Бекбергенов, С. Е. Эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке [Текст] / С. Е. Бекбергенов, А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная обработка -- арсенид-галлиевые диоды -- полупроводниковые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- облучение лазерными импульсами Аннотация: Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки. Показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности. Доп.точки доступа: Камалов, А. Б. |
Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 5-7 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термолюминесценция -- люминесценция -- монокристаллы -- гамма-кванты -- облученные гамма-кванты -- легированные оловом монокристаллы -- ИК-спектроскопия -- антиструктурные дефекты -- примесные дефекты донорного типа -- облученные кристаллы -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа". Доп.точки доступа: Алиев, М. И.; Рашидова, Ш. Ш.; Гусейнова, М. А.; Гаджиева, Н. Н. |
Милешко, Леонид Петрович. Слоистое строение анодных пленок SiO[2], легированных фосфором или бором [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. . 12-15 : рис. . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анодные пленки -- оксидные пленки -- легирование -- фосфор -- бор Аннотация: Установлено, что анодные оксидные пленки кремния, полученные методом реанодирования кремния p- и n-типов в фосфатном, боратном и нитратном электролитах на основе тетрагидрофурфурилового спирта, имеют трех- или четырехслойное строение как до, так и после высокотемпературного отжига. Сделано предположение, что этим объясняется неравномерное распределение фосфора и бора по толщине анодного SiO[2]. |
Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe (In) в переменном электрическом поле [Текст] / А. А. Добровольский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 265-268
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- PbTe (In) -- электрическое поле -- проводимость -- окисление Аннотация: Исследованы температурные и частотные зависимости компонент полного импеданса нанокристаллических пленок PbTe (In) в температурном диапазоне 4. 2-300 K в области частот 20 Гц-1 МГц. Пленки осаждались на охлажденную стеклянную подложку и отжигались в кислороде при температурах 300 и 350 градусах C. Транспорт носителей заряда в исследованных пленках определяется переносом заряда по инверсионным каналам на поверхности зерен и переходами через барьеры на межзеренных границах. Определены параметры (сопротивления и емкости), соответствующие каждому из указанных механизмов. В пленке, отожженной при 350 градусах C, доминирующий вклад в проводимость определяется инверсионными каналами. Показано, что в области низких температур перенос носителей по инверсионным каналам осуществляется посредством прыжковой проводимости. Доп.точки доступа: Добровольский, А. А.; Комиссарова, Т. А.; Дашевский, З. М.; Касиян, В. А.; Акимов, Б. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
Елесин, В. Ф. Нелинейный отклик двухъямной наноструктуры с учетом межэлектронного взаимодействия [Текст] / В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, М. А. Ремнев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 269-273
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- двухъямные наноструктуры -- межэлектронное взаимодействие -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- приближение Хартри-Фока -- Хартри-Фока приближение Аннотация: С помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера в приближении Хартри-Фока исследовано влияние межэлектронного взаимодействия на высокочастотные характеристики двухъямной наноструктуры. Рассчитаны отклик и эффективность излучения в структуре в сильном и слабом переменном электромагнитном поле. Показано, что межэлектронное взаимодействие не приводит к заметному снижению эффективности излучения и изменению резонансной частоты. Доп.точки доступа: Катеев, И. Ю.; Ремнев, М. А. |
Саченко, А. В. Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами [Текст] / А. В. Саченко, И. О. Соколовский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 274-277
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- квантовые ямы -- эффективность фотопреобразования Аннотация: С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1. 5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при указанных в статье условиях. Доп.точки доступа: Соколовский, И. О. |
Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и дельта-легированном фосфором [Текст] / А. В. Бойцов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 278-280
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): GaAs -- дельта-легирование -- фосфор -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преципитаты -- массив кластеров Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования дельта-легированных фосфором (1 монослой) пленок GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 200 градусов C (LT-GaAs) и изохронно отожженных при 400, 500 или 600 градусов C. Проведен анализ картины муара на электронно-микроскопических изображениях кластеров, сформированных при отжиге, изучение пространственного распределения кластеров по толщине пленки LT-GaAs. Таким образом, фосфор, будучи введенным в пленку LT-GaAs в виде дельта-слоев, по своему воздействию на пространственное распределение кластеров As подобен изовалентной примеси Al и отличается от таких изовалентных примесей как In и Sb. Доп.точки доступа: Бойцов, А. В.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р. |
Королев, А. Н. Особенности кинетики электролитического анодирования наноструктур Ta-GaAs и Nb-GaAs [Текст] / А. Н. Королев, В. Н. Котов, Л. П. Милешко // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 42-44 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- электролитическое анодирование -- комбинированные оксидные пленки -- полупроводники -- оксидные пленки металлов -- вентильные металлы -- имплантирование -- диэлектрические покрытия -- легированные диэлектрические покрытия -- двухслойные диэлектрические покрытия Аннотация: Методом анодного окисления пленок Ta и Nb на GaAsp-типа получены комбинированные оксидные пленки металлов и полупроводника. Доп.точки доступа: Котов, В. Н.; Милешко, Л. П. |
Грузинцев, А. Н. Обращение волнового фронта при мощном импульсном оптическом возбуждении ZnO [Текст] / А. Н. Грузинцев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 289-293
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): световой волновой фронт -- обращение светового волнового фронта -- полупроводниковая среда -- переходы Мотта -- Мотта переходы -- спектральный состав сигнала -- газовые лазерные резонаторы Аннотация: Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта (ОВФ) в возбужденной полупроводниковой среде. На порошке и кристаллах ZnO при комнатной температуре и накачке импульсным азотным лазером впервые обнаружено обращение света при ступенчатом изменении диэлектрической проницаемости среды во время перехода Мотта. Исследованы зависимости интенсивности и спектрального состава сигнала ОВФ от угла его регистрации. Предлагается объяснение эффекта: взаимодействие световых и электронно-дырочных плазменных колебаний в полупроводниковой среде. |
Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / В. А. Мельник [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 294-296
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- фосфид галлия -- спектры собственной фотопроводимости Аннотация: При исследовании спектров примесной фотопроводимости образцов фосфида индия, компенсированного медью, обнаружен резонансный переход из одного состояния меди в другое с максимумом оптической энергии возбуждения 0. 31 эВ. Получена температурная зависимость величины максимума интенсивности внутрицентрового перехода в диапазоне от 90 до 450 К. Установлено, что термическая энергия возбуждения составляет 0. 42 эВ. Доп.точки доступа: Мельник, В. А.; Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Макаренко, Ф. В. |
Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника n-ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 297-303
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): интерметаллические полупроводники -- легирующие примеси -- кристаллическая структура полупроводника -- примесные атомы Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного примесью Fe (концентрации N[Fe] ? 9. 5 •10\{19\}-3. 8 •10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Показано, что атомы Fe одновременно занимают кристаллографические позиции атомов Zr и Ni в разных соотношениях, являясь дефектами донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Ромака, Л. П.; Горынь, А. М.; Гореленко, Ю. К.; Доминюк, Т. И. |
Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions [Text] / T. A. Komissarova [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 304-307
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): InN -- электрические свойства -- оптические свойства Доп.точки доступа: Komissarova, T. A.; Shubina, T. V.; Jmerik, V. N.; Ivanov, S. V.; Ryabova, L. I.; Khokhlov, D. R.; Vasson, А.; Leymarie, J.; Araki, T.; Nanishi, Y. |
Алтыбаев, Г. С. Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света [Текст] / Г. С. Алтыбаев, С. Е. Кумеков, А. А. Махмудов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 308-310
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочная плазма -- оптические фоны -- межзонное поглощение -- пикосекундные импульсы света Аннотация: Рассчитаны возмущение фермиевского распределения неравновесных электронов и распределение "горячих" оптических фононов при межзонном поглощении пикосекундных импульсов света в GaAs. Доп.точки доступа: Кумеков, С. Е.; Махмудов, А. А. |
Майорова, Т. Л. Рекомбинационные процессы в пиролитических пленках сульфида кадмия [Текст] / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 311-315
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические полупроводники -- сульфид кадмия -- пиролитические пленки -- термостимулированная проводимость -- люминесцентные свойства -- фотоэлектрические свойства Аннотация: Посвящена исследованию фотоэлектрических свойств пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных щелочными металлами. Установлено, что исследуемые пленки обладают длительной релаксацией фотопроводимости при комнатной температуре (t=10\{3\}-10\{4\} c). Это явление связано с наличием внутренних потенциальных барьеров между областями разной проводимости. Определена энергия активации релаксации запасенной проводимости E=0. 68 эВ. Методом термостимулированной проводимости для исследуемых пленок определено наличие трех уровней локализации электронов, связанных с вакансией серы (0. 48 эВ), кислородом на месте серы (0. 5 эВ) и адсорбированным атомом щелочного металла (0. 53 эВ). По результатам исследований рекомбинационных процессов построена энергетическая модель уровней в запрещенной зоне пиролитических пленок сульфида кадмия, легированных щелочными металлами. Доп.точки доступа: Клюев, В. Г. |
Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te [Текст] / Е. П. Скипетров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 316-323
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- ферромагнетизм -- парамагнитные центры -- германий -- хром Аннотация: Исследованы магнитные свойства твердых растворов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 02-0. 20, y=0. 01-0. 08). Обнаружено, что магнитная восприимчивость сплавов состоит из двух вкладов: парамагнитного кюри-вейссовского (область температур T меньше 50 K), связанного, по-видимому, с парамагнетизмом ионов Cr\{3+\}, и высокотемпературного ферромагнитного (T меньше 300 K). По величинам парамагнитного и ферромагнитного вкладов получены зависимости концентраций магнитных центров от состава матрицы. Показано, что уменьшение концентрации парамагнитных центров может быть, по крайней мере качественно, объяснено перестройкой электронной структуры при увеличении концентрации германия. Предложена феноменологическая модель, объясняющая характер изменения магнитных свойств при увеличении содержания хрома, и обсуждаются возможные механизмы ферромагнитного упорядочения в исследованных сплавах. Доп.точки доступа: Скипетров, Е. П.; Михеев, М. Г.; Пакпур, Ф. А.; Скипетрова, Л. А.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е. |
Улашкевич, Ю. В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В. Голубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 324-328
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические образцы -- моносульфид самария -- инфракрасные спектры отражения -- тензорезистивный эффект -- отжиг Аннотация: На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm[1+x]S, лежащими внутри области гомогенности (0=? x= ? 0. 17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см\{-1\} в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см\{-1\}, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами \{7\}F[0]-\{7\}F[2] 4f-электронов ионов Sm\{2+\}. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В. |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 337-341
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О. |
Козырев, С. П. ИК-спектроскопия решеточных колебаний сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe [Текст] / С. П. Козырев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 342-348
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектры решетчатого ИК-отражения -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- длинноволновая инфракрасная спектроскопия Аннотация: Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК-отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем ZnTe. Благодаря многопериодности сверхрешеток удалось наблюдать моды CdTe-подобных колебаний в "квантовых точках" - бездислокационных напряженных островках, образующихся в процессе роста при релаксации упругих напряжений между слоями ZnTe и CdTe с сильно различающимися решеточными параметрами. Сдвиги частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний относительно значений ненапряженного материала позволили оценить степень наличия упругих напряжений. |