Кульчин, Ю. Н. Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах [Текст] / Ю. Н. Кульчин, В. П. Дзюба, А. В. Щербаков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 349-356
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- ультрафиолетовый диапазон -- электронно-дырочные пары -- полупроводниковые наночастицы -- электромагнитное поле -- дефекты кристаллической структуры Аннотация: Представлена теоретическая модель спектра пропускания света, как видимого, так и ближних инфракрасного и ультрафиолетового диапазонов, массивом диэлектрических наночастиц произвольной формы и малых размеров, находящихся в диэлектрике, в зависимости от их размеров и частоты излучения. Модель исходит из следующих предположений: внутри запрещенной зоны наночастиц присутствуют области разрешенных значений энергии, обусловленные поверхностными дефектами. Двухчастичные состояния (эдектронно-дырочные пары) находятся в режиме слабого конфайнмента и образования в зоне проводимости квантово-размерных состояний носителей заряда, зависящих от формы и размеров наночастицы. На примере наночастиц Al[2]O[3], помещенных в прозрачную диэлектрическую жидкую матрицу, результаты экспериментального исследования сравниваются с теоретической моделью. Доп.точки доступа: Дзюба, В. П.; Щербаков, А. В. |
Никитенко, В. Р. Метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах [Текст] / В. Р. Никитенко, А. В. Тамеев, А. В. Ванников // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 29-33
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочные пары -- органические наноструктуры -- низкопроводящие полимеры -- биполярная инжекция -- электропроводность -- органические кристаллы Аннотация: Исследованы метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах. Доп.точки доступа: Тамеев, А. В.; Ванников, А. В. |
Никитенко, В. Р. Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков [Текст] / В. Р. Никитенко, А. Р. Тамеев, А. В. Ванников // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 223-229 : ил. - Библиогр.: с. 229 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочные пары -- металлическая проводимость -- границы раздела -- органические диэлектрики -- электропроводимость -- интерфейсы -- геминальные пары -- ГП -- поверхностная плотность -- подвижные носители зарядов -- термическая активация -- туннелирование -- численное моделирование Аннотация: Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда. Доп.точки доступа: Тамеев, А. Р.; Ванников, А. В. |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1451-1454. : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стыров, В. В. Высокоэффективная генерация электронно-дырочных пар на селеновом p-n-переходе под действием атомарного водорода [Текст] / В. В. Стыров, С. В. Симченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 343-346
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетерогенные химические реакции -- поверхность твердых тел -- p-n-переходы -- селен -- электронно-дырочные пары -- атомарный водород -- реакция рекомбинации Аннотация: Обнаружено, что химическая энергия, освобождающаяся в реакции рекомбинации атомарного водорода на поверхности селена, эффективно передается электронной подсистеме кристалла с образованием в нем электронно-дырочных пар и возбуждением стационарных хемотоков. Активными являются как стадия адсорбции, так и стадия собственно ассоциации атомов Н на поверхности. Система атомарный водород-селен, будучи одной из простейших, может служить модельной при поиске полупроводников и химических реакций для прямого преобразования химической энергии в электрическую. Доп.точки доступа: Симченко, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Липатов, Е. И. Рекомбинационное излучение в синтетическом и природном алмазе при воздействии импульсным лазерным УФ-излучением [Текст] / Е. И. Липатов, Д. Е. Генин, В. Ф. Тарасенко // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 36-46 : рис. - Библиогр.: c. 46 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): алмазы -- излучательная рекомбинация экситонов -- рекомбинационная люминесценция -- фотолюминесценция -- экситоны -- электронно-дырочная жидкость -- электронно-дырочные пары Аннотация: Исследовалась фотолюминесценция двух алмазных образцов при возбуждении излучением KrCl-лазера со спектральным максимумом на длине волны l ~ 222 нм. В интегральных разностных спектрах фотолюминесценции синтетического алмазного образца, полученного методом газохимического осаждения, при охлаждении жидким азотом одновременно наблюдались полосы излучательной рекомбинации свободных экситонов и электронно-дырочной жидкости. В интегральных разностных спектрах фотолюминесценции природного образца IIa типа в аналогичных условиях наблюдались электронно-колебательная система N3 и А-полоса люминесценции. Определены температурные зависимости спектральной интенсивности полос фотолюминесценции алмазных образцов в температурном интервале T = 80-300 К. Доп.точки доступа: Генин, Д. Е.; Тарасенко, В. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Васильченко, А. А. Квазидвумерная электронно-дырочная жидкость в мелких квантовых ямах SiGe/Si [Текст] / А. А. Васильченко, Г. Ф. Копытов, В. С. Кривобок // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 2. - С. 3-7 : рис., табл. - Библиогр.: c. 7 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Математическая физика Кл.слова (ненормированные): Шредингера уравнение -- внешнее электрическое поле -- вычисление энергии ЭДЖ -- квазидвумерная электронно-дырочная жидкость -- квантовые ямы -- легкие и тяжелые дырки -- мелкие квантовые ямы -- структура SiGe/Si -- структура кремний-германий/кремний -- уравнение Шредингера -- электронно-дырочная жидкость -- электронно-дырочные пары Аннотация: Получено аналитическое выражение для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в мелких квантовых ямах. Показано, что в структурах Si/Si[1-x] Ge[x]/Si при малых x ЭДЖ содержит легкие и тяжелые дырки. С увеличением x происходит переход ЭДЖ в состояние с тяжелыми дырками, а равновесная плотность электронно-дырочных пар сильно уменьшается. Изучено влияние внешнего электрического поля на свойства ЭДЖ. Доп.точки доступа: Копытов, Г. Ф.; Кривобок, В. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |