Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO[2] при облучении быстрыми тяжелыми ионам [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 544-549 : ил. - Библиогр.: с. 548 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- ионы -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- ионное облучение -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронная микроскопия -- нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- пассивация -- кремний -- ионизационные потери -- треки -- дефектообразование -- ксенон -- Xe Аннотация: Слои SiO[2] с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3x10{12}-10{14} см{-2}. После 3x10{12} см{-2} электронная микроскопия выявила ~10{12} см{-2} выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500 гр. C полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Скуратов, С. А.; Марин, Д. В.; Черков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мультивендорный и академический консорциум [Текст] : ключевые события осени // Качество образования. - 2010. - N 10. - С. 12-21. : ил.
Рубрики: Образование. Педагогика Организация образования Кл.слова (ненормированные): проекты -- форумы -- конференции -- информационные технологии -- информационно-коммуникационные технологии -- вузы Аннотация: Представлены обзоры конференций "Информационная среда вуза XXI века", "Новое поколение средств разработки RAD Studio XE от Embarcadero Technologies" и "Университетский альянс SAP для России и стран СНГ", форумов Autodesk, ИТ-академий Microsoft и EMC. Доп.точки доступа: Мультивендорный и академический консорциум в области ИКТ; Мультивендорный и академический консорциум в области ИКТ, открытое заседание; Информационная среда вуза XXI века, всероссийская научно-практическая конференция; Новое поколение средств разработки RAD Studio XE от Embarcadero Technologies, конференция; Университетский альянс SAP для России и стран СНГ, конференция; Форум ИТ-академий Microsoft; Autodesk, форум Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава слоев SiO[x] на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 419-424. : ил. - Библиогр.: с. 424 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): слои -- облучение ионами -- светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- быстрые ионы -- кремниевые наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесценция -- кремний -- Si -- длина волны -- источники излучения -- кремниевые подложки -- ксенон -- Xe -- экспериментальные исследования Аннотация: Слои SiO[x] переменного состава с 0 < X < 2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 10{14} см{-2} для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от x. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны lambda~600 нм, а затем максимум смещался к lambda~800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiO[x] в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом x объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Марин, Д. В.; Кеслер, В. Г.; Скуратов, В. А.; Челков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ovchinnikov, B. M. Massive liquid Ar and Xe detectors for direct Dark Matter searches [Text] / B. M. Ovchinnikov, Yu. B. Ovchinnikov, V. V. Parusov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 3. - С. 163-166
Рубрики: Астрономия Астрофизика Кл.слова (ненормированные): темная материя -- Ar -- Xe -- детекторы Доп.точки доступа: Ovchinnikov, Yu. B.; Parusov, V. V. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лазерная УФ-фрагментация однородных кластеров (CF[3]I)[n] в молекулярном пучке и кластеров (CF[3]I)[n], находящихся внутри или на поверхности больших кластеров (Xe)[m] [Текст] / В. М. Апатин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 12. - С. 800-806
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярные пучки -- кластерные пучки -- фрагментация кластеров -- ультрафиолетовая фрагментация -- лазерная фрагментация Аннотация: Изучена фрагментация однородных кластеров (CF[3]I) [n] (где n меньше равно 45 - среднее число молекул в кластере) в молекулярном пучке, а также кластеров (CF[3]I) [n], находящихся внутри или на поверхности больших кластеров (Xe) [m] (где m больше равно 100) - среднее число атомов в кластере), лазерным ультрафиолетовым (УФ) излучением. Обнаружено, что указанные три типа кластеров (CF[3]I) [n] имеют разную стабильность по отношению к фрагментации и совершенно разные зависимости вероятности фрагментации от энергии УФ-излучения. Доп.точки доступа: Апатин, В. М.; Лохман, В. Н.; Макаров, Г. Н.; Огурок, Д. Д.; Петин, А. Н.; Рябов, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Миськевич, А. И. Поглощение эксимерными молекулами XeCl{*} собственного излучения перехода B-X (ламбда=308 нм) в плотной среде Ar-Xe-CCl[4] при накачке быстрыми электронами и осколками деления урана-235 [Текст] / А. И. Миськевич, Ю. А. Дюжов, А. А. Суворов // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 2. - С. 179-188 : схемы, граф., табл. - Библиогр.: с. 187-188 (13 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): молекулы -- эксимерные молекулы -- излучение молекул -- плотные среды -- электроны -- быстрые электроны -- накачка электронами -- уран -- деление урана -- накачка осколками урана -- спектроскопические исследования -- люминесценция -- газовые смеси -- заселенность молекул -- фотопоглощение молекул Аннотация: Спектроскопически исследована люминесценция плотных газовых смесей Ar-Xe-CCL[4] с низким содержанием CCl[4] при накачке быстрыми электронами и осколками деления урана-235. Обнаружено, что в кювете при наличии резонатора, настроенного на переход B-X молекулы XeCl{*} (ламбда=308 нм), заселенность D-состояния эксимерной молекулы XeCl{*} (переход D-X, ламдба=235 нм) зависит от заселенности B-состояния и многократно увеличивается с увеличением заселенности B-состояния молекулы XeCl{*}. Доп.точки доступа: Дюжов, Ю. А.; Суворов, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование пленки диоксида кремния, имплантированной Zn и облученной быстрыми ионами Xe [Текст] / В. В. Привезенцев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 11. - С. 1461-1468. - Библиогр.: c. 1468 (20 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): быстрые тяжелые ионы Xe -- имплантация Zn -- облучение ионами Xe -- спектры фотолюминесценции -- экситонная рекомбинация Аннотация: Исследовано влияние облучения быстрыми тяжелыми ионами Xe с энергией 167 МэВ на структуру и свойства пленки SiO[2], имплантированной Zn. Обнаружено, что после имплантации Zn в пленке SiO[2] на глубине около проективного пробега ионов цинка (Rp ~ 40 нм) образуются аморфные наночастицы цинка размером около 10 нм. Облучение пленок Xe приводит к гашению пика в спектре фотолюминесценции на длине волны 370 нм, обусловленного экситонной рекомбинацией, и кувеличению пика на длине волны 430 нм, связанного с радиационными дефектами. Поверхность пленки SiO[2] после обработки ионами Хе структурируется с образованием поверхностных кратеров, окружающих их бугорков-"хиллоков", а также Zn-содержащих наночастиц. Доп.точки доступа: Привезенцев, В. В.; Палагушкин, А. Н.; Скуратов, В. А.; Куликаускас, В. С.; Затекин, В. В.; Зилова, О. С.; Бурмистров, А. В.; Киселев, Д. А.; Штейнман, Э. А.; Терещенко, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |