Определение состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом [Текст] / Ю. Н. Пархоменко [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 1. - С. 29-31 . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): определение состава твердых растворов -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]Sb -- рентгенодифрактометрический метод -- индий -- галлий -- сурьма -- эпитаксиальные структуры -- рентгеновский дифрактометрический метод -- дифрактометрический метод -- методы контроля состава твердых растворов -- контроль состава твердых растворов -- растворы-расплавы Аннотация: Описана методика определения состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом. Доп.точки доступа: Пархоменко, Ю. Н.; Шленский, А. А.; Павлов, В. Ф.; Шепекина, Г. В.; Югова, Т. Г. |
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 337-341
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О. |
Вольфсон, А. А. Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации [Текст] / А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 418-421
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): толстые эпитаксиальные слои -- GaN -- сандвич-метод -- катодолюминесценция -- оптоэлектронные приборы -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1. 5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0. 5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности. Доп.точки доступа: Мохов, Е. Н. |
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1519-1522. : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дефекты в имплантированных мышьяком р{+}-n- и n{+}-p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 92-97. - Библиогр.: c. 97 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe -- активационный отжиг -- имплантированные ионы -- ионная имплантация -- ионная имплантация As -- ионы мышьяка -- радиационные дефекты -- радиационные донорные дефекты -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd[x]Hg[1- x]Te (x = 0. 22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n{+}-p - и n{+}-n-структурах, сформированных соответственно на базе материала р-типа и n-типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p{+}-n-структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов. Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Фицыч, Е. И.; Войцеховский, А. В.; Коротаев, А. Г.; Мынбаев, К. Д.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Бончик, А. Ю.; Савицкий, Г. В.; Свёнтек, З. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Романов, И. С. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C [Текст] / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 1. - С. 164-166 : рис. - Библиогр.: c. 166 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диффузия магния -- квантовые ямы -- магний -- нитриды галлия -- нитриды индия -- пирометр -- светодиодные структуры -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p-GaN. Произведена оценка коэффициента диффузии для реальных температур роста 860, 910 и 980°С, значения составили 7. 5•10{-17}, 2. 8•10{-16} и 1. 2•10{-15} см{2}/с соответственно. Приведенные в работе значения температуры измерялись на поверхности растущего слоя in situ с помощью пирометра. Вычисленная энергия активации для температурной зависимости коэффициента диффузии составила 2. 8 эВ. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Брудный, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |