Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1261-1266 : ил. - Библиогр.: с. 1265 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) -- спинодальный распад -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- фазообразование -- рентгеновская дифракция -- электронная микроскопия -- сателлиты -- рентгеновские рефлексы -- рентгеноструктурные исследования Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) в области составов x ~ 0. 50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Ga[x]In[1-x]P, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Руднева, Вал. Е.; Руднева, В. Е.; Гордиенко, Н. Н.; Глотов, А. В.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А. |