Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А. |