Интерфейсные D\{-\} комплексы в двумерной электронной системе [Текст] / А. С. Журавлев [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 9. - С. 672-677
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): электронные комплексы -- электронные системы -- двумерные электронные системы -- квантовые ямы -- AlGaAs/GaAs Аннотация: Методом неупругого рассеяния света исследован спектр возбуждений двумерной электронной системы в высококачественных AlGaAs/GaAs квантовых ямах. Идентифицированы новые линии неупругого рассеяния света возбуждений интерфейсных D\{-\} комплексов - объектов, в которых два электрона, локализованных в квантовой яме, связываются с заряженной примесью, расположенной на интерфейсе квантовой ямы. Обнаружено, что основное состояние интерфейсных D\{-\} комплексов изменяется в магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы, со спин-синглетного на спин-триплетное аналогично тому, как изменяется основное состояние системы двух электронов, локализованных в гармоническом потенциале. Доп.точки доступа: Журавлев, А. С.; Кулик, Л. В.; Бисти, В. Е.; Дроздов, И. К.; Кирпичев, В. Е.; Кукушкин, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |