Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров с полевым управлением [Текст] / О. И. Бономорский [и др.]> // Электротехника. - 2015. - № 2. - С. 51-56 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- кремниевые биполярные транзисторы -- транзисторы с изолированным затвором -- тиристоры -- электростатическое управление -- вольт-амперные характеристики -- инжекция Аннотация: Проведено двумерное численное моделирование эквивалентных кремниевых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) и тиристоров с электростатическим управлением (СИТ) траншейной конструкции в блокирующем и проводящем состоянии. Доп.точки доступа: Бономорский, О. И.; Кюрегян, А. С.; Горбатюк, А. В.; Иванов, Б. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптимизация статических и динамических параметров мощного составного ключа с полевым управлением [Текст] / П. А. Воронин [и др.]> // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2016. - № 4. - С. 91-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (9 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках . - ISSN 0002-3310
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): МДП-транзисторы -- динамические параметры -- динамические потери -- индукционные тиристоры -- коммутационные потери -- моделируемая проводимость -- полевое управление -- составные ключи -- статические параметры -- статические потери -- тиристоры -- транзисторные ключи -- транзисторы -- электростатическое управление Аннотация: В статье предложена новая схема мощного составного ключа, сочетающего преимущества моделируемой проводимости и полевого управления. Основным коммутирующим элементом составного ключа является высоковольтный тиристор с электростатическим управлением (ТЭУ), к которому последовательно подключена силовая сборка, состоящая из двух низковольтных МДП-транзисторов. Доп.точки доступа: Воронин, П. А.; Воронин, И. П.; Панфилов, Д. И.; Духнич, Е. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
PSpice-модель мощного высоковольтного индукционного тиристора [Текст] / П. А. Воронин [и др.]> // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2017. - № 2. - С. 30-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (5 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках . - ISSN 0002-3310
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): PSpice-модель -- p-n-переходы -- МДП-транзисторы -- биполярные транзисторы -- высоковольтные индукционные тиристоры -- индукционные тиристоры -- математические модели -- полевые транзисторы -- схемотехнические модели -- тиристоры -- транзисторы -- униполярные транзисторы -- электростатическое управление Аннотация: Предложена новая схемотехническая модель мощного высоковольтного индукционного тиристора, одного из перспективных приборов для применения в высоковольтной силовой электронике. Модель индукционного тиристора разработана в системе схемотехнического моделирования PSpice. Доп.точки доступа: Воронин, П. А.; Воронин, И. П.; Панфилов, Д. И.; Рашитов, П. А.; Ремизевич, Т. В.; Духнич, Е. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кюрегян, А. С. Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах [Текст] / А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов> // Электротехника. - 2017. - № 2. - С. 52-56 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- транзисторы с изолированным затвором -- электростатическое управление -- тиристоры с электростатическим управлением -- средняя мощность потерь -- сравнительный анализ -- коммутационные характеристики -- статические характеристики -- двумерное численное моделирование -- комбинированные СИТ-МОП-тиристоры Аннотация: Проведено двумерное численное моделирование процессов переключения эквивалентных кремниевых биполярных транзисторов с изолированным затвором типа CSTBT и комбинированных СИТ-МОП-тиристоров (КСМТ) из блокирующего состояния в проводящее и обратно. Показано, что при включении и выключении энергия коммутационных потерь в тиристоре КСМТ больше, чем в полностью эквивалентном тиристоре CSTBT, поэтому средняя по времени мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, становится меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT только при большой длительности импульса тока. Однако уменьшение времени жизни т0 неравновесных носителей заряда в СИТ позволяет существенно снизить коммутационные потери тиристора КСМТ, сохраняя его преимущество в открытом состоянии. Вследствие этого для каждого набора параметров тиристора CSTBT можно подобрать такое т0 в "почти эквивалентном" тиристоре КСМТ, что мощность Р, рассеиваемая в тиристоре КСМТ, будет меньше, чем в эквивалентном тиристоре CSTBT в любом заданном диапазоне значений амплитуды Ja и длительности Топ импульсов тока. Доп.точки доступа: Горбатюк, А. В.; Иванов, Б. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Воронин, П. А. Топология мощного составного транзистора и его блокирующая способность при коммутации [Текст] / П. А. Воронин, И. П. Воронин, Ю. К. Розанов> // Электротехника. - 2019. - № 2. - С. 2-9 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Сопротивления Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- составные транзисторы -- тиристоры -- затворы -- индуктивность -- индукционные тиристоры -- статические индукционные тиристоры -- моп-транзисторы -- коммутация -- коэффициенты запирания -- пороговые элементы -- электростатическое управление Аннотация: Рассматривается проблема сохранения блокирующей способности мощного составного транзистора в динамических (коммутационных) режимах. Составной транзистор представляет собой последовательное соединение высоковольтного индукционного тиристора с электростатическим управлением и низковольтного МОП (Металл-Оксид-Полупроводник) транзистора, обеспечивающего управление по цепи изолированного затвора. Важным компонентом составной схемы является также ключевой пороговый элемент, который обеспечивает режим плавающего потенциала в цепи затвора индукционного тиристора при его открытом состоянии и фиксацию затвора на общую шину при его запирании. Аварийные ситуации, приводящие к выходу составного транзистора из строя, возникают в переходном процессе выключения и связаны с двумя основными причинами - снижением отрицательного запирающего напряжения в цепи затвор - исток индукционного тиристора ниже уровня, обеспечивающего смыкание областей пространственного заряда в его базовой области, и повышением напряжения в выходной цепи низковольтного управляющего МОП-транзистора выше максимально допустимого уровня. Получены математические критерии обеспечения блокирующей способности мощного составного транзистора. Показано, что для надежной работы составной схемы необходимо снижать амплитуду обратного тока в цепи затвора индукционного тиристора, уменьшать паразитное сопротивление и паразитную индуктивность в контуре коммутации и согласовывать значения паразитных емкостей в элементах составной схемы. На основе предложенной аналитической модели рассмотрены способы обеспечения блокирующей способности составного транзистора для ряда практических схемных вариантов с различными пороговыми элементами. Доп.точки доступа: Воронин, И. П.; Розанов, Ю. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |