Масловская, Анна Геннадьевна (кандидат физико-математических наук; доцент).
    Вейвлет-мультифрактальный анализ индуцированного электронным зондом тока переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов [Текст] / А. Г. Масловская, Т. К. Барабаш // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 62. - С. 232-238 : ил. - Библиогр.: с. 238 (10 назв.) . - ISSN 1999-8341
УДК
ББК 22.372 + 32.973-018.2
Рубрики: Физика
   Механические и акустические свойства монокристаллов

   Вычислительная техника

   Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом

Кл.слова (ненормированные):
вейвлет-анализ -- мультифрактальный анализ -- переполяризация -- электронные зонды -- кристаллы -- цифровая обработка -- сегнетоэлетрики -- доменные структуры
Аннотация: Рассматривается возможность применения вейвлет-преобразования для цифровой обработки токов переключения поляризации сегнетоэлетриков с самоподобной доменной структурой.


Доп.точки доступа:
Барабаш, Татьяна Константиновна (ассистент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Амрастанов, А. Н.
    Об одной особенности моделирования нагрева полупроводниковой мишени электронным зондом [Текст] / А. Н. Амрастанов, Е. В. Серегина, М. А. Степович // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 9. - С. 1304-1309. - Библиогр.: c. 1309 (28 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.37 + 30.3
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Техника

   Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- обратно рассеянные электроны -- полупроводниковые материалы -- электронные зонды
Аннотация: Методами математического моделирования проведено изучение нагрева полупроводниковых мишеней при использовании остро сфокусированного электронного зонда. Получена оценка нагрева мишеней практически для всего диапазона полупроводниковых материалов: легких полупроводников, полупроводников со средним эффективным порядковым номером материала, тяжелых полупроводников. Для тяжелых полупроводниковых мишеней обнаружена немонотонная зависимость максимальной температуры нагрева полупроводника от энергии первичного пучка: при энергиях около 3. 5…4 кэВ обнаружен экстремум этой функции. Наличие максимума объяснено использованием модели потерь энергии электронами зонда в мишени, основанной на раздельном описании вкладов в рассеиваемую энергию поглощенных и обратно рассеянных электронов. При планировании эксперимента полученные оценки нагрева позволяют выбрать оптимальный режим воздействия электронов зонда на полупроводниковую мишень.


Доп.точки доступа:
Серегина, Е. В.; Степович, М. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)