Влияние электронного облучения на магнитные свойства сверхпроводящей керамики GdBaCuO [Текст] / С. В. Симаков [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 75-77 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): керамики -- сверхповодящие керамики -- электронное облучение -- намагниченность керамик -- магнитный гистерезис -- легирование Аннотация: Исследовано влияние облучения электронами с энергией 2, 2 МэВ на свойства высокотемпературной сверхпроводящей керамики GdBaCuO. Доп.точки доступа: Симаков, С. В.; Джао Юлей; Сяо Линь; Джен Минху; Виноградова, Н. А.; Садыхов, С. И. О. |
Аномальные магнитные свойства облученного электронами антиферромагнитного монооксида меди [Текст] / Т. И. Арбузова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 904-910. - Библиогр.: с. 910 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монооксид меди -- антиферромагнитный монооксид меди -- радиационные дефекты -- электронное облучение -- магнитный момент -- спонтанный магнитный момент Аннотация: Исследовано влияние радиационных дефектов на магнитные свойства поликристалла CuO и плотной нанокерамики с размером кристаллитов d=5 и 15 nm в области T=77-300 K. Электронное облучение флюенсом Ф= 5*10{18} cm{-2} привело к аномальному для 3D-антиферромагнетиков повышению восприимчивости хи около 1/T ниже 150 K. Нелинейня зависимость намагниченности в слабых полях, увеличение магнитного момента при понижении температуры и спонтанный магнитный момент в области T < 150 K объясняются локальными изменениями обменных параметров и образованием кластеров с некомпенсированным магнитным моментом в антиферромагнитной матрице вблизи точечных дефектов. Доп.точки доступа: Арбузова, Т. И.; Наумов, С. В.; Арбузов, В. Л.; Дружков, А. П. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационные повреждения при облучении BCS-сверхпроводника MgB[2] электронами высокой энергии [Текст] / А. А. Блинкин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 231-239. . - Библиогр.: с. 238-239 (49 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- облучение -- радиационные повреждения -- BCS-сверхпроводники -- электроны высокой энергии -- электронное облучение Аннотация: Приводятся результаты изучения влияния облучения двухщелевого BCS-сверхпроводника MgB[2] высокими дозами электронов со средней энергией Эпсилон~10 MeV на температуру и ширину перехода в сверхпроводящее состояние, температурную зависимость электросопротивления в нормальном состоянии, параметры кристаллической решетки и интенсивность дифракционных линий. При повышении дозы электронного облучения Фи[t] обнаружены следующие эффекты: снижение критической температуры Тау[c] и увеличение ширины сверхпроводящего перехода дельта Тау[c], уменьшение величины " остаточного электросопротивления", понижение величин параметров a и c гексагональной кристаллической решетки, а также величины отношения интенсивности дифракционных линий. На основании полученных результатов установлено, что основным видом радиационных повреждений при облучении BCS-сверхпроводника MgB[2] электронами высокой энергии является образование вакансий в B-подрешетке, следствием которого является сужение большой энергетической щели Дельта[сигма] на поверхности Ферми. Доп.точки доступа: Блинкин, А. А.; Деревянко, В. В.; Сухарева, Т. В.; Уваров, В. Л.; Финкель, В. А.; Шахов, Ю. Н.; Шляхов, И. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ионная имплантация в металлы с одновременным электронным облучением [Текст] / С. Н. Звонков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 116-119.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): металлы -- ионная имплантация -- электронное облучение -- Оже-переходы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обнаружено изменение распределений атомов азота и углерода, имплантированных с энергиями 10 и 30 кэВ, по глубине образцов из никеля и нержавеющей стали в результате сопутствующего облучения электронами с энергией 1 кэВ. Вместо одного максимума распределения появляются два максимума, один ближе к поверхности, а второй на большей глубине, чем при имплантации без электронного облучения. Влияние электронного облучения объясняется образованием в системе атомов примеси зоны, находящейся выше уровня Ферми, в которую электроны металла переходят в результате возбуждения бомбардирующими электронами. Электроны в этой зоне имеют достаточно большое время жизни и увеличивают подвижность атомов примесей. Доп.точки доступа: Звонков, С. Н.; Коршунов, С. Н.; Мартыненко, Ю. В.; Скорлупкин, И. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хасаншин, Р. Х. Влияние электронного облучения стекла К-208 на процесс загрязнения его поверхности высокомолекулярными соединениями [Текст] / Р. Х. Хасаншин, Л. С. Новиков // Перспективные материалы. - 2014. - № 8. - С. 13-21 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 19-20 (10 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- стекло К-208 -- электростатические разряды -- композиционные материалы -- полимерные материалы -- летучие вещества -- осаждение Аннотация: Исследовано влияние электронного облучения стекла К-208 на процесс осаждения на его поверхности продуктов термостимулированного газовыделения полимерного композита. Облучение образцов электронами с энергией 30 кэВ при плотности потока в диапазоне от 10{10} до 2·10{11} см{-2}с{-1} проводили в вакуумной камере при давлении 10{-4} Па. Поверхности образцов изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ). Доп.точки доступа: Новиков, Л. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электроразрядные процессы при облучении стекол К-208 и CMG электронами с энергией в диапазоне от10 до 40 кэВ [Текст] / Р. Х. Хасаншин [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 1. - С. 22-30 : 5 рис. - Библиогр.: с. 28 (12 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- электростатические разряды -- стекло К-208 -- стекло CMG Аннотация: Проведен сопоставительный анализ характеристик электростатических разрядов, возникающих на поверхности стекол К-208 и CMG при облучении их в вакууме электронами с энергиями в диапазоне 10 - 40 кэВ при плотности потока от 10{10} до 2, 5·10{11} см{-2}с{-1}. Для обоих стекол наблюдали разряды, сопровождающиеся выбросом плазмы в окружающее пространство и образованием на поверхности микровыступов и разрядных каналов, однако условия развития разрядов и размеры образующихся на поверхности микроструктур для стекол К-208 и CMG, облученных в одинаковых условиях, значительно отличаются. Доп.точки доступа: Хасаншин, Р. Х.; Новиков, Л. С.; Гаценко, Л. С.; Волкова, Я. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационные центры в свинцово-силикатных стеклах, облученных стационарными и импульсными пучками электронов [Текст] / И. С. Жидков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 4. - С. 107-114 : рис., табл. - Библиогр.: c. 114 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физическая оптика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): ЭПР-спектроскопия -- импульсные пучки электронов -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- радиационные эффекты -- свинцово-силикатные стекла -- электронное облучение -- электронные процессы Аннотация: Методами оптической и ЭПР-спектроскопии исследованы радиационные центры, возникающие в стеклах тяжелых флинтов, облученных электронными пучками. Обнаружено, что под действием быстрых электронов возникают стабильные и короткоживущие центры оптического поглощения близкой природы. Установлена корреляция между полосами стабильного оптического поглощения и сигналами ЭПР, которые интерпретированы как сигналы дырочных (Pb Доп.точки доступа: Жидков, И. С.; Зацепин, А. Ф.; Конев, С. Ф.; Чолах, С. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние электронного облучения на образование и залечивание дефектов в углеродных нанотрубках [Текст] / В. В. Аникеев [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 11. - С. 26-34 : 4 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 31-32 (20 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- высокоэнергетические электроны -- электропроводность -- термо-ЭДС -- электродвижущая сила -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- отжиг -- залечивание дефектов -- деформации -- электронное облучение -- дефекты Аннотация: Исследовано влияние облучения электронами с Е = 2 МэВ и дозой до 1, 9·10{17} эл. /см{2} массива отожженных и неотожженных углеродных нанотрубок (УНТ) на электропроводность сигма (ро), термоЭДС (альфа) и упругие характеристики в процессе деформации сжатием и релаксации при разгрузке. Доп.точки доступа: Аникеев, В. В.; Ковальчук, Б. В.; Лазоренко, В. М.; Михайлова, Г. Ю.; Нищенко, М. М.; Пименов, В. Н.; Приходько, Г. П.; Садыхов, С. И. О.; Товтин, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние электронного облучения на образование и залечивание дефектов в углеродных нанотрубках [Текст] / В. В. Аникеев [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 11. - С. 26-34 : 4 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 31-32 (20 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- высокоэнергетические электроны -- электропроводность -- термо-ЭДС -- электродвижущая сила -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- отжиг -- залечивание дефектов -- деформации -- электронное облучение -- дефекты Аннотация: Исследовано влияние облучения электронами с Е = 2 МэВ и дозой до 1, 9·10{17} эл. /см{2} массива отожженных и неотожженных углеродных нанотрубок (УНТ) на электропроводность сигма (ро), термоЭДС (альфа) и упругие характеристики в процессе деформации сжатием и релаксации при разгрузке. Доп.точки доступа: Аникеев, В. В.; Ковальчук, Б. В.; Лазоренко, В. М.; Михайлова, Г. Ю.; Нищенко, М. М.; Пименов, В. Н.; Приходько, Г. П.; Садыхов, С. И. О.; Товтин, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новые возможности и некоторые артефакты режима катодолюминесценции в сканирующей электронной микроскопии [Текст] / С. В. Зайцев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 12. - С. 1623-1628 : рис. - Библиогр.: c. 1628 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): катодолюминесценция -- люминесцирующий коллектор Торнли-Эверхарта -- сканирующие электронные микроскопы -- Торнли-Эверхарта люминесцирующий коллектор -- электронное облучение Аннотация: Обнаружена и проанализирована засветка камеры сканирующего электронного микроскопа (СЭМ), возникающая из-за воздействия электронов, отраженных от образца (и других частей камеры) на люминесцирующий коллектор Торнли-Эверхарта. Этот "паразитный" эффект (артефакт) нужно учитывать и исключать во всех экспериментах с регистрацией катодолюминесценции (КЛ) образца. Предложен новый способ измерения поверхностных потенциалов на диэлектрических образцах, основанный на регистрации изменения сигнала КЛ в процессе электронного облучения образца. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В.; Купреенко, С. Ю.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Татаринцев, А. А.; Хайдаров, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |