Нечаев, И. А. Учет обменно-корреляционных эффектов в ab initio методах расчета закона дисперсии и ширины линии плазмотрона в металлах [Текст] / И. А. Нечаев, В. М. Силкин, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1737-1743. - Библиогр.: с. 1743 (39 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волновой вектор энергии -- дисперсия -- обменно-корреляционные эффекты -- приближение хаотических фаз -- ширина линии плазмона -- электронная плотность Аннотация: Для вычисления обменно-корреяционных поправок к приближению хаотических фаз предложен самосогласованный аналог фактора локального поля Хаббарда, учитывающий эффекты реальной зонной структуры изучаемого металла. Представлены результаты расчетов зависимости от волнового вектора энергии и ширины линии плазмона в калии. Расчеты проводились как в рамках приближения хаотических фаз, так и с поправками на локальное поле. Полученное в результате хорошее согласие с экспериментальными данными свидетельствует, во-первых, о необходимости учета поправок к приближению хаотических фаз для металлов с низкой электронной плотностью, во-вторых, о приемлемости аппроксимации фактора локального поля. Доп.точки доступа: Силкин, В. М.; Чулков, Е. В. |
Разжувалов, А. Н. "Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
Исследование импульсного распределения электронов в углеводороде по комптоновским профилям [Текст] / А. А. Сидоров [и др. ] // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2009. - N 3. - С. 165-170. - Библиогр.: с. 170 (8 назв. ) . - ISSN 5-89838-2
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): эффект Комптона -- Комптона эффект -- импульсная аппроксимация -- электронная плотность -- рентгеновское излучение -- атомно-рассеивающий фактор -- электроны -- углерод -- комптоновские профили -- структура графита -- структура алмаза Аннотация: Исследованы комптоновские профили углерода со структурой графита и алмаза. Установлено влияние структуры вещества на импульсное распределение электронов в этих кристаллах. Доп.точки доступа: Сидоров, А. А.; Холодовский, В. Е.; Кульченко, Е. А.; Бавкунов, М. А.; Авдащенко, Д. В.; Малофеев, С. Е. |
Джахангирли, З. А. Самосогласованный расчет глубоких уровней вакансий Ge и S в GeS методом функций Грина [Текст] / З. А. Джахангирли // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 436-438. - Библиогр.: с. 438 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): функции Грина -- Грина функции -- линейные комбинации атомных орбиталей -- дефектные уровни -- орторомбические кристаллы -- электронная плотность Аннотация: На основе теории функций Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и изменение электронной плотности в кристалле с дефектом. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сорокин, Д. А. Концентрация и температура электронов в плазме диффузного разряда, формируемого при высоких перенапряжениях в плотных газах [Текст] / Д. А. Сорокин, М. И. Ломаев, К. Ю. Кривоногова // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316. N 2. - С. 80-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (15 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): плазма гелия -- электроны -- температура электронов -- диффузный разряд -- концентрация электронов -- плотные газы -- метод штарковского уширения -- электронная плотность -- плазма азота -- аппаратные функции Аннотация: Методом штарковского уширения определены средние за время импульса значения концентрации электронов в плазме диффузного разряда в гелии при давлениях от 1 до 6 атм. Представлена временная динамика электронной плотности в разрядной плазме гелия при атмосферном давлении. Для плазмы разряда в гелии при давлении 1 атм максимальное значение концентрации электронов составило ~5, 4. 10{15} см{-3}. В разрядной плазме азота посредством методики, основанной на столкновительно-радиационной модели плазмы, оценено среднее за время импульса значение температуры электронов, которое составляет ~2, 3 эВ, а также ее временная динамика. Доп.точки доступа: Ломаев, М. И.; Кривоногова, К. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 795-800. : ил. - Библиогр.: с. 800 (25 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): органические полупроводники -- фталоцианиновые комплексы -- электронная плотность -- твердые пленки -- дифталоцианин -- трифталоцианин -- октахлорфталоцианинат -- третбутилфталоцианинат -- октабутилфталоцианинат -- оптические свойства -- вибронные свойства -- лантаниды -- несимметричное распределение электронной плотности Аннотация: Посвящена исследованию оптических свойств органических полупроводников на основе ди- и трифталоцианиновых комплексов лантанидов (III) с несимметричным распределением электронной плотности. Получены твердые пленки дифталоцианина {Cl}PcLu{tBu}Pc и трифталоцианина {Cl}PcEu{Bu}PcLu{Bu}Pc ({Cl}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октахлорфталоцианинат, {tBu}Pc=2 (3), 9 (10), 16 (17), 23 (24) -тетра- третбутилфталоцианинат, {Bu}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октабутилфталоцианинат) и исследованы их спектры пропускания в средней ИК-области. Расшифровка спектров пропускания показала, что усложнение структуры молекул фталоцианина приводит к тому, что в области 1400-1450 см{-1} изоиндольная группа может проявлять вибронные свойства в виде четырех линий поглощения. В дальней ИК-области обнаружены новые линии поглощения, наличие которых может быть связано с присутствием хлор-углеродных связей. Доп.точки доступа: Белогорохов, И. А.; Мартышов, М. Н.; Мамичев, Д. А.; Дронов, М. А.; Пушкарев, В. Е.; Рябчиков, Ю. В.; Форш, П. А.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фатеев, Д. В. Трансформация плазмонного спектра в транзисторной структуре с решеточным затвором и пространственно-модулированным двумерным электронным каналом [Текст] / Д. В. Фатеев, В. В. Попов, M. S. Shur // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1455-1462. : ил. - Библиогр.: с. 1461-1462 (30 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): плазмонные спектры -- транзисторные структуры -- решеточные затворы -- двумерные электронные каналы -- 2D электронные каналы -- электронная плотность -- плазмоны -- трансформация спектров -- спектры плазмона Аннотация: Построена теория возбуждения плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором и 2D электронным каналом с пространственно-модулированной электронной плотностью. Исследована трансформация спектра плазмонов при изменении величины пространственной модуляции электронной плотности в канале транзисторной структуры. Найдены условия преимущественного возбуждения подзатворных или межконтактных плазмонов и исследовано взаимодействие различных плазмонных мод в терагерцовом частотном диапазоне. Показано, что интенсивность возбуждения подзатворных плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором значительно возрастает благодаря конструктивной роли межконтактных участков электронного канала. Ширина линии плазмонных резонансов в транзисторной структуре с решеточным затвором оказывается сравнимой с вкладом, определяемым электронным рассеянием в канале транзисторной структуры. Доп.точки доступа: Попов, В. В.; Shur, M. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Калашников, Александр Александрович. Аналитическое решение задачи определения поля электрической напряженности СВЧ волны импульсного радара в высокотемпературной плазме [Текст] / А. А. Калашников // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 125-128. : ил. - Библиогр.: с. 128 (8 назв. )
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): импульсные радары -- высокотемпературная плазма -- СВЧ волны -- плазма -- импульсная рефлектометрия -- динамические модели -- микроволновое излучение -- электронная плотность Аннотация: Представлено аналитическое решение задачи определения пространственно-временного распределения поля электрической напряженности излучения импульсного радара в плазме. Реализация решения проведена с учетом двумерных эффектов взаимодействия СВЧ волны и плазмы. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лисицын, Виктор Михайлович. Структурные фазы азида серебра [Текст] / В. М. Лисицын, Ю. Н. Журавлев // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 138-143. : ил. - Библиогр.: с. 143 (13 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): структурные фазы -- азиды серебра -- теория функционала плотности -- электронная плотность -- CRYSTAL06 -- анализ заселенности по Малликену -- зонная структура -- упругие постоянные -- парциальная плотность состояний -- полная плотность состояний -- молекулы азота -- механическая стабильность Аннотация: Методами теории функционала локальной электронной плотности с градиентной аппроксимацией обменно-корреляционного потенциала программным кодом CRYSTAL06 исследованы структурные фазы азида серебра. Показана возможность существования тетрагональных фаз симметрии I4/mcm и I41/a, а также орторомбической, в которой структурными элементами являются практически не взаимодействующие между собой молекулы азота и цепочки из ковалентно связанных атомов серебра и азота. Упругие постоянные такого кристалла не удовлетворяют условиям механической стабильности. Ширина запрещенной зоны в нем равна 0, 02 эВ. Доп.точки доступа: Журавлев, Ю. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Чернова, Е. М. Квантово-механическое исследование электронного строения неразветвленных одноатомных спиртов [Текст] / Е. М. Чернова, В. В. Туровцев, Ю. Д. Орлов // Вестник Тверского государственного университета. - 2010. - № 36 (Физика). - С. 96-101 : ил., табл. - Библиогр.: с. 101 (5 назв. ) . - ISSN 1995-0128
Рубрики: Физика Квантовая механика Молекулярная физика в целом Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): аддитивно-групповой подход -- атомы -- атомы в молекуле -- Бейдера теория -- группы -- индуктивный эффект -- исследования -- квантово-механическая теория -- квантовые расчеты -- молекулы -- одноатомные спирты -- переносимость групп -- плотность -- подходы -- расчеты -- спирты -- строение -- теории -- теория Бейдера -- электронная плотность -- электронное строение -- электроотрицательность -- эффекты Аннотация: Электронное строение неразветвленных одноатомных спиртов. Доп.точки доступа: Туровцев, В. В.; Орлов, Ю. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние размера мертвой зоны ионосферной волны на помехоустойчивость радиолиний локальной дифференциальной подсистемы ГЛОНАСС/GPS [Текст] / И. А. Сикарев [и др.] // Проблемы информационной безопасности. Компьютерные системы. - 2014. - № 2. - С. 67-72 : граф., схемы. - Библиогр.: с. 72 (5 назв.) . - ISSN 2071-8217
Рубрики: Транспорт Водные перевозки Радиоэлектроника Теория информации. Общая теория связи Кл.слова (ненормированные): ионосферные волны -- помехоустойчивость -- радиолинии -- локальные дифференциальные подсистемы -- ГЛОНАСС/GPS -- электронная плотность -- диэлектрическая проницаемость -- рефракция -- мертвая зона (программирование) -- антифединговые антенны -- радионавигационные системы -- контрольно-корректирующие станции -- речные системы Аннотация: Рассматривается проблема влияния ионосферной волны на замирание сигнала и взаимной помехи контрольно-корректирующих станций речной локальной дифференциальной подсистемы ГЛОНАСС/GPS. Доп.точки доступа: Сикарев, И. А.; Шахнов, С. Ф.; Кузнецов, И. Г.; Романова, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Электронная плотность состояний эпитаксиального графена на поверхности полупроводниковой подложки [Текст] = Electronic density of States of epitaxial graphene on the surface of the semiconductor substrate / З. З. Алисултанов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2015. - № 5. - С. 29-36 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 35-36 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- электронная плотность -- полупроводниковые подложки -- функции Грина -- Грина функции -- гамильтонианы -- гамильтониан Андерсона -- Андерсона гамильтониан -- приближение Халдейна-Андерсона -- Халдейна-Андерсона приближение -- суперконденсаторы -- конденсаторы Аннотация: Рассмотрены электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводниковой подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона в приближении Халдейна-Андерсона. Получено аналитическое выражение для плотности состояний эпитаксиального графена. Исследовано поведение плотности состояний эпитаксиального графена при различных значениях параметров задачи.Considered electronic States of epitaxial graphene formed on the surface of the semiconductor substrate. The approach used is based on a model Hamiltonian of the Anderson in the approximation of Haldane-Anderson. An analytical expression for the density of States of epitaxial graphene. The behavior of the density of States of epitaxial graphene for different values of the parameters of the problem. Доп.точки доступа: Рустамова, Джамиля Маликовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Филиппов, Е. С. Модель высокотемпературных фазовых переходов в металлах [Текст] / Е. С. Филиппов // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 12. - С. 72-76 : табл. - Библиогр.: c. 76 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные полиморфные превращения -- гексагональные структуры -- теплофизика -- тетрагональные структуры -- флуктуации электронной плотности -- электрон-ионные взаимодействия -- электронная плотность Аннотация: На основе допущения флуктуации электронной плотности при размытии зон выявлен расчётный параметр (радиус R ) полуширины распределения вероятности по координате R на уровне максимальной флуктуации электронной плотности (при максимуме гауссовой функции). Но основе анализа процесса кристаллизации и высокотемпературных полиморфных превращений ОЦК в ГЦК по расчётному параметру (радиусу R ) в твёрдой и жидкой фазах установлены причины возникновения ОЦК, ГЦК, гексагональной и тетрагональной структур из жидкой фазы, а также причины высокотемпературного перехода ОЦК в ГПУ в твёрдой фазе. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Абгарян, К. К. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов [Текст] / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2016. - Т. 56, № 1. - С. 155-166. - Библиогр.: c. 166 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Пуассона уравнения -- Шрёдингера уравнения -- моделирование полупроводниковых гетероструктур -- наноразмерные полупроводниковые гетероструктуры -- подвижность носителей заряда -- полупроводниковые гетероструктуры -- пьезоэлектрическая поляризация -- распределение носителей заряда -- расчет электронной плотности -- спонтанная поляризация -- уравнения Пуассона -- уравнения Шрёдингера -- численное моделирование -- электронная плотность Аннотация: Представлена трехуровневая схема моделирования наноразмерных полупроводниковых гетероструктур с учетом эффектов спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Схема объединяет квантово-механические расчеты на атомарном уровне для получения плотности зарядов на гетероинтерфейсах, расчет распределения носителей в гетероструктруре на основе решения системы уравнений Шрёдингера и Пуассона, а также расчет подвижности электронов в двумерном электронном газе с учетом различных механизмов рассеяния. С целью ускорения вычислительного процесса при расчете электронной плотности в гетероструктуре применен подход, основанный на аппроксимации нелинейной зависимости электронной плотности от потенциала в сочетании с линеаризацией уравнения Пуассона. Показана эффективность данного подхода в задачах рассматриваемого класса. Доп.точки доступа: Ревизников, Д. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зонная структура и двупреломление кристаллов LiRbSO[4] [Текст] / В. И. Стадник [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 2. - С. 306-311 : граф., табл. - Библиогр.: с. 311 (13 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- двупреломление кристаллов -- зонные структуры -- оптические свойства -- орторомбические фазы -- Pnma -- псевдопотенциалы -- электронная плотность -- диэлектрические проницаемости Аннотация: Исследована зонно-энергетическая структура и оптические свойства кристаллов LiRbSO[4] в орторомбической фазе Pnma. С использованием метода псевдопотенциала в рамках теории функционала электронной плотности рассчитаны зонная структура, плотность состояний и распределение диэлектрической проницаемости. На основе этих расчетов получены спектральные зависимости двупреломления дельта n[i] кристаллов LiRbO[4] для разных кристаллофизических направлений. Доп.точки доступа: Стадник, В. И.; Андриевский, Б. В.; Карплюк, Л. Т.; Онуфрив, О. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Орлов, В. Г. Особенности распределения электронной плотности в теллуриде сурьмы Sb[2]Te[3] [Текст] / В. Г. Орлов, Г. С. Сергеев // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1278-1285 : 5 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (38 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллические решетки -- критические точки -- полуметаллы -- полупроводники -- сурьма -- теллурид сурьмы -- электронная плотность Аннотация: На основе результатов расчетов электронной зонной структуры полупроводников Sb[2]Te[3], Ge, Te и полуметалла Sb, выполненных методом функционала электронной плотности, найдены параметры критических точек в распределении электронной плотности (максимумов, минимумов и седловых точек) в кристаллической решетке вышеуказанных веществ. Доп.точки доступа: Сергеев, Г. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кристаллическая и зонная структура суперионного проводника нестехиометрического состава Cu[1,85]Te [Текст] = The crystal and band structure of the superionic conductor of nonstoichiometric composition Cu[1,85]Te / Н. Н. Биккулова [и др.] // Инженерная физика. - 2017. - № 9. - С. 15-20 : ил., табл., граф. - Библиогр.: с. 19-20 (10 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): суперионная проводимость -- кристаллические структуры -- зонные структуры -- электронная плотность -- теллурид меди -- метод Ритвельда -- Ритвельда метод -- метод псевдопотенциала Аннотация: В работе приведены результаты расчета по уточнению кристаллической структуры теллурида меди нестехиометрического состава Cu[1, 85]Te с помощью программного пакета Fullprof Suite по методу Ритвельда в интервале температуры 298…658 K. Построен график зависимости параметров кристаллической решетки от температуры в указанном интервале. Произведен расчет зонной структуры в рамках теории функционала электронной плотности с помощью метода псевдопотенциала, реализованного в программном пакете Quantum Espresso, а также полных и парциальных плотностей электронных состояний для исследуемого соединения.The results of calculations for clarifying the crystal structure telluride of copper with nonstoichiometric composition Cu[1, 85]Te are presented using the software package Fullprof Suite using the Rietveld method in the temperature range 298…658 K. A graph of the dependence of the parameters of the crystal lattice on the temperature in the indicated interval is constructed. The band structure was calculated in the framework of the theory of the electron density functional using the pseudopotential method realized in the Quantum Espresso software package, as well as full and partial densities of electronic states for the test compound. Доп.точки доступа: Биккулова, Нурия Нагимьяновна; Ягафарова, Зульфия Абдулхаевна; Акманова, Гузель Рифкатовна; Курбангулов, Азат Рифкатович; Биккулова, Алсу Валиулловна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электронная структура и природа химической связи переходного металла с неинноцентным лигандом в комплексе (NH[2]O){N(CH[2]PO[3])[3]H}] x 8H[2]O [Текст] / Ф. Ф. Чаусов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 7. - С. 983-985. - Библиогр.: c. 985 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Органическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): гидроксиламин -- молибден -- нитрило-трис-метиленфосфоновая кислота -- оксид азота -- рентгеноструктурный анализ -- рентгеноэлектронная спектроскопия -- электронная плотность Аннотация: Гетеролептический комплекс молибдена с нитрило-трис-метиленфосфоновой кислотой, гидроксиламином и оксидом азота (II) исследован методами рентгеноструктурного анализа (РСА) и рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС). Установлено, что, несмотря на формальную степень окисления молибдена +3, фактический заряд на атоме Mo составляет около +1e. Электронная плотность локализуется преимущественно в области связи Mo-NO, причем распределение электронной плотности свидетельствует об образовании n-связи. Доп.точки доступа: Чаусов, Ф. Ф.; Сомов, Н. В.; Ломова, Н. В.; Шабанова, И. Н.; Закирова, Р. М.; Петров, В. Г.; Шумилова, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Расчет зонной структуры теллурида меди Cu[2]Te [Текст] = Calculation of zone structure of telluride copper Cu[2]Te / Л. В. Цыганкова [и др.] // Инженерная физика. - 2019. - № 7. - С. 45-47 : граф., схемы. - Библиогр.: с. 47 (9 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): суперионные проводники -- теллурид меди -- зонная структура (физика) -- электронная плотность -- халькогениды меди -- халькогениды серебра Аннотация: В работе представлены результаты расчета зонной структуры в рамках теории функционала электронной плотности с помощью метода псевдопотенциала, реализованного в программном пакете Quantum Espresso, для теллурида меди Cu[2]Te.The paper presents the results of the calculation of the zone structure in the framework of the theory of the electron density functional using the pseudopotential method implemented in the Quantum Espresso software package for copper telluride Cu[2]Te. Доп.точки доступа: Цыганкова, Ляйсан Валиулловна; Курбангулов, Азат Рифкатович; Буккулова, Нурия Нагимьяновна; Нигматуллина, Гульназ Рамазановна; Сафаргалиев, Данир Ильдарович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |