Панова, Г. Х. Колебательные и электронные характеристики икосаэдрических квазикристаллов Zr[70]Pd[30]Zr[80]Pt[20] и их аморфных аналогов [Текст] / Г. Х. Панова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1543-1548. - Библиогр.: с. 1548 (15 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомная структура квазикристаллов -- бинарные металлические квазикрситаллы -- икосаэдрические квазикристаллы -- колебательные спектры -- плотность электронных состояний -- сверхпроводящие переходы -- теплоемкость -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: Для установления корреляции между особенностями атомного ближнего порядка и физическими свойствами икосаэдрических квазикристаллов Zr[80]Pt[20] и Zr[70]Pd[30] и их аморфных аналогов исследована теплоемкость в области температур 1. 5 - 500 K. Сравнение полученных данных позволило обнаружить изменения колебательных спектров в области низких и высоких энергий, электронной плотности состояний, сверхпроводящих характеристик, электрон-фононного взаимодействия, ангармонизма тепловых колебаний решетки и вычислить значения основных средних частот (моментов), характеризующих колебательные спектры. Понижение температуры сверхпроводящего перехода T[c] в квазикристаллах по сравнению с аморфными аналогами связано с уменьшением плотности электронных состояний на поверхности Ферми, ужесточением фононного спектра и ослаблением электрон-фононного взаимодействия. Доп.точки доступа: Черноплеков, Н. А.; Шиков, А. А.; Kameny, T.; Kiss, L. F. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Троицкая, Е. П. Фотоны и электрон-фотонное взаимодействие в кристаллах инертных газов при высоких давлениях [Текст] / Е. П. Троицкая, В. В. Чабаненко, Е. Е. Горбенко // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2055-2062. - Библиогр.: с. 2062 (36 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): Бриллюэна зона -- зона Бриллюэна -- инертные газы -- модель Толпыго -- неадиабатичность -- поперечные моды -- продольные моды -- Толпыго модель -- фононные частоты -- фононы -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: Представлены теоретические ab initio исследования динамики решеток сжатых кристаллов инертных газов в модели Толпыго, явно учитывающей деформацию электронных оболочек. Деформация электронных оболочек, обусловленная запаздыванием электронного отклика, рассматривается как неадибатичность (электрон-фононное взаимодействие). С учетом этого на основе неэмпирического короткодействующего потенциала отталкивания построена динамическая матрица, позволяющая рассчитывать фотонные частоты и электрон-фононное взаимодействие кристаллов ряда Ne-Xe в любой точке зоны Бриллюэна. Вклады в динамическую матрицу дальнодействующих кулоновских и ван-дер-ваальсовских сил представляют собой структурные суммы, зависящие только от типа решетки. Вычисление структурных сумм для ГЦК-решетки проведено методом Эвальда, Эмерслебена, а также прямым суммированием по векторам ГЦК-решетки. Использование в последнем случае 20 сфер обеспечивает точность не менее четырех значащих цифр. Исследование роли электрон-фононного взаимодейсвия в пяти токах высокой симметрии зоны Бриллюэна (X, L, U, K, W) при высоких давлениях показало, что происходит "размягчение" не только продольных мод фононов (в точках X, L), но и поперечных мод ( в точках U, K, W). Учет электрон-фононного взаимодействия в точке X улучшает согласие теоретических и экспериментальных фононных частот для Ar. Доп.точки доступа: Чабаненко, В. В.; Горбенко, Е. Е. |
Еремеев, С. В. Влияние точечных дефектов на температурную зависимость ширины линии поверхностного электронного состояния на поверхности Au (111) [Текст] / С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 808-812. - Библиогр.: с. 812 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия образования вакансии -- электронные поверхностные состояния Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электрон-фононного взаимодействия на поверхности Au (111). Показано, что учет температурно-активируемых точечных дефектов на поверхности позволяет согласовать измеренную температурную зависимость ширины линии поверхностного состояния с теоретическими результатами. Доп.точки доступа: Чулков, Е. В. |
Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment [Text] / A. N. Poddubny [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 10. - С. 756-760
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): неполярные квантовые точки -- квантовые точки -- электрон-фононное взаимодействие -- нанокристаллы Доп.точки доступа: Poddubny, A. N.; Goupalov, S. V.; Kozub, V. I.; Yassievich, I. N. |
Цыпленков, В. В. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н. |
Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С. |
Мясников, Э. Н. О процессе фазового перехода второго рода под влиянием сильного электрон-фононного взаимодействия [Текст] / Э. Н. Мясников, З. П. Мастропас // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 552-556. - Библиогр.: с. 556 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовые переходы второго рода -- электрон-фононное взаимодействие -- метод мацубаровских квантовых функций Грина -- Грина мацубаровских квантовых функций метод Аннотация: Рассмотрена модель кристалла с сильным электрон-фононным взаимодействием, порождающим фазовый переход второго рода. Задачей исследования является нахождение для этой модели температурной зависимости термодинамического потенциала в симметричной фазе в области температур, непосредственно примыкающей к температуре перехода T[c]. Для решения этой задачи использован метод мацубаровских квантовых функций Грина, который учитывает влияние и тепловых, и квантовых флуктуаций. Показано, что флуктуационные когерентные деформации кристаллической решетки, имеющие симметрию упорядоченной фазы, в результате взаимодействия с электронной подсистемой при T>T[c] оказываются энергетически выгодными. Полученные результаты позволяют построить модель процесса фазового перехода второго рода вблизи точки Кюри T[c]. Доп.точки доступа: Мастропас, З. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Tyuterev, V. G. (доктор физико-математических наук). On the Radiationless Decay of a Direct Exciton in an Indirect Gap Semiconductor [Text] / V. G. Tyuterev, S. V. Obukhov // Вестник Томского государственного педагогического университета. - 2011. - N 8 (110). - С. 49-52. . - Библиогр.: с. 52 (13 назв. ). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): безизлучательная диссоциация -- диссоциации экситона -- полупроводники -- экситон -- электрон-фононное взаимодействие -- метод функционала плотности -- функционал плотности -- распад экситона Аннотация: Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Obukhov, S. V. (научный сотрудник) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рейх, К. В. Электрон-фононное взаимодействие в локальной области [Текст] / К. В. Рейх, Е. Д. Эйдельман // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1618-1620. . - Библиогр.: с. 1620 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрон-фононное взаимодействие -- локальные области -- связанные состояния -- углеродные наноструктуры Аннотация: Показано, что в области с локальным электрон-фононным взаимодействием возможно образование связанного состояния. Как пример материала, в котором может реализоваться такой эффект, рассматриваются углеродные наноструктуры. На основе развитых представлений стало возможным объяснить аномально высокую полевую эмиссию в таких структурах не только феноменологически, но и на микроскопическом уровне. Доп.точки доступа: Эйдельман, Е. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Леонов, П. В. Акустоэлектронное взаимодействие в качестве индикатора процесса обратимости времени при поглощении и испускании фононов [Текст] / П. В. Леонов // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 61. - С. 132-135 : ил. - Библиогр.: с. 135 (5 назв.) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Физика Акустика в целом Кл.слова (ненормированные): акустоэлектроника -- обратимость времени -- индикаторы -- фононы -- электрон-фононное взаимодействие -- поглощение Аннотация: Изложена возможность обратимости времени в элементарных процессах электрон-фононного взаимодействия. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001) [Текст] / С. Н. Гриняев [и др.] // Вестник Томского государственного педагогического университета. - 2012. - № 7 (122). - С. 62-69 : ил., рис. - Библиогр.: с. 68 (10 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru . - ISSN 1609-624X
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые сверхрешетки -- электрон-фононное взаимодействие -- междолинное рассеяние -- размерное квантование -- электроны -- фононы Аннотация: На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели связи исследованы междолинные переходы в зоне проводимости сверхрешеток (GaAs) m (AlAs) n (001), вызванные интерфейсными и запертыми в слоях оптическими колебаниями атомов. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. (доктор физико-математических наук; доцент); Никитина, Л. Н. (кандидат физико-математических наук; ассистент); Новикова, О. Л.; Тютерев, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Mantsevich, V. N. Non-stationary effects in the coupled quantum dots influenced by the electron-phonon interaction [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova, P. I. Arseyev // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 6. - С. 398-403
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- электрон-фононное взаимодействие -- нестационарные эффекты -- функция Грина -- Грина функция Доп.точки доступа: Maslova, N. S.; Arseyev, P. I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алексеев, П. А. Высшие бориды: особенности и детали динамики решетки по данным нейтронной спектроскопии [Текст] / П. А. Алексеев // Успехи физических наук. - 2015. - Т. 185, № 4. - С. 353-370 : 20 рис. - Библиогр.: с. 369-370 (88 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронная спектроскопия -- фононные спектры -- электрон-фононное взаимодействие -- бориды -- редкоземельные ионы -- каркасно-кластерные решетки -- кристаллические решетки -- динамика кристаллической решетки -- метод неупругого рассеяния -- экспериментальные исследования Аннотация: Обсуждены результаты разносторонних исследований атомной динамики и специфических особенностей электрон-фононного взаимодействия в трехмерных каркасно-кластерных решетках методами неупругого рассеяния нейтронов в сочетании с феноменологическими и первопринципными расчетами. Обнаружено существенное сходство атомно-колебательных спектров этих систем, принципиально обусловленное сильной, специфичной для них иерархией межионных взаимодействий, проявляющееся как в подобии дисперсионных кривых для низкоэнергетических фононов, так и в значении энергии для края колебательного спектра. Детально исследованы проявления сильного электрон-фононного взаимодействия в спектре колебаний боридов, проанализирована их связь с характером и особенностями валентно-нестабильного состояния редкоземельных ионов. Особое внимание уделено эффектам резонансной неадиабатичности и магнито-вибрационного взаимодействия в системах со спиновыми и зарядовыми флуктуациями. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сергеев, Д. М. Моделирование транспортных свойств SNS-контактов в пределе сильного электрон-фононного взаимодействия [Текст] / Д. М. Сергеев // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 3. - С. 122-130 : рис. - Библиогр.: c. 129-130 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): SNS-контакт -- андреевское отражение -- диборид магния -- динамическая проводимость -- прозрачность барьера -- сверхпроводимость -- сильносвязанные сверхпроводники -- субгармонические щелевые структуры -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: Получено модифицированное выражение для коэффициента андреевского отражения с учетом сильного электрон-фононного взаимодействия. Численно моделирована зависимость параметра сверхпроводящего порядка Ds диборида магния. В рамках модели Аверина - Бардаса с применением модифицированного коэффициента андреевского отражения рассчитаны вольт-амперные характеристики и dI / dV-спектры динамической проводимости SNS-контактов на основе сильносвязанных сверхпроводников (на примере диборида магния). Расчеты произведены в режиме высокой прозрачности 0. 9-0. 98. Показаны особенности SNS-контактов на базе сильносвязанных сверхпроводников. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Садовский, М. В. Высокотемпературная сверхпроводимость в монослоях FeSe [Текст] / М. В. Садовский // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 10. - С. 1035-1057 : 23 рис. - Библиогр.: с. 1056-1057 (102 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературная сверхпроводимость -- сверхпроводники -- пниктиды железа -- халькогениды железа -- FeSe-системы -- интеркалированные системы -- монослои -- монослойные пленки -- поверхности Ферми -- Ферми поверхности -- кристаллическая структура -- электронная структура -- электронные спектры -- температура сверхпроводящего перехода -- экситонный механизм -- электрон-фононное взаимодействие -- куперовское спаривание -- экспериментальные исследования Аннотация: Обсуждаются основные эксперименты и теоретические представления, связанные с наблюдением высокотемпературной сверхпроводимости в интеркалированных соединениях FeSe и монослойных пленках FeSe на подложках. Подробно рассматривается электронная структура этих систем, имеющиеся теоретические расчеты этой структуры и их соответствие с ARPES экспериментами. Обсуждаются механизмы куперовского спаривания в монослоях FeSe. Анализируется возможность повышения температуры сверхпроводящего перехода в них за счет различных вариантов "экситонного" механизма сверхпроводимости. Раскрываются проблемы, связанные с антиадиабатическим характером сверхпроводимости при таком механизме. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |