Алисултанов, Заур Замирович. Динамическая проводимость эпитаксиального графена, сформированного на поверхности металла [Текст] / З. З. Алисултанов // Инженерная физика. - 2013. - № 9. - С. 32-37 : граф., схема. - Библиогр.: с. 36-37 (37 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- динамическая проводимость -- металлические подложки -- гамильтониан Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса гамильтониан -- модель Давыдова -- Давыдова модель -- дираковские фермионы Аннотация: Рассмотрены транспортные свойства эпитаксиального графена, сформированного на поверхности металлической подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона-Ньюнса. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Электронные состояния системы "эпитаксиальный графен - фрактальный субстрат" [Текст] = The electronic states of system "epitaxial graphene - fractal substrate" / З. З. Алисултанов, Г. Б. Рагимханов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2014. - № 11. - С. 27-32 : граф. - Библиогр.: с. 31-32 (28 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- фрактальные субстраты -- электронные состояния -- углеродные материалы -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- фракталы -- зарядовые обмены Аннотация: В рамках модели Андерсона-Ньюнса рассмотрена задача об электронных состояниях эпитаксиального графена, сформированного на поверхности фрактальной структуры.In the framework of the Anderson model-Nunca considered the problem of the electronic States of epitaxial graphene formed on the surface of a fractal structure. Доп.точки доступа: Рагимханов, Гаджимирза Балагланович; Рустамова, Джамиля Маликовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Электронная плотность состояний эпитаксиального графена на поверхности полупроводниковой подложки [Текст] = Electronic density of States of epitaxial graphene on the surface of the semiconductor substrate / З. З. Алисултанов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2015. - № 5. - С. 29-36 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 35-36 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- электронная плотность -- полупроводниковые подложки -- функции Грина -- Грина функции -- гамильтонианы -- гамильтониан Андерсона -- Андерсона гамильтониан -- приближение Халдейна-Андерсона -- Халдейна-Андерсона приближение -- суперконденсаторы -- конденсаторы Аннотация: Рассмотрены электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводниковой подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона в приближении Халдейна-Андерсона. Получено аналитическое выражение для плотности состояний эпитаксиального графена. Исследовано поведение плотности состояний эпитаксиального графена при различных значениях параметров задачи.Considered electronic States of epitaxial graphene formed on the surface of the semiconductor substrate. The approach used is based on a model Hamiltonian of the Anderson in the approximation of Haldane-Anderson. An analytical expression for the density of States of epitaxial graphene. The behavior of the density of States of epitaxial graphene for different values of the parameters of the problem. Доп.точки доступа: Рустамова, Джамиля Маликовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Скачки проводимости в эпитаксиальном графене на квантовой металлической пленке [Текст] = Jump conductivity in epitaxial graphene on quantum metal film / З. З. Алисултанов, Э. Х. Исрапов // Инженерная физика. - 2015. - № 6. - С. 21-25 : граф. - Библиогр.: с. 24-25 (33 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- статическая проводимость -- скачки проводимости -- металлические пленки -- квантовые металлические пленки -- модель Давыдова -- Давыдова модель -- размерно-квантованные пленки -- формула Кубо -- Кубо формула Аннотация: В рамках модели Давыдова рассмотрен вопрос о статической проводимости эпитаксиального графена, сформулированного на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Показано, что вблизи энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, проводимость изменяется скачкообразно.In the framework of the Davydov model considered the static conductance of epitaxial graphene, formulated on the surface of the size-quantized metal films. It is shown that near the energy levels caused by dimensional quantization, the conductance changes abruptly. Доп.точки доступа: Исрапов, Эдгар Хизбулаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Гетероструктуры на основе эпитаксиального графена - перспективные материалы для магнитных датчиков нового типа [Текст] = The epitaxial graphene based heterostructures as the promising materials for magnetic sensors of new type / З. З. Алисултанов, М. С. Хизриев // Инженерная физика. - 2016. - № 6. - С. 49-52 : схема. - Библиогр.: с. 52 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- теория Друде -- Друде теория -- эпитаксиальные графены -- магнитосопротивление -- датчики магнитного поля -- магнитные поля Аннотация: В рамках теории Друде исследовано магнетосопротивление гетероструктуры, состоящей из параллельно соединенных эпитаксиального графена на металлической подложке и графена на диэлектрике. На основе ранее полученных результатов по проводимости эпитаксиального графена предсказано гигантское магнетосопротивление исследуемой системы.The magnetoresistivity of heterostructure consisting of epitaxial graphene on metal and graphene on insulator has been investigated within framework the Drude theory. Using the results, which we obtained before, we predict a giant value of magnetoresistivity of such system. Доп.точки доступа: Хизриев, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Эпитаксиальный графен - перспективный материал для новой химической сенсорики [Текст] = The epitaxial graphene - a promising material for a new chemical sensor technology / З. З. Алисултанов, Э. Х. Исрапов // Инженерная физика. - 2016. - № 7. - С. 48-52 : граф., схема. - Библиогр.: с. 51-52 (19 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- термоэлектрический транспорт -- статистическая проводимость -- формула Кубо -- Кубо формула -- функции Грина -- Грина функции -- проводимость подложки -- термоЭДС -- химическая сенсорика Аннотация: В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический транспорт (статическая проводимость и термоЭДС) в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности полупроводника. Использован подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоЭДС. Вблизи краев запрещенной щели подложки проводимость скачкообразно изменяется, а термоЭДС эпитаксиального графена возрастает более, чем в четыре раза по сравнению с термоЭДС вблизи точки Дирака. На основе полученных результатов предложена схема сенсора, чувствительность которого может быть на порядки больше чувствительности существующих аналогов.Within framework Davydov model, we investigated the thermoelectric transport (dc and ac conductivities) in epitaxial graphene formed on the semiconductor. We use the approach based on the Kubo formula for conductivity and differential thermopower. We shown that near band gap edges the conductivity changes as stepwise. We shown that near band gap edges the thermopower increases more than in four times. Using this results, we proposed a scheme of new chemical sensors. Доп.точки доступа: Исрапов, Эдгар Хизбулаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |