Асатрян, Г. Р. Электронный парамагнитный резонанс ионов Er{3+} в поликриталлическом альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Г. Р. Асатрян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1021-1025. - Библиогр.: с. 1025 (5 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод золь-гель-технологии -- поликристаллический корунд -- спектры ЭПР -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- эрбий Аннотация: Обнаружены спектры ЭПР редкоземельных ионов Er{3+} в поликриталлическом корунде альфа-Al[2]O[3], синтезированном методом золь-гель-технологии. Показано, что спектры ЭПР принадлежат ионам Er{3+} в основном состоянии, соответствующем нижнему штарковскому подуровню подтерма{4}I[15/2], и описываются спиновым гамильтонианом аксиальной симметрии с эффективным спином S = 1/2 и g-тензором. Средняя величина g-тензора равная 6. 82 соответствует состоянию Г[7] в кубическом поле. Предполагается, что в кристалле корунда Al[2]O[3] эрбий замещает алюминий, при этом, несмотря на очевидное раздвижение решетки вокруг иона Er{3+}, сохраняется локальная симметрия C[3] иона Al[2]O[3]. Доп.точки доступа: Захарченя, Р. И.; Куценко, А. Б.; Бабунц, Р. А.; Баранов, П. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Применение автоматизированной установки на базе характериографа "Эрбий-7107" для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки Ленгмюра-Блоджетт [Текст] / А. А. Невешкин [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 7. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (9 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- наноразмерная органическая пленка -- автоматизированная измерительная установка -- наноразмерные пленки Аннотация: Описана автоматизированная установка для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки. Рассмотрены конструктивные особенности измерительной установки, схема ее сопряжения с компьютером и программное обеспечение. Подробно описаны конструкция и функциональные возможности измерительной ячейки. Доп.точки доступа: Невешкин, А. А. (канд. техн. наук); Ревзин, Б. А.; Горин, Д. А. (канд. хим. наук); Ященок, А. М. (канд. физ. -мат. наук); Климов, Б. Н. (д-р техн. наук); Кумаков, А. В.; Кумаков, Ю. А. |
Влияние высокотемпературной обработки на структуру и эмиссионные свойства опала, легирванного эрбием [Текст] / В. М. Масалов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1091-1096. - Библиогр.: с. 1096 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композиты опал-эрбий -- эрбий -- опал -- высокотемпературная обработка -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- спектры отражения композитов -- нанокомпозиты Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной обработки композитов опал-эрбий на их спектральные свойства в области длин волн 1. 5 мюm, измерена концентрационная зависимость интенсивности люминесценции от содержания эрбия и изучена структура композита методом просвечивающей электронной микроскопии после высокотемпературной обработки. Регулярная структура композитов претерпевает значительные изменения вплоть до полной утраты периодичности при температурах отжига 1500 K и длительностях обработки 10 h и более. При этом композиты спекаются в однородную массу. Поры исчезают. На месте пор остаются включения оксида эрбия в форме шаров правильной круглой формы, размер которых варьирует от 30 до 70 nm. Измерения спектров люминесценции в области длин волн 1. 5 мюm для композитов опал-эрбий с концентрацией оксида эрбия в диапазоне 0. 25-16 wt. % показали максимум выхода люминесценции при содержании Er[2]O[3] в композите 1 wt. %. При исследовании влияния температуры и длительности обработки образцов на интенсивность люминесценции обнаружен немонотонный характер зависимости от времени отжига для всех исследованных температур. Обсуждаются причины такого поведения. Исследования спектров отражения композитов опал-1 wt. % Er[2]O[3] после термообработок показывают, что фотонная запрещенная зона образцов деградирует при температурах отжига 1300 K и выше. Намечен способ сохранения периодической структуры при термообработках путем введения в опал стабилизирующей фазы. Доп.точки доступа: Масалов, В. М.; Штейнман, Э. А.; Терещенко, А. Н.; Кудренко, Е. А.; Баженов, А. В.; Ковальчук, М. А.; Ходос, И. И.; Емельченко, Г. А. |
Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
Дьяков, С. А. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. А. Дьяков, Д. М. Жигунов, В. Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 486-490 : ил. - Библиогр.: с. 490 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- ионы эрбия -- эрбий -- Er -- фотолюминесцентные свойства -- кремниевые нанокластеры -- аморфные нанокластеры -- нанокластеры -- нанокристаллы -- кремний -- диоксид кремния -- длина волны -- легирование -- время жизни ионов эрбия -- спектры фотолюминесценции -- кинетика фотолюминесценции -- сравнительный анализ -- кристаллические нанокластеры Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства структур аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров со средними размерами не более 4 нм в легированной эрбием матрице диоксида кремния. Установлено, что при увеличении концентрации ионов Er{3+} от 10{19} до 10{21} см{-3} времена жизни их фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм уменьшаются от 5. 7 до 2. 0 мс в образцах с аморфными нанокластерами, в то время как для структур с нанокристаллами указанные времена лежат в диапазоне от 3. 5 до 1. 5 мс. Укорочение времен жизни эрбиевой фотолюминесценции с ростом концентрации ионов объясняется эффектами концентрационного тушения и влиянием остаточных постимплантационных дефектов, в то время как различие времен для образцов с аморфными и кристаллическими нанокластерами интерпретируется как проявление разных вероятностей обратной передачи энергии от ионов Er{3+} к твердотельной матрице в обсуждаемых типах структур. Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира [Текст] / С. А. Матвеев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2013. - № 1 (165). - С. 24-28 : ил. - Библиогр.: с. 28 (7 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- кремниево-германиевые структуры -- эрбий -- полупроводники -- оптоэлектроника -- кремниевая фотоника -- сапфир -- сапфировые подложки Аннотация: Получены эпитаксиальные слои SiGe: Er на подложках сапфира, обладающие фотолюминесценцией эрбия на длине волны 1, 54 мкм. Изучена зависимость структурного совершенства и интенсивности фотолюминесценции слоев от параметров роста.Epitaxial SiGe: Er layers on sapphire substrates which have erbium photoluminescence at a wavelength of 1, 54 microns have been obtained. The structural quality and the PL intensity dependencies of the layers on the growth parameters were studied. Доп.точки доступа: Матвеев, Сергей Александрович; Денисов, Сергей Александрович; Чалков, Вадим Юрьевич; Шенгуров, Владимир Геннадьевич; Степихова, Маргарита Владимировна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Применение регрессии на латентные структуры для определения температуры активированной ионами эрбия свинцово-фторидной наностеклокерамики по спектрам апконверсионной флуоресценции [Текст] / В. А. Асеев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 5. - С. 760-762 : табл., граф. - Библиогр.: с. 762 (9 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): апконверсионная флуоресценция -- ионы эрбия -- латентные структуры -- наностеклокерамика -- эрбий Аннотация: На примере свинцово-фторидной наностеклокерамики, активированной ионами эрбия, в диапазоне от 44 до 150 градусов по Цельсию проведено определение температуры путем построения регрессии на латентные структуры спектров апконверсионной флуоресценции в фиолетовой, зеленой и красной полосах. Показано, что оптимальным с точки зрения точности измерения температуры является четырехмерное пространство латентных структур, позволяющее с помощью обучающего набора спектров флуоресценции с шагом 10 градусов Цельсия определять температуру выше 70 градусов Цельсия с относительной погрешностью не более 0, 5 процентов. Доп.точки доступа: Асеев, В. А.; Варакса, Ю. А.; Колобкова, Е. В.; Синицын, Г. В.; Ходасевич, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |