Действие излучения на схемы памяти с фазовым изменением на халькогенидных стеклах [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 40-47. - Библиогр.: с. 46-47 (43 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): память с фазовым переходом -- халькогенидные стекла -- GST -- радиационная стойкость Аннотация: Рассмотрены и проанализированы данные по действию облучения на элементы памяти с фазовым переходом. Рассмотрены параметры материала Ge2Sb2Te5 (GST) и ячеек памяти на его основе. Проведены оценки радиационных повреждений в GST. Полученные результаты сравниваются с имеющимися опубликованными экспериментальными данными по радиационной стойкости ячеек памяти и интегральных схем, создаваемых на основе халькогенидных материалов с различным составом. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Баранова, Е. К.; Баранова, И. В.; Бударагин, В. В.; Литвинов, В. Л. |
Разработка и исследование процессов твердофазного синтеза нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников [Текст] / А. Я. Клочков [и др.] // Материаловедение. - 2015. - № 6. - С. 15-18 . - ISSN 1684-579Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): GST -- GST-225 -- Мартинса псевдопотенциалы -- Пердью приближение -- легирование -- моделирование -- молекулярная динамика -- неупорядоченные полупроводники -- обменно-корреляционная энергия -- плоская волновая энергия -- приближение Пердью -- псевдопотенциалы Мартинса -- скалярный базис -- твердофазный синтез -- термовакуумное испарение -- фазовая память -- фазовые переходы -- функционалы плотности -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Рассмотрена методика получения халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 методом термовакуумного испарения, приведены итоги расчета функционала плотности моделирования молекулярной динамики халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) состава GST-225, при этом использовали приближение Пердью для вычисления обменно-корреляционной энергии и скалярного базиса - релятивистский расчет, основанный на вычислении псевдопотенциалов Мартинса с плоской волновой энергией среза 20 Ry. Доп.точки доступа: Клочков, А. Я.; Батуркин, C. А.; Батуркина, Е. Ю.; Коршунов, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge-Sb-Te для устройств фазовой памяти [Текст] / П. И. Лазаренко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 9. - С. 80-86 : рис., табл. - Библиогр.: c. 85-86 (25 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): GST124 -- GST147 -- GST225 -- вольт-амперные характеристики -- монокристаллы -- температурные зависимости удельного сопротивления -- тонкие пленки GST -- тонкие пленки системы Ge-Sb-Te -- фазовая память -- элекрофизические характеристики -- электрическая фазовая память -- энергетические диаграммы Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик аморфных тонких пленок на основе материалов системы Ge-Sb-Te составов GeSb[4]Te[7] (GST147), GeSb[2]Te[4] (GST124), Ge[2]Sb[2]Te[5] (GST225), применяемых в устройствах фазовой памяти. Определено влияние изменения состава тонких пленок на температуру кристаллизации, удельные сопротивления в аморфном и кристаллическом состояниях и энергию активации проводимости. Выявлено, что особенностью данных материалов является механизм двухканальной проводимости, при котором вклад в электропроводность вносят носители, возбужденные в локализованные состояния в хвостах зон, и носители в распространенных состояниях валентной зоны. Доп.точки доступа: Лазаренко, П. И.; Козюхин, С. А.; Шерченков, А. А.; Бабич, А. В.; Тимошенков, С. П.; Громов, Д. Г.; Заболотская, А. В.; Козик, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ассоциативная связь молекулярно-генетических и биохимических маркеров с характером течения хронической фтористой интоксикации у рабочих алюминиевой промышленности [Текст] / Т. К. Ядыкина [и др.] // Медицина труда и промышленная экология. - 2019. - Т. 59, № 6. - С. 324-329 : 1 табл. - Библиогр.: с. 328-329 (19 назв.) . - ISSN 1026-9428
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки Гигиена труда Кл.слова (ненормированные): алюминиевая промышленность -- рабочие -- вредные производственные факторы -- флюороз -- фтористая интоксикация -- хроническая фтористая интоксикация -- нарушения метаболизма -- молекулярно-генетические маркеры -- биохимические маркеры -- CYP -- GST -- SOD -- гены -- полиморфизм генов -- наследственность Аннотация: Оценен комплекс клинико-генетических параметров у рабочих алюминиевого завода с определением содержания вредных примесей в воздухе рабочих зон. Определена ассоциативная связь генов CYP, GST, SOD с характером течения фтористой интоксикации. Показано, что развитие флюороза предопределяется наследственной компонентой. Ассоциированные с динамикой метаболической дезадаптации маркеры позволяют спрогнозировать течение заболевания. Доп.точки доступа: Ядыкина, Татьяна Константиновна (кандидат биологических наук); Гуляева, О. Н.; Румпель, О. А.; Семенова, Е. А.; Жукова, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |