости поглощения CTC приписан скачкообразному изменению концентрации CTC, которое не объясняется стандартной моделью, описывающей оптические характеристики межмолекулярных CTC. Доп.точки доступа: Паращук, О. Д.; Сосорев, А. Ю.; Бруевич, В. В.; Паращук, Д. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хачатурова, Т. А. Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков [Текст] / Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 442-445
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спиновая фильтрация -- спиновые фильтры -- туннельные переходы -- двойные туннельные переходы -- двухзонные модели -- магнитные диэлектрики -- края валентной зоны -- валентные зоны -- изоляторы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Белоголовский, М. А.; Хачатуров, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Старков, А. С. Учет тепловых явлений в модели Ландау-Гинзбурга фазового перехода второго рода [Текст] / А. С. Старков, О. В. Пахомов, И. А. Старков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 10. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовые переходы второго рода -- модель Ландау-Гинзбурга -- Ландау-Гинзбурга модель -- спонтанная поляризация -- интеграл вероятности -- сегнетоэлектрики -- точка Кюри -- Кюри точка Аннотация: Исследовано влияние электрокалорического и пироэлектрического эффектов на фазовый переход в сегнетоэлектрике. Указано на отличие параметров модели Ландау для изотермического и адиабатического процессов. Температурная зависимость спонтанной поляризации описывается специальной функцией (интегралом вероятности), что приводит к исчезновению фазового перехода второго рода. Доп.точки доступа: Пахомов, О. В.; Старков, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
First-principles investigation of uranium monochalcogenides [Text] / A. O. Shorikov [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 9. - С. 532-535
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): монохалькогениды -- урановые монохалькогениды -- электронная структура -- магнитная структура -- диэлектрики -- спин-орбитальное спаривание -- орбитальный момент Доп.точки доступа: Shorikov, A. O.; Medvedeva, J. E.; Poteryaev, A. I.; Mazurenko, V. V.; Anisimov, V. I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |