Еремеев, С. В. Влияние точечных дефектов на температурную зависимость ширины линии поверхностного электронного состояния на поверхности Au (111) [Текст] / С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 808-812. - Библиогр.: с. 812 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия образования вакансии -- электронные поверхностные состояния Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электрон-фононного взаимодействия на поверхности Au (111). Показано, что учет температурно-активируемых точечных дефектов на поверхности позволяет согласовать измеренную температурную зависимость ширины линии поверхностного состояния с теоретическими результатами. Доп.точки доступа: Чулков, Е. В. |
Mantsevich, V. N. Spatial distribution of local density of states in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 12. - С. 713-717
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- электронные поверхностные состояния -- непрерывный спектр состояний -- кристаллическая решетка Доп.точки доступа: Maslova, N. S. |
Циркин, С. С. Модельный псевдопотенциал для поверхности Cu (110) [Текст] / С. С. Циркин, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 1. - С. 175-180. - Библиогр.: с. 180 (43 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): псевдопотенциал -- двумерный псевдопотенциал -- электронные поверхностные состояния -- электронная структура поверхности меди -- медь Аннотация: Представлена схема построения двумерного псевдопотенциала для описания электронной структуры поверхности Cu (110). Эта схема применима также для построения соответствующего псевдопотенциала для поверхности (110) ряда других ГЦК-металлов, таких как Ag, Au, Al, Pd, Pt. Полученная электронная структура может быть использована для быстрых расчетов одночастичных и коллективных электронных возбуждений как на чистой поверхности Cu (110), так и на поверхности, покрытой адатомами или ультратонкими пленками других металлов. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Чулков, Е. В. |
Еремеев, С. В. Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах A\{V\}[2] B\{VI\}[3] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 419-423
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронные поверхностные состояния -- электронная структура -- топологические изоляторы -- изоляторы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- халькоген -- оборванная связь -- полуметаллы Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений A\{V\}[2] B\{VI\}[3], содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi[2]Te[3], Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3] и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |