Теплоемкость и скорость звука биоморфного композита SiC/Si [Текст] / И. А. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1754-1759. - Библиогр.: с. 1759 (29 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): биоморфные композиты -- Копа-Неймана правило аддитивности -- правило аддитивности Коппа-Неймана -- скорость звука -- теплоемкость Аннотация: В интервале 3. 5-65 K и 77 K были измерены соответственно удельная теплоемкость при постоянном давлении и скорость звука биоморфного композита SiC/Si, полученного на основе дерева белого эвкалипта. С помощью трех предложенных моделей проведен расчет теплоемкости измеренного образца SiC/Si по правилу аддитивности Коппа-Неймана. Доп.точки доступа: Смирнов, И. А.; Смирнов, Б. И.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Varela-Feria, F. M.; Krivchikov, A. I.; Zhekov, K. R.; Zviagina, G. A. |
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 337-341
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О. |
Пономарев, Л. С. Реконструкция полноэлектронных орбиталей из одноэлектронных псевдоволновых функций и расчеты интенсивностей рентгеновских эмиссионных спектров Si в кристаллах Si, бета-SiC, стишовита, бета-кристобалита [Текст] / Л. С. Пономарев, И. И. Тупицын, А. С. Шулаков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 242-249. - Библиогр.: с. 249 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полноэлектронные орбитали -- одноэлектронные псевдоволновые функции -- рентгеновские эмиссионные спектры -- теория функционала плотности -- интенсивность рентгеновского спектра Аннотация: Выполнены расчеты интенсивностей рентгеновских эмиссионных спектров кремния в кристаллах Si, бета-SiC, стишовита, бета-кристобалита. Волновые функции начальных и конечных состояний рассчитаны в рамках метода функционала плотности с использованием "norm-conserving" и "ultrasoft" псевдопотенциалов. Проведена процедура реконструкции кристаллических полноэлектронных орбиталей из одноэлектронных и псевдоволновых функций. Расчеты вероятностей рентгеновских эмиссионных переходов выполнены с восстановленными полноэлектроными орбиталями в двух различных калибровках: в форме длины и в форме скорости. Произведено сравнение полученных интенсивностей с экспериментальными спектрами и парциальными плотностями состояний. Доп.точки доступа: Тупицын, И. И.; Шулаков, А. С. |
Структура и ультрафиолетовая фотолюминесценция пленок 3C-SiC, выращенных на Si (111) [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 446-451. - Библиогр.: с. 451 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ультрафиолетовая фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- нанокристаллические пленки -- кубический карбид кремния -- метод химической конверсии из паров гексана -- спектр фотолюминесценции Аннотация: Обсуждаются структура и светоизлучающие свойства нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, полученных методом химической конверсии из паров гексана. Проведен детальный анализ морфологии, состава и кристаллографической структуры выращенных толстых пленок карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, электронографии, интерференционной оптической сканирующей зондовой и просвечивающей электронной микроскопии. Использование для возбуждения третьей гармоники фемтосекундного лазера (лямда[exit] = 266 nm) наряду с традиционно наблюдаемыми линиями в спектре высокотемпературной фотолюминесценции позволило впервые выявить линию излучения, лежащую в области глубокого ультрафиолета, с длиной волны (лямда = 340 nm). Обсуждается природа линий, наблюдаемых в спектре фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Алябина, Н. А.; Ивина, Н. Л.; Вдовин, В. И.; Дмитрук, И. Н. |
Александров, О. В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига [Текст] / О. В. Александров, Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 584-589
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- примеси AL -- карбид кремния -- полупроводники -- ионы -- кристаллические решетки Аннотация: Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между альфa- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В. |
Потапов, А. С. Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC [Текст] / А. С. Потапов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 640-644
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- гетерограницы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды Аннотация: Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200 градусов C в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов - фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450 градусов C) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Самсонова, Т. П. |
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 527-530
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С. |
Модуль Юнга и внутреннее трение биоиорфного композита SiC/Si на основе биоматрицы дерева сапели [Текст] / Б. К. Кардашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 709-712. - Библиогр.: с. 712 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модуль Юнга -- Юнга модуль -- биоморфные композиты -- дерево сапель -- сапель -- биоматрица дерева сапели -- внутреннее трение Аннотация: Исследовано влияние амплитуды колебательной деформации на модуль Юнга и поглощение ультразвука (внутреннее трение) биоморфного композита SiC/Si, полученного путем пиролиза дерева сапели с последующей инфильтрацией кремния. Исследования выполнены на воздухе и в вакууме акустическим резонансным методом составного вибратора при продольных колебаниях на частотах около 100 kHz. Установлено, что в био-SiC/Si на основе сапели наблюдается существенное влияние адсорбции-десорбции молекул, входящих в состав воздуха, на действующий модуль упругости и декремент упругих колебаний. Проведено сопоставление микропластических характеристик композитов SiC/Si, приготовленных на основе различных пород дерева. Доп.точки доступа: Кардашев, Б. К.; Орлова, Т. С.; Смирнов, Б. И.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J. |
Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 783-786. - Библиогр.: с. 786 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноуглеродные пленки -- метод сублимации в вакууме -- сублимационная эпитаксия -- двумерные кристаллы графита -- карбид кремния Аннотация: Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. А.; Лебедев, С. П.; Макаренко, И. В.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н. |
Электронное строение композитных сегментированных нанотрубок SiC/BN [Текст] / А. С. Романов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 11. - С. 660-664
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композитные сегментированные нанотрубки -- нанотрубки -- сегментированные нанотрубки -- электронная структура -- функционал локальной плотности -- маффинтин приближение Аннотация: С помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн рассчитана электронная структура сегментированных нанотрубок, составленных из чередующихся слоев нанотрубок BN и SiC (5, 5) и (9, 0) конфигурации кресло и зигзаг и различающихся ориентацией химических связей в сегментах, а также природой связей (Si-N и B-C или Si-B и N-C) на границах участков BN и SiC. Расчеты проведены с использованием функционала локальной плотности и маффинтин приближения для электронного потенциала. Установлено, что в зависимости от связей на границах сегментов нанотрубки BN/SiC (5, 5) являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны E[g] от 1 до 3 эВ, а нанотрубки BN/SiC (9, 0) обладают металлическим, полуметаллическим или полупроводниковым (E[g]\sim1 эВ) типом зонной структуры. Доп.точки доступа: Романов, А. С.; Лисенко, А. А.; Силенко, П. М.; Дьячков, П. Н. |
Давыдов, С. Ю. Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1161-1164. - Библиогр.: с. 1164 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спонтанная поляризация -- диэлектрическая проницаемость -- метод связывающих орбиталей Харрисона -- Харрисона метод связывающих орбиталей Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр gamma, характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости varepsilonбесконечность для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Синтез нанокристаллов alpha-SiC при карботермическом восстановлении сферических наночастиц аморфного диоксида кремния [Текст] / А. А. Жохов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1626-1631. - Библиогр.: с. 1631 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): синтез нанокристаллов -- карботермические восстановления -- диоксиды кремния -- аморфные диоксиды -- аморфные диоксиды кремния -- сферические наночастицы -- карбид кремния -- комбинационное рассеяние света -- новые материалы -- методы рентгенофазового анализа -- радиационно стойкие материалы Аннотация: Развит способ карботермического восстановления сферических частиц аморфного диоксида кремния и получены нанокристаллы гексагональных политипов alpha-SiC. Проведена характеризация полученных образцов методами рентгенофазового анализа, комбинационного рассеяния (КР) света, фотолюминесценции и электронной микроскопии. В зависимости от диаметра исходных частиц диоксида кремния получены нанокристаллы карбида кремния размером в интервале 5-50 nm. Детальный анализ спектров КР по положению линий, их уширению и сдвигу позволяет определенно установить наличие в исследуемых образцах в основном политипов карбида кремния 6H и 4H и в незначительных долях фазы 2H и 3C. Политипы 15R и 21R в исследуемых образцах отсутствуют. Отмечен заметный размерный эффект: интенсивность свечения нанокристаллов карбида кремния меньших размеров более чем в 3 раза выше, чем у SiC с большим размером нанокристаллов. Доп.точки доступа: Жохов, А. А.; Шмурак, С. З.; Хасанов, С. С.; Зверькова, И. И.; Максимук, М. Ю.; Матвеев, Д. В.; Масалов, В. М.; Киселев, А. П.; Баженов, А. В.; Емельченко, Г. А. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Вольфсон, А. А. Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H [Текст] / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 847-849 : ил. - Библиогр.: с. 848 (2 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимация -- кристаллы -- кристаллы AlN -- AlN кристаллы -- слои -- объемные слои -- подложки -- AlN -- SiC-6H Аннотация: Получение толстых слоев и объемных кристаллов AlN - одна из актуальных задач современной науки и техники. Основной метод ее решения - сублимационный, когда испаряемый при температуре около 2000oC слой AlN эптиаксиально наращивается на подложку SiC. Серьезной проблемой в этом случае является различие коэффициентов термического расширения этих материалов, которое при остывании до комнатной температуры приводит к изгибу, растрескиванию и большим механическим напряжениям в слое AlN. В данной работе рассмотрен случай самопроизвольного отделения не имеющего трещин слоя AlN от подложки SiC, что указывает на реальную возможность выстраивания такой технологии роста, при которой их разделение станет обязательным. Возможные причины самопроизвольного разделения слоя и подложки: 1) образование на интерфейсе прослойки алюминия; 2) развитие начальной стадии роста по схеме, описанной ранее, когда слой и подложка атомарно связаны только на отдельных относительно немногочисленных участках, где происходило зарождение растущего кристалла, а при остывании эти участки разрушались, и слой отделялся от подложки. Пока не ясно, какие особенности или аномалии ростового процесса привели к описываемому результату. |
Экспериментальные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-Sic [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1249-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1252 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоткки -- Шоттки диоды -- p-n переходы -- JBS-диоды -- 4H-Sic -- диффузия -- неравновесная диффузия -- бор -- статистические характеристики -- динамические характеристики Аннотация: Изготовлены интегрированные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные р-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Коньков, О. И. |
Микропластичность биоморфного композита SiC/Al при одноосном сжатии [Текст] / В. В. Шпейзман [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2315-2319. - Библиогр.: с. 2319 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): одноосное сжатие -- микропластичность -- биоморфные композиты -- метод лазерной интерферометрии -- карбид кремния Аннотация: Методом лазерной интерферометрии исследовалась неоднородность скорости микропластической деформации (скачки деформации) биоморфного композита SiC/Al при одноосном сжатии на нанометровом уровне. Величина скачков скорости деформации рассчитывалась по отклонению формы отдельных биений на интерферометрической записи деформации от стандартной, соответствующей постоянной скорости деформации в пределах одного биения. Показано, что наряду с растянутыми по перемещению (изменению длины образца) на 100-180 nm колебаниями скорости наблюдаются небольшие по ширине и амплитуде пики с расстоянием между ними 10-20 nm, а также пики шириной ~50 nm. Предполагается, что указанные величины могут быть связаны с размерами структурных образований алюминиевого сплава (зерен, субзерен, преципитатов и др. ) либо с размерами нано- и микрокристаллов SiC, расположенных отдельно от крупнозернистых кристаллов и окруженных остаточным углеродом. Результаты позволяют надеяться на возможность повышения пластичности и прочности биоморфных композитов путем увеличения доли мелкозернистых элементов (<1. 5 мюm) в их структуре. Доп.точки доступа: Шпейзман, В. В.; Песчанская, Н. Н.; Орлова, Т. С.; Смирнов, Б. И. |
Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 482-485 : ил. - Библиогр.: с. 484-485 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- n-4H-SiC -- протекание тока -- сопротивление -- термоэлектронная эмиссия -- постоянная Ричардсона -- Ричардсона постоянная -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- температура Аннотация: Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·10{17} см{-3}) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0. 1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2x10{-2} А/см{2}xK. Доп.точки доступа: Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А.; Солдатенков, Ф. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |