Асатрян, Г. Р. Электронный парамагнитный резонанс ионов Er{3+} в поликриталлическом альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Г. Р. Асатрян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1021-1025. - Библиогр.: с. 1025 (5 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод золь-гель-технологии -- поликристаллический корунд -- спектры ЭПР -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- эрбий Аннотация: Обнаружены спектры ЭПР редкоземельных ионов Er{3+} в поликриталлическом корунде альфа-Al[2]O[3], синтезированном методом золь-гель-технологии. Показано, что спектры ЭПР принадлежат ионам Er{3+} в основном состоянии, соответствующем нижнему штарковскому подуровню подтерма{4}I[15/2], и описываются спиновым гамильтонианом аксиальной симметрии с эффективным спином S = 1/2 и g-тензором. Средняя величина g-тензора равная 6. 82 соответствует состоянию Г[7] в кубическом поле. Предполагается, что в кристалле корунда Al[2]O[3] эрбий замещает алюминий, при этом, несмотря на очевидное раздвижение решетки вокруг иона Er{3+}, сохраняется локальная симметрия C[3] иона Al[2]O[3]. Доп.точки доступа: Захарченя, Р. И.; Куценко, А. Б.; Бабунц, Р. А.; Баранов, П. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кобелев, Н. П. Упругие модули высших порядков объемного металлического стекла Zr[52. 5]Ti[5]Cu[17. 9]Ni[14. 6]Al[10] [Текст] / Н. П. Кобелев, Е. Л. Колыванов, В. А. Хоник // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1153-1158. - Библиогр.: с. 1158 (13 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): модули упругости -- объемные аморфные сплавы -- объемные металлические стекла -- упругие модули высших порядков Аннотация: Проведен расчет (с точностью до квадратичных членов по внешней нагрузке) влияния упругого нагружения на скорость распространения звуковых колебаний в твердом теле. На основе этого расчета и экспериментальных данных по влиянию одноосного нагружения на распространение ультразвуковых волн в объемном металлическом стекле Zr[52. 5]Ti[5]Cu[17. 9]Ni[14. 6]Al[10] получены оценки его упругих модулей третьего и четвертого порядков. Доп.точки доступа: Колыванов, Е. Л.; Хоник, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шалаева, Е. В. Ab initio расчеты стабильности и структурных дефектов фаз B2-Cu[x]Fe[1-x]Al [Текст] / Е. В. Шалаева, Н. И. Медведева, И. Р. Шеин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1195-1200. - Библиогр.: с. 1200 (25 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ab initio зонный метод -- алюминиды переходных металлов -- антиузельные дефекты -- вакансии -- локальный магнитный момент -- смещенные атомы -- структурные дефекты Аннотация: Ab initio зонным методом исследованы стабильность фаз B2-Cu[x]Fe[1-x]Al и энергия образования структурных дефектов. Для сплавов B2-Cu[x]Fe[1-x]Al более устойчивыми являются вакансии в подрешетке 3d-металлов и конфигурации с минимальным количеством связей Fe-Cu в первой координационной сфере, в том числе антиузельные дефекты Fe, имеющие большой локальный магнитный момент. Вблизи составов Cu[0. 875]Fe[0. 125]Al предполагаются сложные комплексы дефектов с вакансиями и смещенными атомами, близкие по структуре к атомным конфигурациям вакансионно-упорядоченных фаз AlCu. Доп.точки доступа: Медведева, Н. И.; Шеин, И. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Григорьев, С. В. Двумерные пространственно-упорядоченные системы Al[2]O[3]: исследование методом малоуглового рассеяния нейтронов [Текст] / С. В. Григорьев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 549-554
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): оксид алюминия -- анодированный оксид алюминия -- пленки оксида алюминия -- малоугловое рассеяние нейтронов -- пространственно-упорядоченные системы Аннотация: Работа посвящена изучению структуры пленок анодированного оксида алюминия методом малоуглового рассеяния нейтронов. Получено теоретическое решение для описания нейтронного рассеяния на упорядоченной пористой структуре Al[2]O[3]. Анализ данных нейтронного эксперимента продемонстрировал возможность получения пористых мембран с идеально периодической гексагональной упаковкой пор на большой площади. Доп.точки доступа: Григорьева, Н. А.; Сыромятникова, К. С.; Напольский, К. С.; Елисеев, А. А.; Лукашин, А. В.; Третьяков, Ю. Д.; Эккерлебе, Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Илясов, В. В. Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура азота в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N [Текст] / В. В. Илясов, Т. П. Жданова, И. Я. Никифоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1369-1372. - Библиогр.: с. 1372 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): азот -- рентгеновские спектры -- твердые растворы -- электронная энергетическая структура азота -- энергетический спектр электронов -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура валентной полосы и области XANES азота в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и кристаллах GaN и AlN. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с K-спектрами эмиссии и поглощения азота. Проведено сравнение электронной энергетической структуры вершины валентной полосы и области XANES в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и бинарных кристаллах GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Приведены аналогии эволюции электронной структуры валентной полосы и области XANES данных сплавов и сплавов Al[x]B[1-x]N и B[x]Ga[1-x]N, обсуждаются их общие тенденции при изменении структуры и свойств. Доп.точки доступа: Жданова, Т. П.; Никифоров, И. Я. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Карькина, Л. Е. Электронно-микрокристаллическое изучение микротрещин в монокрситаллическом Ti[3]Al [Текст] / Л. Е. Карькина, О. А. Елкина, Л. И. Яковенкова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1603-1607. - Библиогр.: с. 1607 (15 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): алюминид титана -- дислокации -- интерметаллиды -- микротрещины в алюминиде титана -- электронно-микроскопический анализ дислокаций Аннотация: Проведен электронно-микроскопический анализ микротрещин в сплаве Ti[3]Al, подвергнутом индентированию при комнатной температуре. Установлено, что микротрещины распространяются по плоскостям пирамиды {0111} и в полосах скольжения 2c+a сверхдислокаций в плоскостях пирамиды {2021} и {1121}. Обнаружено, что формирование полосы скольжения в плоскости базиса в вершине микротрещины приводит к изменению характера ее распространения от прямолинейной к ступенчатой. Показана возможность зарождения микротрещины на линии пересечения плоской пирамиды {1121} и призмы {0110}. Доп.точки доступа: Елкина, О. А.; Яковенкова, Л. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ильяшева, Екатерина Владимировна. Исследование физико-химических свойств стекловидных материалов системы SrO-Al{2}O{3}-B{2}O{3} [Текст] / Е. В. Ильяшева // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 16-20. - Библиогр.: с. 20 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): стекло -- расплавы -- диэлектрическая проницаемость -- материалы -- ситаллоцементы -- физические свойства -- химические свойства -- стекловидные материалы -- исследования Аннотация: Проведены систематические исследования физико-химических свойств системы SrO-Al{2}O{3}-B{2}O{3} и анализ зависимостей состав-свойство. |
Феноменологическое описание процесса диспергирования на капли тонких пленок кремния толщиной 8-60 нм на инертной поверхности Al{2}O{3} [Текст] / А. А. Буздуган [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 21-28. - Библиогр.: с. 27-28 (19 назв. )
Рубрики: Механика Гидромеханика Кл.слова (ненормированные): диспергирование -- тонкие пленки -- плавление -- кремний -- электронная микроскопия -- инертные поверхности -- оксиды аллюминия -- растровая микроскопия -- феноменологическое описание -- процессы -- оксиды -- алюминий -- нагревы -- вакуумы Аннотация: Исследован процесс диспергирования аморфных тонких пленок кремния толщиной 8-60нм на поверхности оксида алюминия с использованием методов растровой электронной микроскопии и измерения тока через тонкую пленку непосредственно в процессе нагрева в вакууме. Доп.точки доступа: Буздуган, Алексей Анатольевич; Гаврилов, Сергей Александрович; Громов, Дмитрий Геннадьевич; Редичев, Евгений Николаевич; Чулков, Игорь Сергеевич |
Термоэдс композитов металлических наночастиц Co в аморфной диэлектрической матрице Al[2]O[n] [Текст] / В. А. Белоусов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1762-1769. - Библиогр.: с. 1768-1769 (19 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные диэлектрические матрицы -- композиты металлических наночастиц кобальта -- магнитные нанокомпозиты -- магнитотермоэдс -- нанокомпозиты металл-диэлектрик -- термоэдс нанокомпозитов -- электрическая проводимость композитов Аннотация: Исследованы концентрационные и температурные зависимости термоэдс композитов с наночастицами Co в диэлектрической матрице Al[2]O[n]. Для композитов до порога протекания, т. е. в области реализации туннельной проводимости, абсолютные значения термоэдс меньше абсолютных значений термоэдс за порогом протекания. В области туннельной проводимости при температуре окло 205 K отмечается изменение угла наклона температурных зависимостей термоэдс, что может свидетельствовать о ее чувствительности к смене механизма проводимости от закона Мотта к степенной зависимости, соответствующей модели неупругого резонансного туннелирования через цепочку локализованных состояний диэлектрической матрицы. Введение в процессе напыления кислорода приводит к понижению абсолютных значений термоэдс, при этом характер изменения концентрационных и температурных зависимостей не изменяется. Доп.точки доступа: Белоусов, В. А.; Грановский, А. Б.; Калинин, Ю. Е.; Ситников, А. В. |
Псевдоупругая деформация и генерация реактивных напряжений в сплаве с эффектом памяти формы Cu-Al-Ni в диапазоне температур 4. 2 - 293 K [Текст] / В. И. Николаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1791-1796. - Библиогр.: с. 1796 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): генерация -- мартенситное превращение -- псевдоупругая деформация -- реактивные напряжения -- теория размытых мартенситных переходов -- эффект памяти формы Аннотация: Экспериментально исследованы псевдоупругая деформация и величина реактивных напряжений в монокристаллах сплава с эффектом памяти формы Cu - 14. 2% Al - 4, 5Ni в диапазоне температур 4. 2 - 292 K. Установлено, что в этих сплавах эффекты псевдоупругости и памяти формы наблюдается во всем указанном диапазоне. При нагреве защемленных образцов с постоянной скоростью от температуры кипения жидкого гелия найдено, что до 100 K величина реактивных напряжений непрерывно возрастает, а затем остается постоянной. Когда температура предварительной деформации была 77 K, генерация реактивных напряжений при повышении температуры происходила в два этапа, что согласуется с многостадийным характером кривых псевдоупругой деформации этого сплава выше температуры кипения жидкого азота. В рамках теории размытых мартенситных переходов сделан количественный расчет кривых псевдоупругой деформации и реактивных напряжений в области температур 4. 2 - 292 K в условиях двухступенчатого характера мартенситного превращения. Доп.точки доступа: Николаев, В. И.; Пульнев, С. А.; Малыгин, Г. А.; Шпейзман, В. В.; Никаноров, С. П. |
Перевалова, О. Б. Исследование микроструктуры интерметаллического соединения Ni[3]Al, полученного компактированием продукта теплового взрыва порошковой смеси чистых элементов [Текст] / О. Б. Перевалова, В. Е. Овчаренко // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 40-44 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): порошковые смеси -- компактирование -- продукты тепловых взрывов -- порошковые смеси чистых элементов -- интерметаллические соединения -- высокотемпературный синтез -- оптическая металлография -- сканирующая электронная микроскопия -- просвечивающая микроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- микрорентгеноспектральный локальный анализ Аннотация: Методами оптической металлографии, просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, микрорентгеноспектрального локального анализа и рентгеновской дифрактометрии исследована микроструктура, фазовый и элементный состав интерметаллического соединения Ni[3]Al, полученного компактированием продукта теплового взрыва порошковой смеси чистых элементов. Доп.точки доступа: Овчаренко, В. Е. |
Ташлыкова-Бушкевич, И. И. Анализ микроструктуры быстрозатвердевших сплавов Al-Mn [Текст] / И. И. Ташлыкова-Бушкевич, В. Г. Шепелевич // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 65-70 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Техника Материаловедение Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхбыстрая закалка -- сверхбыстрая закалка из расплава -- оксидные пленки -- микроструктура быстрозатвердевших сплавов -- быстрозатвердевшие сплавы -- фольги Аннотация: Методами РЭМ, РОР И ОЭС изучено влияние сверхбыстрой закалки из расплава на микроструктуру сплавов Al-Mn. Доп.точки доступа: Шепелевич, В. Г. |
Крыченко, О. В. Биомиметические клеточные наноконструкции - прототипы молекулярных машин [Текст] = Biomimetical cellular nanoframeworks as prototype of molecular mashine (brief review) : (краткий обзор) / Крыченко О. В., Яновский Ю. Г. // Механика композиционных материалов и конструкций. - 2008. - Т. 14, N 3. - С. 430-442. - Библиогр.: с. 439-442 (70 назв. ) . - ISSN 1029-6670
Рубрики: Биология Общая цитология Кл.слова (ненормированные): биомиметические клеточные наноконструкции -- искусственная клетка -- синтез искусственной клетки -- неорганические клетки -- неорганические биосистемы -- композиционные наноконструкции -- биомиметические нанотехнологии -- молекулярные нанороботы -- молекулярные машины -- моделирование органической клетки -- моделирование неорганической клетки -- моделирование неорганической формы жизни -- AL -- ALife -- artificial life Аннотация: Приводится обзор литературы по синтезу искусственной клетки, анализируются причины низкой эффективности известных используемых методик. Авторами статьи предлагаются принципы, позволяющие избежать недостатков предшествующих работ, в частности, применив метод самосборки искусственной клетки под действием специально модулируемого излучения. Доп.точки доступа: Яновский, Ю. Г. |
Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S. |
GRAND OPENING в Астрахани [Текст] // Отель. - 2009. - N 4. - С. 22-24 : ил.: 4 фото
Рубрики: Экономика Экономика гостиничного хозяйства--Астрахань, 2009 Кл.слова (ненормированные): отели -- гостиничный бизнес -- строительство отелей -- условия выживания отелей Аннотация: Открытие уникального 5-звездочного отеля в Астрахани. Возможности отеля в период экономического кризиса. Доп.точки доступа: Al Pach GRAND HOTEL |
Александров, О. В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига [Текст] / О. В. Александров, Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 584-589
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- примеси AL -- карбид кремния -- полупроводники -- ионы -- кристаллические решетки Аннотация: Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между альфa- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В. |
Оптические свойства пленок GaN/Al[2]O[3], легированных кремнием [Текст] / Н. С. Заяц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 617-620
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллические пленки -- широкозонные полупроводники -- газофазная эпитаксия -- запрещенная зона -- легирование пленок Аннотация: Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования N[Si]=1. 5 х 10\{19\} см\{-3\}), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E[0], коэффициент поглощения альфа, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. Доп.точки доступа: Заяц, Н. С.; Генцарь, П. А.; Бойко, В. Г.; Литвин, О. С.; Вуйчик, Н. В.; Стронский, А. В.; Янчук, И. Б. |
Маркосов, М. С. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / М. С. Маркосов, Р. П. Сейсян // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 656-661
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экситонное поглощение -- линии экситонного поглощения -- квазибинарные растворы -- деформационное расщепление -- экситонные поляритоны Аннотация: Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As (x=0. 15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Гамма[c]=0. 32 мэВ и поглощением насыщения K[max]=89. 5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры T[c]=155 К не превышает 0. 2 мэВ. Найдено, что "естественная" ширина линии 1s-экситона не превышает 2. 6 мэВ (при T=1. 7 К), что согласуется с теоретическими оценками. Доп.точки доступа: Сейсян, Р. П. |
Орлов, М. Л. Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном транзисторе In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As [Текст] / М. Л. Орлов, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 679-688
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дифференциальное сопротивление -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- терагерцовое излучение -- транзисторы -- короткоканальные транзисторы Аннотация: Обсуждается эффект отрицательного дифференциального сопротивления, наблюдаемый при аномально низких напряжениях на выходных характеристиках модулированно-легированного полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. В обсуждаемых экспериментах порог появления отрицательного дифференциального сопротивления зависит не только от длины затвора, на что указывалось ранее, но и от разности потенциалов между затвором и стоком. Показано, что отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдаемое на выходных характеристиках короткоканального полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As при аномально низких значениях порогового напряжения, связано с формированием второго транспортного канала вследствие резонансного перехода горячих электронов с верхних уровней квантовой ямы в надбарьерный слой через состояния ионизованной донорной примеси. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К. |
Антошина, Л. Г. Мессбауэровское исследование феррита меди при разбавлении ионами Ga{3+} и Al{3+} [Текст] / Л. Г. Антошина, Е. Н. Ефстафьева, А. А. Опаленко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 737-740. - Библиогр.: с. 740 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): athhbn vtlb -- мессбауэровские спектры -- ферримагнитное упорядочение -- октаэдрические узлы -- тетраэдрические узлы -- спонтанная намагниченность -- коэрцитивная сила Аннотация: При температуре 295 K исследованы мессбауэровские спектры системы CuGa[x]Al[2x]Fe[2-3x]O[4] (x = 0. 1, 0. 2, 0. 3, 0. 4 и 0. 5). Проведено сравнение полученных результатов с данными мессбауэровских исследований для системы CuGa[x]Al[x]Fe[2-2x]O[4]. Установлено, что для ферритов обеих систем, имеющих ферримагнитное упорядочение, значения сверхтонкого магнитного поля H[B] (для октаэдрических узлов) и H[A] (для тетраэдрических узлов) уменьшаются линейно в зависимости от общего количества немагнитных ионов в октаэдрических и тетраэдрических узлах обеих систем. Доп.точки доступа: Евстафьева, Е. Н.; Опаленко, А. А. |