Левин, М. Н. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 613-616
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- запрещенная зона -- глубокие уровни -- дефекты -- параметр регуляризации Аннотация: Метод DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящх к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. Предложено использовать подход L-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Laplace-DLTS для исключения некотролируемых ошибок и повышения достоверности получаемых результатов. Возможности метода продемонстрированы численным анализом модельного релаксационного сигнала, содержащего 3 экспоненты с близкими значениями показателей и малую шумовую составляющую. Показано, что предложенный вариант Laplace-DLTS с использованием L-кривой для выбора параметра регуляризации или LL-DLTS обладает большей надежностью по сравнению с методом Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по невязке. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э. |
Соболев, М. М. Состояния Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. П. Васильев, В. Н. Неведомский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 790-794. : ил. - Библиогр.: с. 794 (20 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- вертикально-коррелированные КТ -- ВККТ -- сверхрешетки -- СР -- InAs/GaAs -- гетероструктуры -- состояния Ваннье - Штарка -- Ваннье - Штарка состояния -- вольт-фарадные характеристики -- просвечивающая электронная микроскопия -- электроны -- нестационарная емкостная спектроскопия -- DLTS -- волновые функции -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов и дырок из состояний 10-слойной системы туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек InAs/GaAs, проведенные с помощью методов вольт-фарадных характеристик и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Толщина прослойки GaAs между слоями квантовых точек InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была ~3 нм. Установлено, что изменение мультимодального периодического DLTS-спектра этой структуры находится в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Выявлено, что исследуемая структура характеризуется проявлением эффекта Ваннье-Штарка в сверхрешетке InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье-Штарка. Доп.точки доступа: Васильев, А. П.; Неведомский, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках [Текст] / Е. А. Татохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1031-1037. : ил. - Библиогр.: с. 1037 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- ГУ -- релаксационная спектроскопия глубоких уровней -- РСГУ -- DLTS -- метод релаксационной спектроскопии -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- запрещенные зоны -- изометрическая релаксация емкости -- ИРЕ -- статистические методы -- статистический анализ Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения. Доп.точки доступа: Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожный, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационно-индуцированные центры с высокой термической стабильностью в кремнии Р-типа [Текст] / С. Б. Ластовский [и др.] // Перспективные материалы. - 2013. - № 9. - С. 19-23 : 4 рис. - Библиогр.: с. 22-23 (7 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): кремниевые n{+}-р{-}структуры -- облучение быстрыми электронами -- дефекты -- высокая термическая стабильность -- DLTS-спектры Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (deep level transient spectroscopy - DLTS) изучены электронные свойства радиационно-индуцированных центров (РИЦ), образующихся при высокотемпературном отжиге (T отж = 600 - 800 К) кремниевых диодных n{+}-р{-}структур, облученных быстрыми электронами с Е = 4 МэВ при Т обл = 300 К. Доп.точки доступа: Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Медведева, И. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |