Шеин, И. Р. Упругие параметры моно- и поликристаллических вюрцитоподобных BeO и ZnO: ab initio расчеты [Текст] / И. Р. Шеин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1015-1020. - Библиогр.: с. 1020 (46 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вюрцитоподобные монооксиды -- модель Фойхта-Реусса-Хилла -- модуль всестороннего сжатия -- модуль сдвига -- модуль Юнга -- монооксид бериллия -- монооксид цинка -- монооксиды -- упругие константы -- Фойхта-Реусса-Хилла модель -- Юнга модуль Аннотация: Полнопотенциальным линейным методом присоединенных плоских волн (FLAPW, код WIEN2K) выполнены расчеты структурных и упругих параметров (упругие константы, модули всестороннего сжатия, сдвига и модуль Юнга, коэффициенты Пуассона и Ламэ) идеальных вюрцитоподобных монооксидов бериллия и цинка. В рамках модели Фойхта-Реусса-Хилла проведена их аппроксимация для поликристаллических BeO и ZnO. Результаты сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и использованы для численных оценок скоростей звука и температур Дебая поликристаллов BeO и ZnO. Доп.точки доступа: Кийко, В. С.; Макурин, Ю. Н.; Горбунова, М. А.; Ивановский, А. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Михайлов, М. М. Особенности изменения спектров диффузного отражения полупроводниковых порошков ZnO и TiO[2] при вакуумировании [Текст] / М. М. Михайлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 19-26 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Техника Материаловедение Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые порошки -- вакуумирование -- спектры -- диффузное отражение полупроводниковых порошков -- космические аппараты Аннотация: Изучено изменение спектров диффузного отражения порошков ZnO и TiO[2] в области 0, 22-2, 1 мкм при последовательной выдержке в форвакууме, остаточном вакууме и в атмосфере. |
Грузинцев, А. Н. Обращение волнового фронта при мощном импульсном оптическом возбуждении ZnO [Текст] / А. Н. Грузинцев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 289-293
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): световой волновой фронт -- обращение светового волнового фронта -- полупроводниковая среда -- переходы Мотта -- Мотта переходы -- спектральный состав сигнала -- газовые лазерные резонаторы Аннотация: Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта (ОВФ) в возбужденной полупроводниковой среде. На порошке и кристаллах ZnO при комнатной температуре и накачке импульсным азотным лазером впервые обнаружено обращение света при ступенчатом изменении диэлектрической проницаемости среды во время перехода Мотта. Исследованы зависимости интенсивности и спектрального состава сигнала ОВФ от угла его регистрации. Предлагается объяснение эффекта: взаимодействие световых и электронно-дырочных плазменных колебаний в полупроводниковой среде. |
Радиационно-индуцированное формирование наночастиц ZnO на поверхности монокристаллов ZnSe [Текст] / Д. Б. Эмульротова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 429-436. - Библиогр.: с. 436 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- монокристаллы -- радиолиз поверхности кристалла -- гамма-облучение -- гетероструктуры -- нестехиометрический приповерхностный слой -- микротвердость приповерхностного слоя -- радиационно-индуцированное окисление Аннотация: Приводятся результаты исследований возможности образования нанокристаллов ZnO в результате радиолиза поверхности кристаллов ZnSe, обработанных в парах цинка, при гамма-облучении и создании гетероструктур ZnSe-ZnO. При {60}Co гамма-облучении на воздухе из нанозародышей ZnO сформировались нанокристаллы размером около 27 nm. Напротив, облучение смешанным потоком гамма-лучей и тепловых нейтронов привело к образованию двойниковой структуры в матричной решетке ZnSe и удалению ZnO. Оксидный слой также разрушается при протонном облучении в вакууме. Обнаружено, что рост нанокристаллитов ZnO обусловливает многократное повышение интенсивности электролюминесценции в полосе около 600 nm, микротвердости, а также снижения сопротивления, запирающего и порогового напряжения независимо от полярности. Таким образом, гамма-облучение приводит к формированию полупроводниковых светоизлучающих структур ZnSe-ZnO: Zn с p-n-переходом. Доп.точки доступа: Эльмуротова, Д. Б.; Ибрагимова, Э. М.; Каланов, М. У.; Турсунов, Н. А. |
Визуализация связанных фотонных мод наностержней ZnO при помощи растровой катодолюминесценции [Текст] / А. Н. Грузинцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 488-491
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): свечение экситонов -- фотонные моды стержня -- лазерные резонаторы -- наностержни -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор Аннотация: Исследования спектров и изображений в растровой катодолюминесценции наностержня ZnO с двумя зеркалами на торцах выполнены при температуре 10 K. Обнаружены пики свечения связанных экситонов и краевой люминесценции в фиолетовой области спектра. Определена пространственная картина распределения интенсивности свечения локализованных фотонных мод стержня для различных длин волн. Предложен новый метод визуализации связанных оптических мод в лазерных резонаторах микрометрового и нанометрового размеров. Доп.точки доступа: Грузинцев, А. Н.; Емельченко, Г. А.; Редькин, А. Н.; Волков, В. Т.; Якимов, Е. Е.; Висимберга, Д.; Романов, С. Г. |
Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 721-729 : ил. - Библиогр.: с. 729 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные ионы -- статистический расчет -- каскады -- структурные нарушения -- оксид цинка -- нитрид галлия -- каскады смещений Аннотация: Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PF[n] (n=0, 2, 4), с энергией 1. 3 кэВ/а. е. м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя. Доп.точки доступа: Карасев, П. А.; Азаров, А. Ю.; Титов, А. И.; Кучеев, С. О. |
Поликристаллический тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO [Текст] / О. Л. Лисицкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 794-796 : ил. - Библиогр.: с. 796 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- получение пленок -- рентгеноструктурные исследования -- спектрально-оптические исследования -- поликристаллические гетеропереходы -- тонкопленочные гетеропереходы -- напыления -- отжиг -- n-ZnO/p-CuO Аннотация: Приводятся результаты рентгеноструктурных и спектрально-оптических исследований пленок n-ZnO и p-CuO, полученных методами напыления в газовом разряде и последующего отжига. Показано, что, несмотря на различие в сингониях, поликристалличность пленок n-ZnO и p-CuO позволяет реализовать в этой паре гетеропереход. Доп.точки доступа: Лисицкий, О. Л.; Кумеков, М. Е.; Кумеков, С. Е.; Теруков, Е. И.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Выращивание нанокристаллов ZnO импульсным лазерным напылением на сапфире и кремнии и их инфракрасные спектры [Текст] / А. В. Баженов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1576-1582 : ил. - Библиогр.: с. 1581 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- ZnO -- выращивание нанокристаллов -- импульсные лазерные напыления -- сапфиры -- кремний -- подложки -- электронная микроскопия -- фурье-спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- фононы -- оптические фононы -- наностержни -- оптические измерения Аннотация: Импульсным лазерным напылением выращены наностержни ZnO, образующие высокоориентированные структуры наностержней на подложках из сапфира и кремния. Выращенные при различных условиях наноструктуры охарактеризованы при помощи электронной микроскопии и фурье-спектроскопии инфракрасного отражения. В этих спектрах выделены вклады оптических фононов и свободных носителей заряда в слоях наностержней ZnO, а также выявлена зависимость степени ориентации наностержней ZnO относительно поверхности подложки от условий их роста. Обнаружено смягчение оптических фононов ZnO при уменьшении диаметра наностержней ZnO. Доп.точки доступа: Баженов, А. В.; Фурсова, Т. Н.; Максимук, М. Ю.; Кайдашев, Е. М.; Кайдашев, В. Е.; Мисочко, О. В. |
Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания. Доп.точки доступа: Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A. |
Эффекты переключения в композитных пленках на основе сопряженного полимера - полифлуорена и наночастиц ZnO [Текст] / Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 2. - С. 393-396. - Библиогр.: с. 396 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эффекты переключения -- композитные пленки -- полифлуорен -- сопряженные полимеры -- неорганические частицы Аннотация: Исследованы S- и N-образные вольт-амперные характеристики (ВАХ) композитных пленок на основе сопряженного полимера полифлуорена и наночастиц ZnO, нанесенных на Al- и In[2]O[3]/SnO[2]-электроды, как с промежуточным подслоем из проводящего полимера PEDT/PSS, так и без него. Обнаруженные различия ВАХ таких структур (N- и S-типа соответственно) объяснены с точки зрения модели электронно-теплового переключения с учетом структурных и электрических свойств PEDT/PSS, обеспечивающего как ориентацию молекул полимера, так и туннелирование носителей заряда, что вызывает повышение проводимости. Протекание тока в такой структуре приводит к повышению температуры проводящих каналов, при достижении определенных значений температуры провдимость каналов падает вследствие нарушения ориентации молекул полимера, что обусловливает N-образный вид ВАХ. Доп.точки доступа: Александрова, Е. Л.; Лебедев, Э. А.; Константинова, Н. Н.; Алешин, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Денисенко, Г. А. Исследование ядерного квадрупольного взаимодействия в ZnO методом возмущенных угловых корреляций ядерных излучений [Текст] / Г. А. Денисенко, К. С. Охотников // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 446-451. - Библиогр.: с. 451 (42 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ядерное квадрупольное взаимодействие -- метод возмущенных угловых корреляций ядерных излучений -- ядерные излучения -- градиент электрического поля -- квадрупольная связь Аннотация: Показана возможность определения знака и величины ядерного квадрупольного взаимодействия в ZnO с применением возмущенных угловых корреляций ядерных излучений. Информация о величине ядерного квадрупольного взаимодействия для уровня 184 keV {67}Zn может быть получена из наблюдения возмущенной гаммагамма-корреляции направлений на распаде {67}Ga->{67}Zn, а о величине и знаке ядерного квадрупольного взаимодействия --- из эксперимента по индуцированной betagamma-корреляции направлений на распаде {67}Cu{бета{-} ->{67}Zn. Для интерпретации результатов измерений проведен расчет градиента электрического поля в кристалле ZnO с использованием полнопотенциального метода линеаризованных присоединенных плоских волн с обобщенной градиентной аппроксимацией обменно-корреляционного потенциала. Доп.точки доступа: Охотников, К. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 445-451 : ил. - Библиогр.: с. 450 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примеси -- фоновые примеси -- Fe -- железо -- Cu -- медь -- Si -- кремний -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- рентгеновская флуоресценция -- инфракрасная спектроскопия -- спектры излучения -- кристаллы -- объемные кристаллы -- ZnO -- концентрация примесей Аннотация: На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода-основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с p-типом проводимости. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В.; Полетаев, Н. К.; Трапезникова, И. Н.; Чукичев, М. В.; Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Еременко, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Грузинцев, А. Н. Зависимость порога стимулированной люминесценции нанокристаллов ZnO от их геометрической формы [Текст] / А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, К. Бартхоу // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 654-659 : ил. - Библиогр.: с. 658-659 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оксид цинка -- ZnO -- нанокристаллы -- люминесценция -- фотолюминесценция -- ФЛ -- стимулированная люминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ультрафиолетовое свечение -- УФ свечение -- оптическое возбуждение -- нанорезонаторы -- поглощение -- лазерная генерация -- фотонные состояния Аннотация: Исследовано влияние формы и размеров нанокристаллов оксида цинка на времена затухания спонтанной люминесценции и пороги возникновения стимулированной люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что нанокристаллы столбчатой формы с гексагональной огранкой имеют минимальный порог мощности оптического возбуждения для диаметров нанорезонаторов 100-200 нм, сравнимых с длиной поглощения возбуждающего света. Установлен различный механизм лазерной генерации нанокристаллов в форме призм и пирамид с гексагональным основанием. Изменение времени затухания и порогов лазерной генерации можно объяснить различием локальной плотности фотонных состояний в нанокристаллах правильной формы. Доп.точки доступа: Редькин, А. Н.; Бартхоу, К. (Barthou C.) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO-Ag [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 713-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- ZnO-Ag -- окись цинка -- серебро -- легирование -- подложки -- сублимация -- рентгеновская дифракция -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кадотолюминесценция -- КЛ -- структурные свойства -- люминесцентные свойства -- излучательные свойства Аннотация: Пленки ZnO-Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0. 6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок - способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500-2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения. Доп.точки доступа: Хомченко, В. С.; Кушниренко, В. И.; Папуша, В. П.; Савин, А. К.; Литвин, О. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Водородный наносенсор на основе пленки ZnO больше Al меньше [Текст] / В. М. Арутюнян [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 125-127. : граф., фот. - Текст дан на русском и английском языках
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): водородные наносенсоры -- газовые сенсоры -- нанотехнологии -- наноразмерные пленки Аннотация: Технология создания водородных сенсоров. Доп.точки доступа: Арутюнян, В. М.; Аракелян, В. М.; Шахназарян, Г. Э.; Галстян, В. Э.; Алексанян, М. С.; Шиербаум, К. Д.; Элачаб, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкумбатюк, П. С. Свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных под действием излучения CO[2]-лазера [Текст] / П. С. Шкумбатюк // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1147-1150. : ил. - Библиогр.: с. 1150 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные кристаллы -- ZnO -- CO[2]-лазер -- импульсное лазерное излучение -- ИЛИ -- монокристаллические нити -- удельное сопротивление -- электролюминесценция -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- инжекция -- дефекты -- электрическое поле Аннотация: Методом непрерывного действия CO[2]-лазерного излучения получены монокристаллические нити ZnO в виде игл длиной 0. 3-0. 8 мм, диаметром 1-10 мкм, с удельным сопротивлением 3 x 10{2}-1 Ом x см. В нитях наблюдали слабую электролюминесценцию, обусловленную инжекцией из контактов, с участием собственных дефектов, влияющих на распределение электрического поля. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах [Текст] / Д. Г. Громов [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 27-30. . - Библиогр.: с. 30 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): удельное сопротивление -- пьезоэффект -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- нанотехнологии Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO: Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO: Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс проведенных исследований указывает на то, что причиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания. Доп.точки доступа: Громов, Д. Г.; Козьмин, А. М.; Поломошнов, С. А.; Шулятьев, А. С.; Шаманаев, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1155-1163. - Библиогр.: с. 1163 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- легирующие примеси -- редкоземельные металлы -- кристаллические пленки Аннотация: Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Еременко, М. В.; Голубенко, С. М.; Разумов, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тепловой транспорт в нанокомпозитах ZnO/PMMA [Текст] / Х. Т. Игамбердиев [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1424-1426. - Библиогр.: с. 1426 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тепловой транспорт -- нанокомпозиты -- теплопроводность -- термическое сопротивление -- нанопровода Аннотация: Измерена теплопроводность композитов оксид цинка-полиметилметакрилат (PMMA). С помощью теоретических моделей оценены величины термического сопротивления интерфейсов ZnO-NW/РММА (NW - нанопровод) и критический радиус частиц, выше которого возможно повыщение теплопроводности композита. На основе этих измерений определена зависимость теплопроводности нанопроводов оксида цинка от их диаметра. Доп.точки доступа: Игамбердиев, Х. Т.; Юлдашев, Ш. У.; Cho, H. D.; Kang, T. W.; Рахимова, Ш. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Преобразователи энергии [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2013. - № 2. - С. 77 : ил.
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Кл.слова (ненормированные): электрический ток -- генерация тока -- пьезоэлектрические нанопровода -- ZnO -- оксид цинка -- нановолокна -- ТОЭС -- электроэнергия -- текстильные волокна Аннотация: Способ генерации электрического тока при помощи пьезоэлектрических нанопроводов из оксида цинка, выращенных на текстильных волокнах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |