Илясов, В. В. Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура азота в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N [Текст] / В. В. Илясов, Т. П. Жданова, И. Я. Никифоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1369-1372. - Библиогр.: с. 1372 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): азот -- рентгеновские спектры -- твердые растворы -- электронная энергетическая структура азота -- энергетический спектр электронов -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура валентной полосы и области XANES азота в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и кристаллах GaN и AlN. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с K-спектрами эмиссии и поглощения азота. Проведено сравнение электронной энергетической структуры вершины валентной полосы и области XANES в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и бинарных кристаллах GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Приведены аналогии эволюции электронной структуры валентной полосы и области XANES данных сплавов и сплавов Al[x]B[1-x]N и B[x]Ga[1-x]N, обсуждаются их общие тенденции при изменении структуры и свойств. Доп.точки доступа: Жданова, Т. П.; Никифоров, И. Я. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кричевцов, Б. Б. Магнитные и магнитооптические свойства эпитаксиальных пленок кобальта, выращенных на гофрированной поверхности CaF[2]/Si [Текст] / Б. Б. Кричевцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1410-1420. - Библиогр.: с. 1420 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анизотропия -- гетероструктуры -- гофрированная поверхность -- магнитооптическая анизотропия -- намагниченность -- оптическая анизотропия -- петли гистерезиса -- пленки -- пленки кобальта -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Приведены результаты исследования магнитных свойств гетероструктур CaF[2]/Co/CaF[2] (100) /Si (001), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и имеющих гофрированную поверхность буферного слоя CaF[2]. Оптические и магнитооптические свойства исследованных структур отражают C[2v]-симметрию поверхности гофрированной структуры. Изучение петель гистерезиса с помощью меридионального и экваториального магнитооптических эффектов Керра при наклонном падении, а также магнитооптических явлений в отражении при падении света, близком к нормальному, показало, что присутствие гофрированной структуры поверхности приводит к оптической и магнитооптической анизотропии. Процесс намагничивания таких структур в широком диапазоне магнитных полей происходит путем когерентного вращения намагниченности. Магнитная анизотропия структур описывается при учете гауссовского распределения осей легкого намагничивания в гранулах кобальта вокруг направления, параллельного направлению канавок. Показано, что асимметрия петель гистерезиса поворота плоскости поляризации, наблюдаемая при наклонном и нормальном падении света, связана с проявлением квадратичных по магнитному моменту вкладов и эффективную диэлектрическую проницаемость пленок. Доп.точки доступа: Кавеев, А. К.; Баланеев, А.; Соколов, Н. С.; Camarero, J.; Miranda, R. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бойков, Ю. А. Электро- и магнетотранспорные свойства эпитаксиальных пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3], двухосно механически сжатых подложкой [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1451-1455. - Библиогр.: с. 1455 (17 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двухосные сжимающие механические напряжения -- магнетосопротивление пленок -- перовскитоподобные манганиты -- ферромагнитное упорядочение спинов -- ферромагнитные фазовые переходы -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Сформированы и исследованы пленки La[2/3]Ba[1/3]MnO[3] (LBMO), двухосно механически сжатые подложкой в процессе своего формирования. толщина d = 20 mn выращенных манганитных пленок не превышала критической, при которой начинается релаксация механических напряжений. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Магнитоэлектрическое управление доменными границами в пленке феррита-граната [Текст] / А. С. Логгинов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 2. - С. 124-127
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ферриты-гранаты -- эпитаксиальные пленки -- электрическое поле -- доменные границы -- магнитные домены Аннотация: Обнаружен эффект смещения границ магнитных доменов под действием электрического поля в эпитаксиальных пленках ферритов-гранатов (кристаллографическая ориентация подложки (210) ). Смещение доменных границ изменялось на противоположное при смене полярности электрического напряжения и не зависело от направления намагниченности в домене. В качестве механизма наблюдаемого явления предложен неоднородный магнитоэлектрический эффект. Доп.точки доступа: Логгинов, А. С.; Мешков, Г. А.; Николаев, А. В.; Пятаков, А. П. |
Костишко, Б. М. Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле [Текст] / Б. М. Костишко, А. В. Золотов, Ю. С. Нагорнов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 372-375
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопористый кремний -- бездефектные гетероэпитаксиальные слои кремния -- эпитаксиальные пленки -- термический отжиг -- отжиг -- поры Аннотация: Представлены результаты моделирования процессов термического отжига пористого кремния под действием высокотемпературного нагрева как в однородном температуром поле, так и в условиях наличия в системе линейного градиента температур. Доп.точки доступа: Золотов, А. В.; Нагорнов, Ю. С. |
Бойков, Ю. А. Отклик электросопротивления пленок (20 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3]/ (001) LaAlO[3] на магнитное поле и изменение температуры [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 297-301. - Библиогр.: с. 300-301 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отклик электросопротивления пленок -- электросопротивление -- эпитаксиальные пленки -- перовскитоподобные манганиты -- манганитные пленки Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнитотранспортные параметры эпитаксиальных пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] толщиной 20 nm, выращенных методом лазерного испарения на подложках (001) LaAlO[3]. Объем элементарной ячейки V[eff] = 58. 80 A{3} выращенных манганитных пленок был меньше соответствующего объема для массивных кристаллов La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3]. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления MR (мю[0]H = 1 T) = -0. 27 пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] наблюдались при температуре порядка 225 K. При 5 < T < 100 K магнетосопротивление пленок слабо зависило от температуры и составляло порядка -0. 1. При температурах ниже 100 K и 3 < мю[0]H < 5 T электросопротивление выращенных пленок линейно убывало с ростом напряженности магнитного поля. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Дальнодействие химического взаимодействия в твердофазном синтезе: формирование CuAu сплава в эпитаксиальных Au/бета-Co (001) /Cu (001) пленочных структурах [Текст] / В. Г. Мягков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 121-125
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- химическое взаимодействие -- пленочные системы -- инертный буферный слой Аннотация: Влияние инертного Co слоя (0, 210, 480 нм) на химическое взаимодействие между Cu и Au в эпитаксиальных Au/бета-Co (001) /Cu (001) пленках было исследовано методами рентгеновской дифракции, ядерного магнитного резонанса, фотоэлектронной спектроскопии и магнитноструктурными измерениями. Не обнаружено перемешивания на интерфейсах в Cu/бета-Co (001) и Au/\beta-Co (001) двухслойных пленках до температуры 600 градусов C. В трехслойных Au/бета-Co (001) /Cu (001) пленочных системах с увеличением температуры отжига происходит твердофазный синтез упорядоченных CuAu| и CuAu| фаз через инертный буферный Co слой. Температуры инициирования CuAu| и CuAu| фаз лишь незначительно увеличиваются с увеличением толщины буферного Co слоя. Доп.точки доступа: Мягков, В. Г.; Михлин, Ю. Н.; Быкова, Л. Е.; Мальцев, В. К.; Бондаренко, Г. Н. |
Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры a-ориентированных эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на r-грани сапфира [Текст] / Р. Н. Кютт [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1687-1692. - Библиогр.: с. 1692 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотропия напряжений в плоскостях -- упругие напряжения -- сапфир -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- межплоскостные расстояния -- дифракционные пики -- дислокации краевого типа Аннотация: Проведено рентгенодифракционное исследование структурного состояния эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом MOVPE на r-грани сапфира. На двух- и трехкристальном дифрактометре измерялись межплоскостные расстояния в двух направлениях в плоскости интерфейса (11-20) и перпендикулярно ей, дифракционные пики theta- и theta-2theta-мод сканирования в геометрии Брэгга и Лауэ, а также строились карты распределения интенсивности для асимметричных брэгговских рефлексов в двух азимутальных положениях образца. Полученные данные демонстрируют анизотропию упругой деформации и уширения дифракционной картины параллельно плоскости интерфейса. Слои сжаты в направлении [1-100] и не деформированы в направлении [0001]. Уширение брэгговских рефлексов значительно больше в направлении [1-100] по сравнению с [0001]. На основе построения Вильямсона--Холла для брэгговских и лауэвских отражений показано, что эти уширения не связаны с различной степенью мозаичности, а обусловлены локальными дилатациями и разориентациями вокруг дефектов. На основе анализа полученных данных делаются выводы о дислокационной структуре образцов. Доп.точки доступа: Кютт, Р. Н.; Щеглов, М. П.; Ратников, В. В.; Николаев, А. Е. |
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27. Доп.точки доступа: Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д. |
Твердофазный синтез эпитаксиальных L1[0]-FePd (001) тонких пленок: структурные превращения и магнитная анизотропия [Текст] / В. Г. Мягков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 9. - С. 527-531
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): твердофазный синтез -- магнитотвердая фаза -- эпитаксиальные пленки -- пленочные системы -- упорядоченные кристаллиты -- перпендикулярная анизотропия -- магнитная анизотропия -- тетрагональные кристаллы Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования твердофазного синтеза магнитотвердой фазы L1[0]-FePd в эпитаксиальных пленочных системах Fe (001) /Pd (001). Формирование на интерфейсе Fe/Pd трех видов упорядоченных кристаллитов L1[0]- FePd с осями c, совпадающими с направлениями типа (100) подложки MgO (001), начинается при температуре 450 градусов C. После повышения температуры отжига до 500 градусов C происходит структурная перестройка, приводящая к преимущественному росту кристаллитов L1[0]-FePd осью с вдоль нормали к плоскости пленки. Доп.точки доступа: Мягков, В. Г.; Жигалов, В. С.; Быкова, Л. Е.; Соловьев, Л. А.; Бондаренко, Г. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 538-543 : ил. - Библиогр.: с. 543 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные пленки -- Ge -- напряженные подслои -- SiGe -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- осаждение -- толщина -- критическая толщина -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты исследований особенностей перехода пленки Ge от двумерного к трехмерному росту в различных типах гетероструктур SiGe/Si (001) с захороненными напряженными слоями. Показано, что осаждение напряженного планарного слоя SiGe приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста Ge. Обнаружено, что влияние слоев SiGe на рост пленки Ge оказывается весьма существенным не только в случае роста непосредственно на напряженном слое SiGe, но и при заращивании его ненапряженным слоем Si до толщин порядка 3. 5 нм. Показано, что модель, в которой влияние захороненных напряженных слоев SiGe учитывается посредством введения феноменологического параметра "глубины затухания эффективной упругой энергии", позволяет с хорошей точностью описать экспериментальные результаты. Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Юрасов, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In[x]Ga[1-x]As [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1140-1146. : ил. - Библиогр.: с. 1146 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): релаксация (физика) -- кристаллические решетки -- эпитаксиальные пленки -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]As -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- металлические подрешетки Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры In[x]Ga[1-x]As/GaAs (100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x=0. 5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора In[x]Ga[1-x]As, представляет собой соединение InGaAs[2] со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сравнительное исследование пленки BaTiO[3] и сверхрешетки BaTiO[3]/(Ba[0.7]Sr[0.3])TiO[3] методами дифракции рентгеновских лучей и спектроскопии комбинационного рассеяния света [Текст] / О. А. Маслова [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1526-1532. - Библиогр.: с. 1531-1532 (40 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- сверхрешетки -- методы дифракции рентгеновских лучей -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- подложки Аннотация: Проведено сравнительное исследование эпитаксиальной пленки BaTiO[3] и сверхрешетки состава BaTiO[3]/ (Ba[0. 7]Sr[0. 3]) TiO[3], изготовленных методом импульсного лазерного осаждения на подложках (100) MgO. На основе данных рентгеновской дифрактометрии установлена полная параллельная ориентация пленки и подложки, определены период модуляции сверхрешетки Лямбда=28 nm, параметры ячейки, усредненной по периоду Лямбда, и параметры ячеек слоев сверхрешетки. Согласно рентгенографическим данным, ячейка однокомпонентной пленки BaTiO[3] и усредненная по периоду Лямбда ячейка сверхрешетки являются псевдокубическими, однако анализ поляризационных характеристик спектров комбинационного рассеяния света позволил предположить моноклинную симметрию в пленке и сверхрешетке. Обсуждается трансформация компонент мягкой моды, обусловленная деформацией эпитаксиальных слоев, образующих сверхрешетку. Доп.точки доступа: Маслова, О. А.; Захарченко, И. Н.; Бунина, О. А.; Юзюк, Ю. И.; Ortega, N.; Kumar, A.; Katiyar, R. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование ветвящихся доменных структур в эпитаксиальных пленках железо-иттриевого граната методом торцевой магнитно-силовой микроскопии [Текст] / Ф. В. Лисовский [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 9. - С. 665-669
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- железо-иттриевый гранат -- доменные структуры -- ветвящиеся доменные структуры -- торцевая магнитно-силовая микроскопия Аннотация: Методом сканирующей магнитно-силовой микроскопии изучено распределение вектора намагниченности на свободной поверхности и на торце (сколе) толстых эпитаксиальных пленок железо-иттриевого граната. На границе раздела пленки со свободным пространством обнаружено объемное фракталоподобное ветвление доменной структуры с измельчением образующихся несквозных отростков полосовых (лабиринтных) доменов. На границе раздела пленки с подложкой наблюдались треугольные замыкающие домены. Получено прямое экспериментальное доказательство существования статических горизонтальных блоховских линий в границах полосовых доменов. Доп.точки доступа: Лисовский, Ф. В.; Мансветова, Е. Г.; Темирязева, М. П.; Темирязев, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кабыченков, А. Ф. Магнитоэлектрический эффект в пленках гранатов с наведенной магнитной анизотропией в неоднородном электрическом поле [Текст] / А. Ф. Кабыченков, Ф. В. Лисовский, Е. Г. Мансветова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 5. - С. 304-308
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гранаты -- эпитаксиальные пленки -- магнитоэлектрический эффект -- магнитная анизотропия -- неоднородное электрическое поле Аннотация: Предложен не связанный с наличием электрически заряженных доменных границ механизм возникновения сильного магнитоэлектрического эффекта в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов, зависящий от кристаллографической ориентации последних и обусловленный влиянием неоднородного электрического поля на наведенную магнитную анизотропию. Доп.точки доступа: Лисовский, Ф. В.; Мансветова, Е. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности барьерных и текстурных свойств пленок CeO[2], полученных методом PAND [Текст] = Features of barrier and textural properties of CeO[2] films deposited by PAND method / Ф. Х. Чибирова [и др.] // Альтернативная энергетика и экология. - 2013. - № 12 (134). - С. 84-87 : граф., фот. - Библиогр.: с. 87 (5 назв.) . - ISSN 1608-8298
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- эпитаксиальные пленки -- буферные пленки -- оксид церия -- свойства пленок -- нанотехнологии -- PAND -- сверхпроводящий слой -- буферные слои -- YBCO Аннотация: Исследования тонких эпитаксиальных пленок оксида церия, полученных с помощью нанотехнологии PAND. Доп.точки доступа: Чибирова, Фатима Христофоровна (кандидат физико-математических наук); Боровков, С. Н.; Кузьмин, А. Г.; Лукашев, Р. В.; Тарасова, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Труханов, Е. М. Различная природа модуляции поверхностных слоев гетеросистемы Ge-Si(111) [Текст] / Е. М. Труханов, С. А. Тийс // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 6. - С. 708-711 : рис. - Библиогр.: c. 711 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): бислои -- гетеросистема Ge-Si (111) -- дислокации несоответствия -- механизм Франка-Ван-дер-Мерве -- Франка-Ван-дер-Мерве механизм -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Рассмотрены три варианта упругой модуляции поверхностных атомных слоев эпитаксиальной пленки Ge на Si (111), наблюдаемые с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Для двух вариантов она обусловлена присутствием дислокаций несоответствия в границе раздела. Третий вариант модуляции возникает на поверхности бездислокационной псевдоморфной пленки и предположительно связан с наличием на поверхности подложки Si двумерных островков кремния, имеющих высоту три атомных бислоя и латеральные размеры 15-20 нм. Доп.точки доступа: Тийс, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дерябин, А. С. Зависимость формы дислокационных ямок травления в эпитаксиальных пленках GeSi (001) на Si от толщины пленки [Текст] / А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 6. - С. 747-749. - Библиогр.: c. 749 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): атомно-силовые микроскопы -- дислокационные ямки травления -- структурно-чувствительное травление -- эпитаксиальные пленки Аннотация: С помощью атомно-силового микроскопа и структурно-чувствительного травления эпитаксиальных пленок GeSi на Si (001) исследована кристаллография четырехугольного контура, ограничивающего дислокационную ямку травления в плоскости поверхности пленки. В зависимости от таких характеристик пленки как ее толщина и наличие дислокационных полос скольжения стороны контура могут быть параллельными как направлениям типа <110>, так и направлениям <010>. Ямки травления ограничены низкоиндексными фасетками {111} и {110}, и согласно электрохимической гипотезе их формирование обусловлено распределением напряжений вблизи полос скольжения. Доп.точки доступа: Соколов, Л. В.; Труханов, Е. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спиновые циклоиды и конусные модулированные структуры в (110)-эпитаксиальных пленках феррита висмута [Текст] / И. Р. Каюмов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 12. - С. 1722-1725. - Библиогр.: c. 1725 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитная анизотропия -- пространственно модулированные спиновые структуры -- спиновая модуляция -- феррит висмута -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе исследованы пространственно модулированные спиновые структуры (ПМСС) в (110) -ориентированных пленках BiFeO[3]. Показано, что в результате действия напряжений в эпитаксиальных пленках BiFeO[3] выделяются ПМСС с определенным направлением спиновой модуляции; продемонстрирована возможность реализации модулированных фаз циклоидного и конусного вида. Рассчитаны условия переходов между модулированными состояниями, индуцированные изменением эффективной магнитной анизотропии, зависящей от механических напряжений. Доп.точки доступа: Каюмов, И. Р.; Звездин, К. А.; Гареева, З. В.; Пятаков, А. П.; Звездин, А. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |