Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 9. - С. 48-52. . - Библиогр.: с. 51-52 (27 назв. )
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия-ртути -- радиационные дефекты -- фотодетектор -- матричные фотодетекторы -- одноэлементные фотодетекторы Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения y-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402. : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 102-109 : рис. - Библиогр.: c. 108-109 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- дифференциальное сопротивление -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- область пространственного заряда -- полная проводимость -- проводимость МДП-структур Аннотация: Полная проводимость МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследована в диапазоне температур 8-150 К при частотах переменного тестового сигнала 2 кГц - 2 МГц. Установлено, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структур с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe значительно увеличивается при снижении температуры от 77 до 8 К, а для структур без варизонного слоя изменения дифференциального сопротивления области пространственного заряда немонотонны и относительно невелики. Полученные результаты можно объяснить тем, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структуры без варизонного слоя ограничено при 8-77 К процессами туннелирования через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - процессами генерации Шокли - Рида. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 6. - С. 3-11 : рис. - Библиогр.: c. 10-11 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- проводимость МДП-структур -- сопротивление области пространственного заряда -- теллурид ртути-кадмия Аннотация: Исследована полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg_ (1-x) Cd_xTe (x = 0. 22-0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в широком диапазоне температур 8-300 К. Установлено, что для МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_ (1-x) Cd_xTe (x = 0. 22-0. 23), легированного As до концентрации 10 Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_(1-х) Cd_х Te(x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 8. - С. 59-69 : рис., табл. - Библиогр.: c. 68-69 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- адмиттанс -- варизонный слой -- время релаксации -- инверсионная емкость -- инфракрасные детекторы -- кадмий-ртуть-теллур -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевая зависимость -- сопротивление области пространственного заряда -- температурная зависимость -- фотопроводящие детекторы Аннотация: Исследован адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ (молекулярно-лучевая эпитаксия) p-Hg_ (1-х) Cd_х Te (x = 0. 22-0. 23) в режиме сильной инверсии при температурах 8-140 К. Из измерений адмиттанса определены зависимости величин основных элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии от температуры и напряжения смещения. Показано, что для МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_ (1-х) Cd_х Te (x = 0. 22-0. 23), легированного As до концентрации 10 Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. И. Горн // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 10. - С. 102-111 : рис. - Библиогр.: c. 110-111 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- КРТ -- квантовые ямы -- множественные квантовые ямы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводниковые наноструктуры -- спектры фотолюминесценции структур -- узкозоные полупроводниковые соединения -- фотолюминесценция Аннотация: Приводится анализ экспериментальных данных по получению ИК-фотолюминесценции (ФЛ) в гетероэпитаксиальных структурах на основе твёрдых растворов Cd _xHg_ (1-x) Te (КРТ), включающих множественные квантовые ямы. Доп.точки доступа: Горн, Д. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO_2/Si_3N_4 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 4. - С. 97-106 : рис., табл. - Библиогр.: c. 106 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- гистерезис вольт-фарадная характеристика -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- примесно-дефектные центры -- слои границы раздела диэлектрик - полупроводник -- структуры металл - диэлектрик - полупроводник Аннотация: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg_1- xCd_xTe (x = 0. 22-0. 23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO_2/Si_3N_4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO_2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0. 6-2. 1) ·10 Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 86-93 : рис., табл. - Библиогр.: c. 92-93 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- адмиттанс -- импульсный объемный наносекундный разряд -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- поверхности полупроводников -- поверхностные слои -- фиксированный заряд Аннотация: Экспериментально исследовано влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_0. 78Cd_0. 22Te в широком диапазоне частот и температур. Показано, что воздействие разрядом приводит к значительным изменениям электрофизических характеристик МДП-структур, которые заключаются в увеличении плотности положительного фиксированного заряда, изменению характера гистерезиса вольт-фарадных характеристик, увеличению плотности поверхностных состояний. Возможной причиной изменения характеристик МДП-структур после воздействия является существенная перестройка примесно-дефектной системы полупроводника вблизи границы раздела. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Григорьев, Д. В.; Тарасенко, В. Ф.; Шулепов, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 2. - С. 105-114 : рис., табл. - Библиогр.: c. 113 (31 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- акцепторные примеси -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- концентрация легирующей примеси -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводники -- приповерхностные слои полупроводников -- распределение концентрации примеси Аннотация: Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p -Hg0. 78Cd0. 22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц - 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p -Hg0. 78Cd0. 22Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p -Hg0. 78Cd0. 22Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[0.775]Cd[0.225]Te в режиме сильной инверсии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 8-18 : рис., табл. - Библиогр.: c. 18 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структура -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- емкость диелектрика -- емкость инверсионного слоя -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- определение концентрации примеси -- поверхность полупроводников -- сопротивление области пространственного заряда -- элементы эквивалентной схемы Аннотация: Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225], выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225] с приповерхностным варизонным слоем при 77 К и частотах, превышающих 10 кГц, имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Установлено, что концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое превышает интегральную концентрацию, найденную методом Холла, более чем в 2 раза. При помощи предложенной методики для МДП-структуры на основе n-Hg[0. 775]Cd[0. 225] без варизонного слоя определены температурные зависимости емкости диэлектрика, емкости и дифференциального сопротивления области пространственного заряда, емкости инверсионного слоя. Проведен расчет температурных и полевых зависимостей параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии, причем результаты расчета качественно согласуются с результатами, полученными из измерений адмиттанса. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] [Текст] / С. М. Дзядух [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 3-12 : рис., табл. - Библиогр.: c. 11-12 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): CdTe -- CdTe/Al -- HgCdTe -- адмиттанс МДП-структур -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- диэлектрические слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- оксид алюминия -- оптоэлектроника -- пассивирующее покрытие -- полупроводниковые твердые растворы -- проводимость полупроводника -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия/алюминий -- теллурид ртути кадмия Аннотация: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n (p) -Hg[1-x]Cd[x]Te (при x от 0. 22 до 0. 40) с диэлектриками SiO[2]/Si[3]N[4], Al[2]O[3] и CdTe/Al[2]O[3] при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n-HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al[2]O[3]. Для МДП-структур на основе p-HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника. Доп.точки доступа: Дзядух, С. М.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 77-85. - Библиогр.: с. 85 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электрический ток Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): nBn-структура -- адмиттанс -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- низкотемпературные измерения -- теллурид кадмия - ртути -- униполярные барьерные детекторы -- эквивалентная схема -- электрофизические свойства Аннотация: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn -структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0. 74 до 0. 83, а толщина этого слоя - от 210 до 300 нм. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса nBn -структур хорошо согласуются с результатами расчета при использовании метода эквивалентных схем. Предложенная эквивалентная схема состоит из двух последовательно соединенных цепочек, каждая из которых содержит параллельно включенные емкость и сопротивление. Изучено изменение значений элементов эквивалентной схемы при нагреве от 9 до 300 К, а также при подаче напряжения смещения. Впервые показано, что освещение nBn -структур на основе HgCdTe излучением с длиной волны 0. 91 мкм вызывает релаксацию значений параметров эквивалентной схемы в течение сотен минут после выключения подсветки. Обсуждаются механизмы, ответственные за элементы эквивалентной схемы, а также особенности зависимостей адмиттанса при различных параметрах барьерных слоев. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |