Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions [Text] / T. A. Komissarova [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 304-307
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): InN -- электрические свойства -- оптические свойства Доп.точки доступа: Komissarova, T. A.; Shubina, T. V.; Jmerik, V. N.; Ivanov, S. V.; Ryabova, L. I.; Khokhlov, D. R.; Vasson, А.; Leymarie, J.; Araki, T.; Nanishi, Y. |
Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М. |
Брудный, В. Н. Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности. |
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И. |
Технологические особенности формирования вакуумных фторполимерных пленок в ВЧ-плазме и их структурные и электрические свойства [Текст] / П. А. Лучников [и др. ] // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 11. - С. 30-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (5 назв. ) . - ISSN 1999-8465
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): технологические особенности -- вакуумные фторполимерные пленки -- фторполимерные пленки -- электронные компоненты ВЧ-плазмы -- структурные свойства -- электрические свойства -- политетрафторэтилен -- фторполимерные пленки -- радиационный эффект -- спин-радикалы -- молекулярные структуры -- время релаксации -- электреты -- ВЧ-плазма -- стабильность зарядов -- полимерные слои -- электретные свойства Аннотация: Исследованы процессы воздействия электронной компоненты ВЧ-плазмы на молекулярную структуру и электрические свойства получаемых вакуумных фторполимерных пленок в процессе их роста из активной газовой фазы. Приведены результаты исследований электретных свойств фторполимерных пленок в плазме ВЧ-разряда при воздействии внешним электрическим полем. Доп.точки доступа: Лучников, П. А.; Березин, В. М.; Рогачев, А. А.; Вишневский, А. С.; Лучников, А. П. |
Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой [Текст] / А. Г. Казанский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 513-516 : ил. - Библиогр.: с. 516 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрированные пленки -- пленки -- кремний -- двухфазные структуры -- фотопроводимость -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- нанокристаллические структуры -- комнатная температура -- нанокристаллы -- время жизни зарядов -- рекомбинация -- поглощение -- дефекты Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в "дефектной" области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда. Доп.точки доступа: Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Kleider, J. P. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Осаждение тонких пленок Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3] методом импульсной лазерной абляции [Текст] / И. С. Вирт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 568-569 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- осаждение -- импульсная лазерная абляция -- ИЛА -- метод импульсной лазерной абляции -- подложки -- монокристаллические подложки -- температура -- мишени -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- дифракция электронов высоких энергий -- метод дифракции электронов высоких энергий -- кристаллиты -- электрические свойства -- удельное сопротивление -- абляции Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3]. Пленки осаждались в вакууме (1x10{-5} мм рт. ст. ) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al[2]O[3] (0001), BaF[2] (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов. Доп.точки доступа: Вирт, И. С.; Шкумбатюк, Т. П.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Лопатинский, И. Е.; Линник, Л. Ф.; Тетеркин, В. В.; Федоров, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами [Текст] / В. В. Емцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 706-712 : ил. - Библиогр.: с. 711-712 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремний -- карбид кремния -- облучение протонами -- протонное облучение -- электрические свойства -- энергия -- первичные радиационные дефекты -- ПРД -- пар Френкеля -- Френкеля пар -- ПФ -- кристаллические решетки -- дефекты -- сравнительное изучение Аннотация: Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых " радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Емцев, В. В.; Иванов, А. М.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А.; Оганесян, Г. А.; Строкан, Н. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алиев, Ф. Ф. Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе [Текст] / Ф. Ф. Алиев, М. Б. Джафаров, В. И. Эминова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 749-752. : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фазовый переход -- ФП -- температурные зависимости -- дефекты -- концентрация дефектов -- электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электрические свойства -- Ag[2]S Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе. Доп.точки доступа: Джафаров, М. Б.; Эминова, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 978-980. : ил. - Библиогр.: с. 980 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки теллурида кадмия -- теллурид кадмия -- сравнительные исследования -- электрические свойства -- гальваномагнитные свойства -- температурные зависимости проводимости -- метод теплового экрана -- метод квазизамкнутого объема -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- холловская подвижность -- стехиометрия -- концентрация дефектов -- неравновесные условия Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях методом теплового экрана и методом квазизамкнутого объема. Приводятся температурные зависимости проводимости, коэффициента Холла и эффективной холловской подвижности. В результате анализа экспериментальных результатов делается вывод, что метод теплового экрана положительно влияет на стехиометрию состава и тем способствует получению пленок с меньшей концентрацией дефектов. Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Еремина, Е. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Курова, И. А. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1624-1628. : ил. - Библиогр.: с. 1628 (15 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические свойства -- слоистые пленки -- аморфный кремний -- гидрированный кремний -- температурные зависимости -- фотопроводимость пленок -- нелегированные пленки -- интенсивность освещения -- фоточувствительность пленок -- стандартные пленки -- темновая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурное гашение -- электрические свойства -- оборванные связи -- кремний -- акцепторные центры -- коэффициенты захвата Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130-420 K) и интенсивностей освещения (0. 1-60 мВт·см{-2}). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок. Доп.точки доступа: Ормонт, Н. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Никулин, Е. И. Электрические и магнитные свойства манганитов La[1-x]Ag[x]MnO[3] (x=0. 05, 0. 1 и 0. 2) при 77 K [Текст] / Е. И. Никулин, Ю. П. Степанов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2389-2391. . - Библиогр.: с. 2391 (3 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): манганиты -- электрические свойства -- магнитные свойства Аннотация: Исследованы проводимость, намагниченность и магнитосопротивление манганитов La[1-x]Ag[x]MnO[3] в интервале температур 78-300 K. Образцы изготовлены золь-гельным методом. При комнатной температуре магнитное поле 0. 6 T на проводимость не влияет. При понижении температуры на кривой намагниченности наблюдается резкий скачок, что связано с фазовым переходом полупроводник-металл. На температурной зависимости сопротивления этот переход практически не сказывается. Доп.точки доступа: Степанов, Ю. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Леонов, В. В. Электрометрическое определение динамической вязкости ньютоновских диэлектрических жидкостей [Текст] / В. В. Леонов, М. Ю. Доломатов // Наукоемкие технологии. - 2011. - Т. 12, N 3. - С. 29-34. : ил. - Библиогр.: с. 34 (15 назв. )
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): электрометрическое определение -- динамическая вязкость -- ньютоновские жидкости -- диэлектрические жидкости -- электродинамические подходы -- реологические параметры -- жидкие состояния -- внутреннее трение -- электрические свойства -- реологические свойства -- электрометрические методы -- гидродинамика -- вязкие течения Аннотация: Представлены теоретически обоснованные электродинамические подходы к определению реологического параметра жидкого состояния - коэффициента внутреннего трения. Показано, что взаимосвязь электрических и реологических свойств жидкостей открывает возможность практического применения электрометрических методов в гидродинамике вязкого течения. Доп.точки доступа: Доломатов, М. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности электрических свойств нанокомпозитов на основе полиэтилена и нанопластин графита, полученных методом полимеризации in-situ [Текст] / Чмутин И. А. [и др. ] // Нанотехника. - 2011. - N 3 (9). - С. 33-38. : 6 рис. - Библиогр.: c. 38 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- нанокомпозиты -- нанопластины графита -- полимеразация -- оптические константы Аннотация: Исследованы электрические свойства нанокомпозиционных материалов на основе полиэтилена и нанопластин графита. Доп.точки доступа: Чмутин, И. А.; Бревнов, П. Н.; Сабирова, Г. Н.; Назирова, О. Д.; Рывкина, Н. Г.; Новокшонова, Л. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зиминов, Виктор Михайлович. Выпрямляющие свойства структур на основе фуллерена C[60] [Текст] / В. М. Зиминов, И. Б. Захарова // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 18-21 : ил. - Библиогр.: с. 21 (10 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): фуллерены -- тонкие пленки -- гетеропереходы -- электрические свойства -- электрофизические свойства пленок -- вакуумное напыление -- донорные полупроводники -- неорганические полупроводники -- композитные структуры -- коэффициент выпрямления Аннотация: Исследованы структура, состав и электрофизические свойства пленок, полученных методом вакуумного напыления из смеси фуллерена C[60] с органическим или неорганическим донорным полупроводником. Установлен диодный характер вольтамперных характеристик с коэффициентом выпрямления, зависящим от состава и структуры пленки. Проведен сравнительный анализ указанных композитных структур.The structure, composition and electrical propreties of the films produced by the vacuum evaporation method from a mixture of C[60] with organic donor semiconductor were investigated. Diode current-voltage characteristics with a rectification ratio, depending on the composition and structure of the films were found. A comparative study of the composite structures was carried out, conclusions about the prospects of using a mixture of inorganic semiconductor with a fullerene to make a bulk heterojunction-based diode with a high retification ratio were done. Доп.точки доступа: Захарова, Ирина Борисовна (1959-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Маслов, Вадим Владимирович (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры физической электроники). Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-xGexTe [Текст] = The effect of free carriers on the phase transition temperature in the ferroelectric semiconductor Pb1-xGexTe / В. В. Маслов, С. В. Барышников, Е. В. Стукова // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 147. - С. 72-81 : 3 рис. - Библиогр.: с. 80-81 (13 назв. ) . - ISSN 1992-6464
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектретики-полупроводники -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрики -- фазовые переходы -- поликристаллы -- полупроводники -- электрические свойства Аннотация: Представлены результаты диэлектрических исследований Pb1-xGexTe (Ga) для x = 0, 03; 0, 05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 5-10 6 Hz. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории. Доп.точки доступа: Барышников, Сергей Васильевич (доктор физико-математических наук; профессор кафедры общей физики); Стукова, Елена Владимировна (кандидат физико-математических наук; профессор кафедры общей физики) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |