Применение автоматизированной установки на базе характериографа "Эрбий-7107" для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки Ленгмюра-Блоджетт [Текст] / А. А. Невешкин [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 7. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (9 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- наноразмерная органическая пленка -- автоматизированная измерительная установка -- наноразмерные пленки Аннотация: Описана автоматизированная установка для исследования электрофизических свойств МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки. Рассмотрены конструктивные особенности измерительной установки, схема ее сопряжения с компьютером и программное обеспечение. Подробно описаны конструкция и функциональные возможности измерительной ячейки. Доп.точки доступа: Невешкин, А. А. (канд. техн. наук); Ревзин, Б. А.; Горин, Д. А. (канд. хим. наук); Ященок, А. М. (канд. физ. -мат. наук); Климов, Б. Н. (д-р техн. наук); Кумаков, А. В.; Кумаков, Ю. А. |
Рязанцева, М. В. Влияние наносекундных электромагнитных импульсов на электрофизические свойства пирита и арсенопирита [Текст] / М. В. Рязанцева, В. И. Богачев // Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых. - 2009. - N 5. - С. 99-105 : ил. - Библиогр.: с. 105 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3273
Рубрики: Горное дело Обогащение полезных ископаемых--Россия--Дарасунское месторождение Кл.слова (ненормированные): наносекундные импульсы -- электромагнитные импульсы -- электрофизические свойства -- пириты -- арсенопириты -- экспериментальные исследования -- мощные наносекундные электромагнитные импульсы -- МЭМИ -- термоэлектрические свойства -- электропроводность -- электродные потенциалы Аннотация: В работе экспериментально исследовано влияние мощных наносекундных электромагнитных импульсов (МЭМИ) на термоэлектрические свойства, электропроводность и электродный потенциал пирита и арсенопирита месторождения Дарасунское. Полученные результаты полностью подтверждаются классическими представлениями о взаимосвязи электрохимических и флотационных свойств минералов. Доп.точки доступа: Богачев, В. И. |
Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO[2]: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности [Текст] / В. М. Корнилов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 850-853 : ил. - Библиогр.: с. 852-853 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- СТМ-исследования -- кремний -- режим ошибки обратной связи -- электрофизические свойства -- нанометровые слои -- каналы утечки -- Si-SiO[2] Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования методом сканирующей туннельной микроскопии поверхности кремния с естественным слоем окисла. Показано, что наблюдаемая модификация поверхности вызвана образованием каналов утечки в слое двуокиси кремния. Методически обоснована и показана возможность использования режима ошибки обратной связи для создания и исследования каналов утечки, индуцированных напряжением на туннельном зазоре. Используемая методика позволяет исследовать особенности формирования токовых каналов и тем самым диагностировать электрофизические свойства нанометровых слоев SiO[2]. Доп.точки доступа: Корнилов, В. М.; Лачинов, А. Н.; Логинов, Б. А.; Беспалов, В. А. |
Горшенев, В. Н. Динамика изменений сопротивлений образцов полимерграфитовых композиционных материалов при терморасширении [Текст] / В. Н. Горшенев // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 3. - С. 16-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (12 назв. ) . - ISSN 1999-8465
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): динамика изменений сопротивления -- сопротивление образцов -- полимерграфитовые композиционные материалы -- композиционные материалы -- терморасширение частиц -- вспенивание композитов -- газовыделение -- модифицированные графиты -- электропроводящие материалы -- температурные интервалы -- пластифицированный поливинилхлорид -- каучуки -- полимерные матрицы -- электрофизические свойства -- графиты Аннотация: Приведены результаты исследований динамики изменений сопротивлений образцов полимерграфитовых композиционных материалов при нагреве. Показано, что такие изменения сопротивлений связаны с протеканием в образцах материалов процессов вспенивания композитов за счёт газовыделений при терморасширении модифицированных графитов; уменьшение расстояний между графитовыми частицами при их терморасширении приводит к образованию электропроводящих образцов материалов, которые до термообработки не проводили электрический ток. Установлены температурные интервалы, концентрации графитовых частиц в композитах на основе пластифицированного поливинилхлорида, каучуков, при которых происходит вспенивание образцов и терморасширение частиц модифицированного графита в полимерных матрицах. Показано, что применение процесса терморасширения полимерграфитовых композиционных материалов позволяет получать материалы с новыми электрофизическими свойствами. |
Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания [Текст] / В. А. Майоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 590-593 : ил. - Библиогр.: с. 592-593 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- CdTe -- пленки -- молекулярное наслаивание -- метод молекулярного наслаивания -- подложки -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электрофизические свойства -- морфологические свойства -- синтез Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см{2}, толщиной от 0. 5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6. 3x10{1}6 см{-3} (300 K). Доп.точки доступа: Майоров, В. А.; Афясов, А. М.; Божевольнов, В. Б.; Раданцев, В. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 950-954. : ил. - Библиогр.: с. 954 (4 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HEMT-гетероструктуры -- InGaAs/AlGaAs/GaAs -- импульсное легирование -- двухканальные псевдоморфные гетероструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- метод Холла -- Холла метод -- комнатная температура -- электроны -- многоподложечная промышленная установка -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электрофизические свойства Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием (delta-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см{2}/Bxс при концентрации электронов в канале 3. 00x10{12} и 3. 36x10{12} см{-2} соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76. 2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу. Доп.точки доступа: Егоров, А. Ю.; Гладышев, А. Г.; Никитина, Е. В.; Денисов, Д. В.; Поляков, Н. К.; Пирогов, Е. В.; Горбацевич, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тысченко, И. Е. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO[2]: метод создания и свойства [Текст] / И. Е. Тысченко, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 335-342. : ил. - Библиогр.: с. 341-342 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структуры -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- ионы азота -- электрофизические свойства -- энергия ионов -- поверхностные состояния -- границы раздела -- ловушки -- положительные заряды -- имплантированные ионы Аннотация: Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO[2] в зависимости от дозы и энергии ионов N{+}. Показано, что имплантация ионов азота дозами >3 x 10{15} см{-2} с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO[2] и удалением связей Si-Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Доп.точки доступа: Попов, В. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413. : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика) Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал. Доп.точки доступа: Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лактионов, Федор Викторович. Компьютерная программа для установки измерения электрофизических свойств [Текст] / Федор Викторович Лактионов, Олег Валерьевич Андреев, Александр Ифратович Халиков // Вестник Тюменского государственного университета. - 2010. - N 6. - С. 156-161. : ил. - Библиогр.: с. 161 (7 назв. )
Рубрики: Вычислительная техника Программирование ЭВМ. Компьютерные программы. Программотехника Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- измерение электропроводности -- термоЭДС -- измерение термоЭДС -- электрофизические свойства -- полупроводниковые материалы -- компьютерные программы -- SCPIStudio (вычислительная техника) -- мультиметры Аннотация: Рассмотрена компьютерная программа SCPIStudio, позволяющая контролировать мультиметры с различными управляющими интерфейсами для установки измерения электрофизических свойств. Доп.точки доступа: Андреев, Олег Валерьевич; Халиков, Александр Ифратович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Моцарь, А. С. Импедансная спектроскопия суперионных проводников на основе производных сульфокислот [Текст] / А. С. Моцарь, А. М. Михайлова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 59. - С. 135-137 : ил. - Библиогр.: с. 137 (5 назв.) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): спектроскопия -- импедансная спектроскопия -- проводники -- суперионные проводники -- сульфокислоты -- электрохимические свойства -- электрофизические свойства Аннотация: Рассмотрены методы получения суперионных проводников на основе производных сульфокислот. Приводятся данные, полученные в результате исследования электрохимических и электрофизических свойств полученных материалов. Доп.точки доступа: Михайлова, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние измельчения гранулированного нановолокнистого углеродного наполнителя на электрофизические свойства композитов на базе эпоксидной смолы [Текст] / А. Г. Баннов [и др.] // Перспективные материалы. - 2013. - № 6. - С. 33-41 : 5 рис., 4 табл. - Библиогр.: с. 40 (22 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нановолокна -- композиты -- электропроводность -- электрофизические свойства -- эпоксидные композиты -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Изучено влияние измельчения нановолокнистого углеродного наполнителя на электрофизические свойства эпоксидных композитов. Установлена зависимость продолжительности измельчения на гранулометрические характеристики углеродных нановолокон (УНВ). Определены электропроводность, диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь композиционных материалов в диапазоне частот 0, 09 Гц – 1 МГц. Доп.точки доступа: Баннов, А. Г.; Филимоненко, В. Н.; Безруков, И. А.; Кувшинов, Г. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Fedichev, P. O. Application of the two-liquid model for the interpretation of the observed electrophysical properties of supercooled water in nonopores [Text] / P. O. Fedichev, L. I. Menshikov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 4. - С. 241-247
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двухжидкостная модель -- переохлажденная вода -- электрофизические свойства -- нанопористые материалы Доп.точки доступа: Menshikov, L. I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование электрофизических свойств твердых электролитов на основе кремнийорганических полимеров [Текст] / О. В. Мукбаниани [и др.] // Инженерная физика. - 2014. - № 9. - С. 41-44 : граф., табл. - Библиогр.: с. 44 (5 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): электролиты -- твердые электролиты -- кремнийорганические полимеры -- полимеры -- электрофизические свойства -- гребнеобразные полимеры -- аллилбутираты -- боковые цепи -- литиевая соль -- типы литиевой соли Аннотация: Исследованы электрофизические свойства полиэлектролитов на основе гребнеобразного кремнийорганического полимера с аллилбутиратом в боковой цепи и двух типов литиевой соли. Доп.точки доступа: Мукбаниани, Омар Васильевич; Анели, Джимшер Николаевич; Татришвили, Тамара Нугзаровна; Маркарашвили, Эльза Георгиевна; Сидамонидзе, Нели Нодариевна; Джалагония, Натия Тариеловна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические свойства теплопроводящих полимерных материалов [Текст] / С. М. Лебедев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 10. - С. 112-115 : рис. - Библиогр.: c. 115 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая спектроскопия -- полимерные материалы -- теплопроводящие материалы -- теплопроводящие полимерные материалы -- углеродосодержащие наполнители -- угол диэлектрических потерь -- электропроводящие материалы -- электрофизические свойства Аннотация: Приведены результаты исследований основных электрофизических свойств новых теплопроводящих полимерных материалов на основе линейного полиэтилена низкой плотности и статистического сополимера пропилена с этиленом. Показано, что модификация полимерной матрицы углеродосодержащими наполнителями позволяет создавать теплопроводящие полимерные материалы как с низкой, так и с высокой электропроводностью. Доп.точки доступа: Лебедев, С. М.; Гефле, О. С.; Днепровский, С. Н.; Амитов, Е. Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
537.311.33 О-75 Особенности поляризационной релаксации в структурно разупорядоченных мелкодисперсных системах [Текст] / Л. А. Щербаченко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 12. - С. 8-13 : рис. - Библиогр.: c. 13 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- диэлектрические свойства -- мелкодисперсные системы -- неравновесная гетерогенная система -- полупроводники -- поляризационная релаксация -- полярная водная матрица -- структура локальных дефектов -- электрофизические свойства Аннотация: В широких диапазонах частот внешнего измерительного электрического поля, температур и влажности окружающей среды проведены измерения диэлектрических характеристик мелкодисперсного гидратированного природного угля Красноярского разреза. Выявлена частотная, температурная и концентрационная дисперсия диэлектрической проницаемости в исследуемых структурах. Анализ полученных результатов показал, что на межфазных границах исследуемой системы формируется слой кластеризованной структуры полярной водной матрицы, характеризующийся жесткой фиксацией молекул воды. Показано, что этот слой приобретает функции потенциального барьера, затрудняющего переход как для свободных молекул воды, так и ориентированных электрическим полем поверхностно активных диспергированных углей. Такой слой способен увеличивать электрическую прочность исследуемых разупорядоченных мелкодисперсных структур. Доп.точки доступа: Щербаченко, Л. А.; Танаев, А. Б.; Безрукова, Я. В.; Ежова, Л. И.; Барышников, Д. С.; Марчук, С. Д.; Березовский, П. П. |
Формирование композита на основе полиуретана с углеродными нанотрубками и шунгитом [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2015. - Т. 88, № 2. - С. 344-349 : 6 рис. - Библиогр.: с. 349 (10 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоаппаратура Кл.слова (ненормированные): нанотрубки -- полимеры -- углеродные наноматериалы -- физико-механические свойства -- шунгит -- электрофизические свойства -- электрофизические свойства Аннотация: Исследованы физико-механические и электрофизические характеристики полиуретанового композита при добавлении углеродосодержащих материалов. Выявлено, что с увеличением концентрации добавки наблюдается повышение шероховатости поверхности, а также пористости образца. Вольт-амперные характеристики композитных материалов свидетельствуют об активируемом типе проводимости в данных материалах, однако при температуре, близкой к 340 К, происходит изменение типа проводимости. Также установлена частотная зависимость проводимости. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Кривошеев, Р. М.; Ксенофонтов, М. А.; Колтунович, Т.; Абдуллин, Х. А.; Островская, Л. Е.; Тогамбаева, А. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фазовый состав, микроструктура и электрофизические свойства нового поколения мультифункциональных экологически чистых магнитоэлектрических материалов на основе феррита висмута [Текст] / Павелко А. А. [и др.] // Экология промышленного производства. - 2015. - № 1. - С. 47-53 : 4 рис. - Библиогр.: с. 53 (10 назв. )
Рубрики: Экология Загрязнение окружающей среды Кл.слова (ненормированные): магнитоэлектрические материалы -- модифицирование -- мультиферроики -- редкоземельные элементы -- феррит висмута -- электрофизические свойства Аннотация: Исследованы фазовая и поликристаллическая структуры, а также электрофизические свойства экологически чистых магнитоэлектрических твердых растворов на основе феррита висмута. Доп.точки доступа: Павелко, А. А.; Шилкина, Л. А.; Алешин, В. А.; Резниченко, Л. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |