Дубинин, С. Ф. Наноразмерные деформации решетки в кристалле ZnSe, легированном 3d-элементами [Текст] / С. Ф. Дубинин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1177-1182. - Библиогр.: с. 1182 (16 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузное рассеяние -- метод дифракции тепловых нейтронов -- наноразмерные деформации решетки -- наноразмерные сдвиговые смещения -- полупроводниковые кристаллы -- эффект Ян-Теллера -- Ян-Теллера эффект Аннотация: Методом дифракции тепловых нейтронов впервые исследовалось структурное состояние полупроводниковых кристаллов Zn[1-x]V{2+}[x]Se (x=0. 0018) и Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0006) при 300 и 120 K. Обнаружено, что дифракционные картины кристаллов содержат области диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений исходной кубической решетки. Результаты эксперимента обсуждаются во взаимосвязи с ранее полученной информацией по дифракции нейтронов и распространению ультразвука в соединениях Zn[1-x]Ni{2+}[x]Se (x=0. 0025), Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0029). Показано, что диффузное рассеяние обусловлено наноразмерными сдвиговыми деформациями решетки ZnSe, типы которых определяют ян-теллеровские 3d-ионы. Доп.точки доступа: Соколов, В. И.; Теплоухов, С. Г.; Пархоменко, В. Д.; Гудков, В. В.; Лончаков, А. Т.; Жевстовских, И. В.; Груздев, Н. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Багаев, В. С. Рассеяние неравновесных акустических фононов в чистом крупнозернистом ZnSe с микродвойниковой хаотической структурой [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1183-1188. - Библиогр.: с. 1188 (10 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акустические фононы -- неравновесные акустические фононы -- рассеяние акустических фононов -- свободный пробег фононов -- фононы -- фотолюминесценция Аннотация: Исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnSe, полученном химическим синтезом из паровой фазы как при оптической генерации фононов, так и при их генерации металлическим нагревателем. Материал характеризуется микродвойниковой структурой внутри хаотически ориентированных зерен. Исследования фононного транспорта в сочетании с низкотемпературной фотолюминесценцией, оптической и электронной микроскопией, а также рентгеноструктурным анализом позволили установить определяющую роль протяженных дефектов в процессах рассеяния высокочастотных акустических фононов в этом материале. Доп.точки доступа: Галкина, Т. И.; Шарков, А. И.; Клоков, А. Ю.; Мартовицкий, В. П.; Кривобок, В. С.; Клевков, Ю. В.; Черноок, С. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Морозова, Наталья Константиновна. Влияние Te на самоактивированное свечение ZnSe [Текст] / Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 12-17. - Библиогр.: с. 17 (10 назв. )
Рубрики: Физика Оптика Электричество и магнетизм Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): селениды -- катодолюминесценция -- фотолюминесценция -- проводимость -- самоактивированное свечение -- коротковолновое свечение -- селенид цинка Аннотация: Предложена интерпретация оптических свойств ZnSe на основе теории непересекающихся зон, определяющей инициированное кислородом расщепление зоны проводимости. Доп.точки доступа: Мидерос, Даниэль Алехандро |
Радиационно-индуцированное формирование наночастиц ZnO на поверхности монокристаллов ZnSe [Текст] / Д. Б. Эмульротова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 429-436. - Библиогр.: с. 436 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- монокристаллы -- радиолиз поверхности кристалла -- гамма-облучение -- гетероструктуры -- нестехиометрический приповерхностный слой -- микротвердость приповерхностного слоя -- радиационно-индуцированное окисление Аннотация: Приводятся результаты исследований возможности образования нанокристаллов ZnO в результате радиолиза поверхности кристаллов ZnSe, обработанных в парах цинка, при гамма-облучении и создании гетероструктур ZnSe-ZnO. При {60}Co гамма-облучении на воздухе из нанозародышей ZnO сформировались нанокристаллы размером около 27 nm. Напротив, облучение смешанным потоком гамма-лучей и тепловых нейтронов привело к образованию двойниковой структуры в матричной решетке ZnSe и удалению ZnO. Оксидный слой также разрушается при протонном облучении в вакууме. Обнаружено, что рост нанокристаллитов ZnO обусловливает многократное повышение интенсивности электролюминесценции в полосе около 600 nm, микротвердости, а также снижения сопротивления, запирающего и порогового напряжения независимо от полярности. Таким образом, гамма-облучение приводит к формированию полупроводниковых светоизлучающих структур ZnSe-ZnO: Zn с p-n-переходом. Доп.точки доступа: Эльмуротова, Д. Б.; Ибрагимова, Э. М.; Каланов, М. У.; Турсунов, Н. А. |
Каскадные процессы при неупругом рассеянии света в структурах с нанопроволоками ZnSe [Текст] / Н. Н. Мельник [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 787-790. - Библиогр.: с. 790 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неупругое рассеяние света -- нанопроволоки -- резонансное комбинационное рассеяние света -- каскадные процессы Аннотация: Исследовалось резонансное комбинационное рассеяние света в структурах с нанопроволоками ZnSe диаметром 10-20 nm, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием пленки Au, осажденной на подложку, в качестве катализатора. Толщина слоя Au составляла 2, 10 и 100 A. Энергия возбуждающего лазера He-Cd (лямда=441. 6 nm) превышала ширину запрещенной зоны объемного ZnSe, измерения проводились при комнатной температуре. В этих условиях спектры комбинационного рассеяния света определяются каскадным процессом, в котором электрон, взаимодействуя с продольным оптическим фононом, совершает переходы между реальными зонными состояниями с некоторой вероятностью излучательной рекомбинации при каждом шаге. Обнаружен голубой сдвиг максимума люминесценции, связанный с пространственным ограничением носителей в нанопроволоке. Средний диаметр нанопроволок, рассчитанный исходя из величины этого сдвига, согласуется с данными электронной микроскопии. Доп.точки доступа: Мельник., Н. Н.; Виноградов, В. С.; Кучеренко, И. В.; Карчевский, Г.; Пляшечник, О. С. |
Супрун, С. П. Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe [Текст] / С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, Е. В. Федосенко // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1570-1575 : ил. - Библиогр.: с. 1575 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ZnSe/ GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- субмикронные слои -- ZnSe -- эпитаксия -- подложки -- люминесценция -- низкотемпературная люминесценция -- спектры люминесценции -- температура Аннотация: Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы "избыточный" Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250oC скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240oC является оптимальной температурой получения слоев данным способом. Доп.точки доступа: Шерстякова, В. Н.; Федосенко, Е. В. |
Получение и оптические свойства кристаллов ZnSe : Ni [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 149-153 : ил. - Библиогр.: с. 152 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- ZnSe -- селениды цинка -- никель -- Ni -- диффузионное легирование -- метод диффузионнного легирования -- инфракрасные излучения -- легирование -- оптическое поглощение -- спектры -- люминесценция -- коэффициент диффузии -- температура Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe: Ni, полученные методом диффузионного легирования. Диффузия осуществлялась из металлического никеля в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области длин волн 0. 4-3 мкм. По величине смещения края поглощения определена концентрация никеля в исследуемых кристаллах. Идентифицированы спектры оптической плотности и люминесценции ZnSe: Ni. Диффузионный профиль примеси никеля определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии никеля в кристаллах ZnSe при температурах 1073-1273 K. Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В. |
Морозова, Н. К. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова, Н. Д. Данилевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 458-462 : ил. - Библиогр.: с. 462 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- самоактивированная люминесценция -- спектры самоактивированной люминесценции -- непересекающиеся зоны -- теория непересекающихся зон -- SAL люминесценция -- SA люминесценция -- рекомбинация -- ZnS-ZnSe (O) -- спектральная зависимость -- концентрация кислорода -- кристаллы -- CdS (O) -- свечение -- собственные точечные дефекты -- СТД -- катодолюминесценция -- КЛ -- спектры катодолюминесценции -- SA-свечение -- H-компоненты -- L-компоненты -- поглощение кристаллов Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS (O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS (O), аналогичные ZnS-ZnSe (O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E[+]- и E[-]-подзон расщепленной зоны проводимости CdS (O) на уровень рекомбинации E[SA]. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [O[S]]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe (O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS (ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E[0], уменьшение ширины запрещенной зоны E[g] от [O[S]], зонная модель CdS (O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe (O). Доп.точки доступа: Данилевич, Н. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 463-466 : ил. - Библиогр.: с. 466 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- ZnSe -- селенид цинка -- поглощение -- оптическое поглощение -- диффузионное легирование -- метод диффузионного легирования -- диффузия железа -- оптические переходы -- оптическая плотность кристаллов -- оптические свойства -- температура -- температурная зависимость Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Fe, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0. 4-3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация железа в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Fe в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии железа в кристаллах ZnSe при температурах 1120-1320 K. При 1270 K коэффициент диффузии железа составляет 3x10{-10} см{2}/с. Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бондарь, Н. В. Эволюция экситонных состояний в двухфазных системах с квантовыми точками полупроводников II-VI вблизи перколяционного порога [Текст] / Н. В. Бондарь, М. С. Бродин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 915-922. : ил. - Библиогр.: с. 922 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- экситонные состояния -- двухфазные системы -- экситоны -- перколяционные пороги -- перколяционные переходы -- флуктуации -- микроскопические флуктуации -- кластеры квантовых точек -- туннелирование -- диэлектрические ловушки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- оптические спектры -- ZnSe -- CdS Аннотация: В результате проведеннных исследований двухфазных систем (боросиликатные матрицы с квантовыми точками ZnSe или CdS) обнаружена особенность, связанная с образованием в них фазового перколяционного перехода носителей (экситонов). Это проявилось в качественных изменениях оптических спектров обеих систем, а также в флуктуациях интенсивности полос излучения вблизи порога, обусловленных микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом их конечных размеров и доли объема, который они занимают на перколяционном пороге, и показано, что образование кластеров квантовых точек происходит посредством туннелирования носителей между ними. Предложен механизм образования перколяционного порога носителей, в котором диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и квантовых точек играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на внешней поверхности раздела и образованию там поверхностных экситонных состояний. Получены критические концентрации квантовых точек, при которых пространственное перекрытие таких состояний приводит к появлению перколяционного перехода в обеих системах. Доп.точки доступа: Бродин, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Диэлектрические свойства кристаллов ZnSe, выращенных из расплава [Текст] / О. Н. Чугай [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2307-2311. . - Библиогр.: с. 2311 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрические свойства -- кристаллы -- расплавы Аннотация: В низкочастотной области измерены частотные и температурные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости кристаллов ZnSe, выращенных из расплава. Установлено различие свойств образцов кристаллов в зависимости от их удаленности от начала кристаллического слитка. Различие свойств объяснено определяющим влиянием на поляризацию точечных дефектов, образование которых связано с отклонением состава от стехиометрического, остаточными примесями и напряжениями в кристаллах. Доп.точки доступа: Чугай, О. Н.; Герасименко, А. С.; Комарь, В. К.; Морозов, Д. С.; Олейник, С. В.; Пузиков, В. М.; Ризак, И. М.; Сулима, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа [Текст] / С. А. Масалов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1057-1061. - Библиогр.: с. 1061 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевая инжекция -- электроны низких энергий -- гетероструктуры -- сверхвысоковакуумные туннельные микроскопы -- микроскопы Аннотация: Рассматривается процесс полевой эмиссионной инжекции низкоэнергетических электронов (E[e] ~ 10 eV) в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe. Зонд сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа используется как полевой эмиттер. Показано, что энергии инжектированных электронов достаточно для ударной ионизации в ZnSe. Ударная ионизация создает высокую концентрацию неравновесных носителей в приповерхностном слое ZnSe. Проведено моделирование транспорта неравновесных носителей в исследуемой гетероструктуре. Учитываются электрическое поле приповерхностного объемного заряда и поверхностная рекомбинация. Расчет показал высокую эффективность заполнения неравновесными носителями активной области CdSe. Доп.точки доступа: Масалов, С. А.; Калинина, К. В.; Евтихиев, В. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мощная фемтосекундная лазерная система среднего ИК-диапазона (4-5 мкм) с использованием широкополосного усилителя на кристалле Fe{2+}:ZnSe [Текст] / Б. Г. Бравый [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 4. - С. 489-494. - Библиогр.: c. 494 (19 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Инфракрасные лучи Кл.слова (ненормированные): керровская нелинейность -- фемтосекундное излучение -- фемтосекундные лазерные системы -- широкополосные усилители Аннотация: Предложена концепция твердотельной фемтосекундной лазерной системы мультигигаваттного уровня мощности в диапазоне 4-5 мкм и состоящей из блока затравочного излучения сверхкороткой длительности, двухкаскадного усилителя по схеме усиления чирпированных импульсов на основе широкополосного Fe{2+}: ZnSe активного элемента с оптической накачкой излучением YSGG: Cr: Er-лазера и выходного каскада, в котором реализуется процесс дополнительного нелинейно-оптического сжатия усиленного импульса до длительности порядка 30 фс в диэлектрической среде CaF[2], обладающей аномальной дисперсией групповой скорости в этом спектральном диапазоне. Доп.точки доступа: Бравый, Б. Г.; Гордиенко, В. М.; Козловский, В. И.; Коростелин, Ю. В.; Потемкин, Ф. В.; Подмарьков, Ю. П.; Подшивалов, А. А.; Платоненко, В. Т.; Фирсов, В. В.; Фролов, М. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование электрофизических параметров образцов селенида цинка [Текст] / Бутырин П. А. [и др.] // Электричество. - 2017. - № 12. - С. 47-50 : 6 рис. - Библиогр.: с. 49 (3 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения в целом Кл.слова (ненормированные): ZnSe -- диэлектрические резонаторы -- оптические приборы -- селенид цинка -- тепловизоры -- электрофизические параметры Аннотация: Приведены результаты исследования в сверхвысокочастотном (дециметровом), видимом и инфракрасном диапазонах электромагнитных волн параметров образцов селенида цинка, используемых, в частности, в многоканальных приборах технического зрения для систем обеспечения безопасности железнодорожного транспорта. Обнаружена значительная дисперсия диэлектрической проницаемости селенида цинка. В дециметровом диапазоне тангенс угла диэлектрических потерь больше, чем у материалов, используемых в этом диапазоне для изготовления диэлектрических резонаторов, однако селенид цинка имеет малые потери в оптическом (видимом и инфракрасном) диапазоне. Сочетание у селенида цинка свойств диэлектрика и полупроводника, а также нелинейность его характеристик представляют возможность взаимного управления процессами в оптической и сверхвысокочастотной областях частот. Доп.точки доступа: Бутырин, П. А. (доктор технических наук; заведующий кафедрой); Абдулкеримов, С. А. (кандидат технических наук; директор филиала); Алексейчик, Л. В. (доктор технических наук; профессор); Смирнова, Е. И. (генеральный директор); Товмасян, В. М. (ведущий конструктор); Шакирзянов, Ф. Н. (кандидат технических наук; профессор) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ченцов, С. И. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием донорно-акцепторных пар, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe [Текст] / С. И. Ченцов, А. А. Пручкина, В. С. Кривобок // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 4. - С. 490-493. - Библиогр.: c. 493 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): дипольные моменты -- донорно-акцепторные пары -- квантовые излучатели -- квантовые ямы -- микрофотолюминесценция Аннотация: На основе измерений низкотемпературной (5 K) микрофотолюминесценции в гетероструктуре с широкой квантовой ямой ZnSe/ZnMgSSe продемонстрировано существование изолированных (квантовых) излучателей, линии излучения которых претерпевают скачкообразное изменение спектрального положения на несколько мэВ в течение времен порядка 1-10 минут. Нестандартные свойства обнаруженных излучателей объяснены на основе представлений о системах, имеющих значительный дипольный момент в основном состоянии, таких как одиночные донорно-акцепторные пары. Доп.точки доступа: Пручкина, А. А.; Кривобок, В. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Экспериментальная оценка нелинейного показателя преломления кристалла ZnSe в терагерцевой области спектра [Текст] / А. Н. Цыпкин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 12. - С. 1708-1711. - Библиогр.: c. 1711 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): метод Z-сканирования -- модификация метода Z-сканирования -- нелинейный показатель преломления -- полупроводниковый кристалл ZnSe -- терагерцевая область спектра Аннотация: Предложена модификация метода Z-сканирования для измерения нелинейного показателя преломления n[2] в терагерцевой области спектра. Проведены измерения при интенсивности широкополосного терагерцевого излучения 0. 8 x 10{9} Вт x см{-2} и получена оценка коэффициента n[2] = 2. 5 x 10{-11} см{2} x Вт{-1} для полупроводникового кристалла ZnSe. Доп.точки доступа: Цыпкин, А. Н.; Путилин, С. Э.; Куля, М. С.; Мельник, М. В.; Дроздов, А. А.; Беспалов, В. Г.; Жанг, К. Ч.; Бойд, Р. В.; Козлов, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |