Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 996-1001 : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магний -- легирование -- метод газофазной эпитаксии -- МО ГФЭ -- морфология поверхности -- несущий газ -- слои GaN -- GaN слои -- эпитаксильные слои Аннотация: Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа. Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Михайловский, Г. А.; Брунков, П. Н.; Гончаров, В. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Цацульников, А. Ф. |